2位GaAs超高速模-数转换电路的设计与制作

模数(A-D)转换电路是信号处理系统中的一种关键性元件。本文结合现有GaAs起高速集成电路工艺,提出了一种2位GaAs A-D转换电路的设计方法,并制作出了单片形式的2位GaAs A/D转换电路。实验结果表明,该电路能正常工作在1Gs/s的转换速率下。它的转换时间小于1.0ns,电路功耗不高于340mW。这说明它在速度和功耗方面已展现出比Si双极电路更为广阔的发展前景。     

超高速GaAs IC研制动态

本文叙述了最近几年国外研制超高速GaAs器件和IC的成果以及开发新技术的状况。     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓ ＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟的１００ｐｓ、单门功耗的１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型Ｄ     

GaAs超高速集成电路的发展与展望

概述了ＧａＡｓ超高速集成电路的现状与发展趋势，介绍了门阵列，Ａ／Ｄ（Ｄ／Ａ０转换器，ＭＵＸ／ＤＥＭＵＸ以及异质结器件的发展和应用前景。     

GaAs与Si超高速数字集成电路的性能比较

本文介绍了GaAs与Si超高速数字集成电路(数字VHSIC)目前的进展情况。从材料特性、器件结构及高速集成电路的应用等方面对GaAs与Si数字VHSIC的性能进行了初步比较。探讨了GaAs与Si数字VHSIC的发展潜力及存在的主要问题。     

SZ541和SZ551型GaAs高速分频器

本文叙述了SZ541和SZ551分频器工作原理、电路设计和制作工艺技术。电路采用全离子注入平面工艺,L_g为0.6～0.8μm.SZ541GaAs静态分频器可从DC到3GHz工作。SZ551GaAs动态分频器工作带宽为0.5～4.5GHz。     

GaAs超高速集成电路的发展与展望

概述了ＧａＡｓ超高速集成电路的现状与发展趋势,介绍了门阵列、Ａ／Ｄ（Ｄ／Ａ）转换器、ＭＵＸ／ＤＥＭＵＸ以及异质结器件的发展和应用前景。     

一种超高速10位D/A转换器的设计

设计了一种超高速差分电流舵10位D/A转换器.该D/A转换器电路由8路分时复用器、5-31"温度计"译码器、快速转换电流开关和恒流源阵列等单元组成,采用0.35 μm SiGe BiCMOS标准工艺制造.该10位D/A转换器的数据更新率达到1 GSPS.介绍了电路实现原理和各单元的结构及设计思想,给出了电路仿真结果,并对实际电路进行了测试和分析.结果表明,该10位D/A转换器具有精度高、速度快、通用性强等优点.     

高速14位A/D转换器的动态测试平台设计

研究了高速A/D转换器动态参数测试方法,设计了基于Quartus Signaltap的测试平台。利用该平台对一款14位80MS/s的A/D转换器芯片进行动态参数测试。测试结果表明,该平台方案可行、操作简便、实时性强,适合于高速高精度A/D转换器的动态参数测试。     

一种高速电流型CMOS数模转换器设计

利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析 ,并把器件的网络参数和物理参数相结合 ,来对器件的最小噪声系数进行计算和分析 .     

超高速门阵列及设计

本文简介了超高速门阵列的概念、应用及国内外发展水平。对其布局及布线方法进行了讨论。并给出了典型的超高速门阵列的单元库。     

减小双极超高速IC尺寸的技术

本文详细叙述了减小双极超高速IC器件的横向尺寸和纵向尺寸的技术,着重在多晶硅基极接触、多晶硅发射极接触、开槽隔离方面作了具体介绍;对八十年代具有代表性的先进双极工艺,如PSA、SICOS、SST、SDK和深槽隔离技术作了详尽的叙述。最后,比较了采用这些工艺所制造的双极器件及电路的性能参数。     

GaAs超高速集成电路的发展与市场

综述了近年来以 HBT、MESFET及 HEMT为基本单元的 Ga As超高速集成电路的发展情况 ,并对其市场的应用作一介绍。     

高速激光驱动器GaAs集成电路

介绍了用于高速光纤通信系统的具有ＮＲＺ／ＲＺ变换选择的激光二极管驱动器ＧａＡｓ集成电路设计。