氟离子场效应晶体管的研究

本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待测溶液交界面是一种非极性界面模型及等效电路,理论分析与实验结果相符。     

DNA场效应晶体管的研制

研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有待进一步研究的问题。     

DrugFET的研究（X）：μ—CD修饰离子敏感场效应晶体管的研究与应用

用β－环糊精修饰离子敏感场效应晶体管，研究了β－ＣＤ作为主体分子和一些管体分子的相互作用情况，麻黄碱与β－ＣＤ的相互作用，呈现良好的能斯特响应，斜率为５８ｍＶ／ｐＣ，线性范围为１．０×１０＾０￣４．０×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，适宜ｐＨ范围为４．８￣８．０，检测下限为２．０×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ。用该传感器分析盐酸麻黄碱片剂含量，分析结果和药典方法相一致。     

涂丝锰离子场效应传感器的研制

离子敏感场效应传感器(简称 ISFET)是1970年由 P.Bergveld 首先报道的,此后国内外不少学者如此做了研究。作者利用高锰酸十六烷基三甲基铵缔合物为电活性物质,用二正辛基苯基磷酸酯为增塑剂,研制成新型 Mn~(2+)-ISFET。经测定该器件的性能参数为:线性范围10~(-1)～3.2×10~(-4)mol/L,检测下限可达1.6×10~(-4)mol/L,灵敏度为29±1mV。     

脱落酸敏感场效应传感器的研制

脱落酸是一种植物抑制型的植物激素。它在植物组织中的水平与植物活跃生长成负相关。了解植物内源脱落酸的动态变化,以及在不同情况下,分别与赤霉素、生长素、细胞分裂素的拮抗作用。这对揭示植物激素如何调节和控制植物的生长、发育有着重要的意义。脱落酸在植物体内含量甚微,长期以来采用化学方法萃取,然后再用旋光色散,紫外分光,气液相色谱,生物鉴定等多种方法测定,这些方法都存在提取分离步骤繁多,专一性低,精确度差等缺点。1970年 P.Bergreld 首先报道研制成 H~+,Na~+—ISFET。随后在1975年 Moss 和 Janata 等     

一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管

提出一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管,分析肖特基势垒高度对该器件的影响。该TFET的势垒比传统肖特基势垒晶体管更低,利用了深肖特基势垒来克服由隧穿产生的电流;通过最大化源漏与硅体接触界面处的正向导通电流,即带带隧穿电流,利用辅助栅电极有效地抑制反向漏电流。和传统SB MOSFET或者JL FETs相比,此器件能实现低亚阈值摆幅、更小的反向偏置GIDL电流、高开关电流比,并使导通电流大于普通的TFET;其对称结构也使其与MOSFET技术更加融合。     

离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符.     

H+离子敏场效应传感器的SPICE模型仿真分析

本文从离子敏场效应晶体管(ISFET)的传感机理出发,利用计算机辅助设计软件(SPICE)建立了ISFET的物理模型。借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据取得了良好的一致性。     

一种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS晶体管模型

本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型。它以晶体管反型系数if为基础，表达式具有简洁的形式和良好的精度，并通过一个ADC电路中经常出现的简单共源极放大器的设计过程和仿真结果的对比分析，解释说明这个模型的具体应用。     

高低肖特基势垒无掺杂隧道场效应晶体管研究

基于高低肖特基势垒机理提出一种无掺杂的隧道场效应晶体管HLSB-TFET。该器件只需要一个具有独立电源的栅电极且无需掺杂。在源极与中间硅区导带之间形成高肖特基势垒,用来产生隧道效应作为正向导通机制;在漏极与中间硅区导带之间形成低肖特基势垒,用于防止由热离子发射引起的空穴。所提出的HLSB-TFET对空穴具有自然的阻挡效应,不会随着漏极到源极电压的增加而显著降低。经过仿真验证,该器件的亚阈值摆幅较低,反向漏电与静态功耗均较小,体现出较高的应用优势。     

