溶胶—凝胶二氧化硅驻极体薄膜的物理化学改性

实验研究了由溶胶－凝胶法制备二氧化硅驻极体薄膜的工艺。用红外透射谱、扫描电子显微镜以及驻极体等温表面电位测量和热刺激放电等实验考察了热处理和化学表面修正两个关键工艺对溶胶－凝胶二氧化硅样品驻极体性能的影响。结果表明经过高温条件下一定时间的热处理和化学表面修正，可以制备出性能优良的驻极体薄膜。     

溶胶—凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜

采用溶胶－凝胶法制备了低介电常数SiO2薄膜和SiOF薄膜，F的掺入明显地降低了SiO2薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响，测定了10－300kHz范围内电容随频率变化的曲线，并计算了相应介电常数。二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明，F在薄膜中的分布是不均匀的。讨论了溶胶－凝胶法制备掺F的SiO2薄膜过程中各种因素对介电常数的影响，并用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

溶胶-凝胶法制备二氧化硅薄膜及其性能研究

首先通过溶胶-凝胶法,以正硅酸乙酯(Tetraethyl orthosilicate,TEOS)为前驱体,硝酸(HNO3)为催化剂,制备出二氧化硅溶胶。采用浸渍提拉法在金属表面涂覆二氧化硅胶膜,并经热处理后制备出二氧化硅薄膜。向溶胶中添加F-硅烷偶联剂对薄膜的疏水性能进行改善。采用FT-IR、SEM、TG系统分析了薄膜的化学组成、微观形貌和热稳定性,研究了不同原料比、成膜温度对薄膜硬度、附着力及耐腐蚀性能的影响。结果表明,当硅、酸物质的量比为15∶1时,二氧化硅薄膜的硬度最高,可达9H;附着力最好,最高达2级;耐盐雾腐蚀性能最好,最高盐雾时间为25 min;且通过SEM分析可知薄膜的表面裂纹最少,且无明显凝胶析出物;通过热失重的分析表明溶胶反应温度对薄膜热稳定性的影响不大。     

溶胶—凝胶法制备SiO2薄膜的研究

硅溶胶制备ＳｉＯ２薄膜时用正交试验法系统研究了各种因素对溶胶稳定性和ＳｉＯ２薄膜成膜性的影响。研究表明：溶液浓度,加水量和催化剂是制备良好成膜性溶胶的关键因素,控制干燥化学添加剂在加入量超过一定比例后对抑制膜层开裂有明显作用。     

Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能

通过控制制备工艺条件和充电参数,利用相应条件下样品的等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流谱等。考察了利用溶胶－凝胶（sol-gel)方法制备的Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能,分析了各种工艺参数与蓦主极体性质之间的联系,同时利用Gauss拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电荷阱深度进行了估算,实验结果表明,反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用,估算出负电晕充电SiO2薄膜驻极体电荷的活化能为0．3 eV和1．0eV;环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响,降低栅压可以提高SiO2薄膜驻极体的电荷储存稳定性。     

溶胶—凝胶方法制备KTa0.65Nb0.35O3薄膜的凝胶化和热处理研究

本文较系统地研究了溶胶－凝胶方法制备ＫＴａ０．６５Ｎｂ０．３５Ｏ３薄膜的凝胶化行为和热处理。用自制的金属醇盐ＫＯＣ２Ｈ５、Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５和Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５为原料，无水乙醇作溶剂，配制均匀的溶液。实验结果表明，溶液浓度、介质或催化剂的使用、匀胶时的环境温度和湿度及单层膜厚等因素凝胶薄膜的形成有较大影响。条件适宜时可得到与衬底附着紧固的均匀透明的凝胶薄膜。随着热处理温度升高，薄膜首先从非晶态     

溶胶－凝胶法制备TiO_2－CeO_2薄膜

本文报道了用溶胶－凝胶法制备ＴｉＯ＿２－ＣｅＯ＿２薄膜的工艺过程及所制在薄膜的性能。研究了在不同Ｃｅ／Ｔｉ比及催化条件下浸涂液的成膜能力、胶凝过程以及薄膜的物相和光学性能。结果表明，在浸涂液中加入水或碱会便浸涂液迅速凝胶，而加无机盐会促进老化过程。浸涂液的水解－凝胶过程对薄膜的透过率、表面形貌有显著影响。随Ｃｅ／Ｔｉ比增大，浸涂液的成膜能力变坏，而薄膜的紫外吸收增大。     

溶胶—凝胶法制备BaTiO3系薄膜

本文介绍了溶胶－凝胶法制备钛酸钡系薄膜。     

溶胶-凝胶薄膜的制备和应用

概述了溶胶—凝胶薄膜的制备方法和在各个领域的应用。并对溶胶—凝胶薄膜制备的基本原理、制备过程中薄膜质量的影响因素和存在的问题进行了探讨和总结。     

溶胶—凝胶制备TiO2／SiO2复合薄膜的FT—IR表征

ＦＴ－ＩＲ吸收谱用来研究具有多孔结构的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜；薄膜在１２００ｃｍ＾－１有一较强的肩峰，其强度与峰位随热处理温度度而生变化。在９５５ｃｍ＾－１的吸收峰是由于Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ和Ｓｉ－ＯＨ的结果，并随着热处理 度的提高其吸收峰完全是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ振动所引起的，其峰位随着ＴｉＯ２的增加，向低频区域移动。     