ISFET 在FIA中的应用

本文介绍了把pH-ISFET用作检测器的单管道FIA测量系统,研究了该系统中流动注射参数的影响,探讨了标准曲线法与测量范围的拓展方法。研究表明,用ISFET作为FIA的检测器,与其它种类检测器的规律相似。FIA-ISFET系统具有测量速度快、样品与试剂用量少、重现性好及操作简便等特点。其测量范围和测量精度与ISFET的静态测量方法相同。     

离子选择电极流动注射分析法测定铜

本文用流动注射分析法测定了铜的浓度，检测系统由铜离子选择电极和饱和甘汞电极组成。为了获得稳定的基线，采用含１×１０＾－６ｍｏｌ／ＬＣｕ＾２＋的０．１ｍｏｌ／ＬＫＮＯ３溶液作为载流，文中考察了载流流速和溶液ｐＨ值对响应的影响，在选定条件下，用本法对含铜废水进行了分析，所得结果与分光光度法测定结果进行对照，颇为接近。本法的检测下限达０．２ｐｐｍＣｕ＾２＋进样频率６０样／ｈ。该法水质检验和环境监测中有一     

双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管研究

为在现有RFET产品基础上寻求改进,设计提出一种高集成的双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管（BSBRFET）,不同于传统异或非门电路,只用单个晶体管即可实现异或非逻辑门功能。采用完全肖特基接触,屏蔽掉热电子发射电流,以带带隧穿电流作为正向导通机制;引入浮动源极来存储、积累电荷。遵循BSBRFET工作原理和输出特性一致性,在实验中对其异或非功能做出验证。与传统RFET相比,此器件能实现更低的亚阈值摆幅、更小的反向偏置电流、更高的开关电流比,在能够实现NXOR逻辑功能同时,对于提高输出特性一致性也具有优势。     

氟离子敏场效应管的研制

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C,响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L。     

流动注射分析专家系统的自然语言理解

本文提出自然语言理解技术作为流动注射分析专家系统的人机交互模式,并对自然语言理解程序的三个组成部分—词法分析、语法分析和语义分析的具体实现方法进行了阐述。同时说明了如何用PROLOG语言设计流动注射分析专家系统的自然语言理解模块。     

流动注射分析仪控制器的改进

流动注射分析仪控制器以8031单片机为CPU,8279为键盘/LCD显示接口,用7135作为A/D转换器.程序开发以上述硬件为基础,提供多种灵活控制,使水质分析操作由采样、加试剂、反应、显色、测光度至计算出水质含量全过程实现自动化.通过打印机绘图和LCD显示,提供人机会话功能.     

用于改良性能和集成密度的双层场效应晶体管制作方法

项目简介：本技术主要是为了克服尺寸的界限，并且降低半导体生产过程中的制造成本。     

基于虚拟仪器技术的流动注射分析系统的研制与应用

研制了一种基于虚拟仪器技术的流动注射分析系统。在LabVIEW软件平台上,构建了由研华ADAM-4017数据采集模块、Atme189C51单片机、7．22分光光度计以及微机等组成的硬件平台,并开发了一套完整的控制和分析软件,实现了信号采集、数据显示、流路控制和数据储存等功能。将该系统应用于停流-催化光度法以测定痕量酚,实验结果表明,其线性相关系数为0．9992。该系统不仅易于研究流动注射分析中的各种检测方法和数据分析方法,而且为研发适于现场监测的全自动流动注射分析测试方案提供了良好的平台。     

离子敏场效应晶体管(ISFET)在流动注射分析(FIA)中的应用

<正> FIA是近年来出现的一种新的化学分析技术,它的特点是分析速度快,消耗试样少,适用性强及自动化程度高等,许多分析化学中的检测技术都已成功地应用于FIA中。但由于普通的离子选择电极敏感部分体积一般都比较大,与FIA的小管道不相适应,因此,它在