钛溶胶表面修饰氧化铝空心球

本论文采用湿化学方法引入钛溶胶对氧化铝空心球表面进行修饰改性,并利用SEM、XRD和自制测耐压设备等手段对比研究了氧化铝空心球表面修饰改性前后表面结构和强度变化情况。以此为提高氧化铝空心球在铝工业炉中的应用价值提供实验依据。实验结果表明:钛溶胶在氧化铝空心球表面形成薄膜结构。在高温(1350℃)处理过程中,钛溶胶分解得到的金红石型二氧化钛与空心球基体原位反应生成钛酸铝,它可以修补空心球的缺陷位从而使空心球的强度得到提高。     

溶胶—凝胶法制备TiO2／Pt／glass纳米薄膜及其光电催化性能

本文采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了ＴｉＯ２／Ｐｔ／ｇｌａｓｓ纳米光催化薄膜，并进行了结构和乐电催化性能的测试。薄膜对染料溶液的光电催化降解结果表明，当输入正向偏压后，ＴｉＯ２／Ｐｔ／ｇｌａｓｓ薄膜的光催化性能有一定提高，且随着偏压增大而增强。同时，薄膜的中间层Ｐｔ及光源强度对薄膜的光电催化活性也有较大影响。     

化学修饰法制备的ZrO2-SiO2系凝胶薄膜的感光特性研究

本研究采用溶胶-凝胶与化学修饰相结合的方法制备了xZrO2@(100-x)SiO2系薄膜,进一步研究了这种薄膜的紫外光谱特性,发现了当x＞30时,这种凝胶薄膜在335nm附近有较强的吸收峰,这一吸收峰对应于与Zr形成配位体的BzAcH的π-π*迁移.当紫外光照射薄膜后,随着含Zr螯合物的分解,吸收峰也消失,并引起薄膜在有机溶剂中的溶解特性的显著变化,表现出明显的感光特性.这种薄膜经400℃、30min热处理以后,薄膜中的有机物消失,可获得非晶质的ZrO2-SiO2系薄膜,依据这一特性可以用紫外光对这类薄膜进行微细加工.     

溶胶—凝胶法制备TiO2—SiO2复合薄膜的研究

采用溶胶－凝胶方法在单晶Ｓｉ基片上制备了ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜，研究了溶剂、ｐＨ值对先体溶液成胶时间的作用，溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大，其主要贡献来自于薄膜中结构的变化。并测量了薄膜的Ｉ－Ｖ、Ｃ－ｆ特性，由于薄膜中的热击穿效应而使得ＴｉＯ２含量较高的薄膜２的Ｉ－Ｖ呈非线性变化。     

溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究

采用溶胶－凝胶技术在Ｓｉ单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２ｘ铁电薄膜，讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响，Ｘ射线衍射分析表明，经７００℃和７００℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜，该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Ｐｒ＝５μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场Ｅｃ＝１３０ｋＶ／ｃｍ。     

氨处理对溶胶凝胶增透膜激光损伤阈值的影响

采用溶胶凝胶方法在K9 玻璃基片上镀制了SiO2 增透膜,并对其中一些样品进行了氨处理.分别采用原子力显微镜、红外光谱仪、椭偏仪、透射式光热透镜测试了氨处理前后薄膜的微观表面形貌、化学结构、折射率和弱吸收.实验结果表明:经氨处理后薄膜的孔隙率从0.73 降低到0.63 ,其弱吸收从67.88 ×10 -6 增加到74.58 ×10 -6 ,薄膜的激光损伤阈值从处理前的18.0 J/cm 2 降低到16.9 J/cm 2 .考虑到氨处理能提高SiO2 增透膜的机械性能,实际应用中应根据需要折中处理.     

SiO2气凝胶结构及其热学特性研究

以正硅酸四乙酯为硅源,通过溶胶－凝胶及超临界干燥过程制备了ＳｉＯ２气凝胶。用透射电镜、扫描电镜以及孔径分布仪对其结构进行了表征,并用稳态热线法对其热学特性进行了测试。     

恒栅流负电晕充电的Si基SiO2驻极体的电荷稳定性

本文讨论了在不同充电参数条件下的恒恒流电晕充电的Ｓｉ基ＳｉＯ２薄膜驻极体的空间电荷储存稳定性,并和栅控恒压电晕充电的结果进行了比较。利用电容－电压（Ｃ－Ｖ）分析技术确定了空间电荷重心的漂移,并利用等温表面电位衰减测量,开路热刺激放电实验及Ｃ－Ｖ分析技术讨论了Ｓｉ基ＳｉＯ２薄膜驻极体的空间电荷储存和输动特性。