高产率低成本激光合成硅基纳米陶瓷粉

本文采用激光诱导大分子有机硅熔（ＨＭＤＳ）气相反应，通过加入附加反应气和工艺参数的优化控制，在不同合成条件下制得单相非晶Ｓｉ３Ｎ，β－ＳｉＣ纳米粉和宽组份变化范围的ＳｉＮｘＣｒ纳米复合粉（平均粒径：１０－３０ｎｍ），与通常采用的硅烷相比，采用此有机硅烷激光合成在等同实验条件下粉产率可提高３－５倍，成本降低１倍，且具有粉体组成，结构易于控制等优点，是一种具有商业化应用前景的高性能硅基钠米陶瓷粉制备技     

镍包硅导电纳米导线

美国哈佛大学制成了用于计算机电路的导电纳米线，这是一种直径20m的硅线外包以镍在550℃加热制成的。这种硅化镍线的电导率非常高。如果仅将部分硅线包上镍，则可制成一部分是硅，而另一部分是镍一硅的导线。这种导线可用于当前半导体硅器件的连线。     

硅基太阳能电池与材料

综述了近年来国内外硅基太阳能电池及其材料的研究和发展现状；探讨了硅材料的制备工艺与材料的性能，以及采用它们所生产电池的优势与不足；并展望了硅基太阳能电池的发展趋势。     

美科学家开发制备纳米复合材料的新方法

美国科学家利用蜘蛛丝和生物硅土制造出极强的复合纳米材料，这种材料增强了丝的弹性与抗拉强度和硅土的硬度。马萨诸塞州Tufts大学的David Kaplan及其同事利用遗传工程来克隆蜘蛛丝蛋白，该蛋白可以形成薄膜和纤维。在水溶液中，将这种材料和来自硅藻属的生物硅土相混合，可以制备有特殊性能的纳米复合材料。研究人员发现这种椭圆型的颗粒可以黏附到蛋白质纤维上。     

硅基材料的发光特性及机理

硅基发光材料及器件是实现光电子集成的关键,文章介绍了目前取得较大进展的包括多孔硅,掺铒硅,钠米硅等几种主要硅基材料的发光特性及发光机理。     

高分子基纳米复合材料的研究进展

高分子基纳米复合材料是一种性能优异的新型复合材料。本文着重介绍了高分子基纳米复合材料的制备、表征及应用     

新工艺：美国成功将碳纳米管与金属纳米导线连接

据有关媒体报道，美国研究人员表示，他们找到了一种能将碳纳米管和金属导线相连接的新工艺，并用它研制出结合了碳纳米管和金属纳米导线最佳特性的纳米导线。新工艺有望帮助人们克服碳纳米管在计算机芯片、传感器和许多其它电子设备应用方面存在的主要障碍。该研究成果报告刊登在最新出版的《应用物理快报》上。     

纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展

本文阐述了大直径硅单晶的生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状；讨论了应变硅与绝缘体上硅（SOI）相结合的发展趋势；展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景。     

一维,二维和三维Si基纳米线的制备

在Ar气氛中，SiC粉末分别在Fe、Co、Fe：Co(1：1)的催化下，经一步反应制备了一维、二维和三维si基纳米线。SEM、HRTEM、EDX分析表明一维线状和二维网状Si基纳米线由C、Si、O组成，存在两类纳米线，一类是SiO，包裹的Si纳米线；另一类是SiO，包裹的SiC纳米线。三维Si基纳米线组成象花一样的结构，仅由SiOx组成。SiOx和Si是无定形结构，SiC是β-SiC单晶。     

纳米集成电路用大直径硅及硅基材料研究进展

本文叙述了大直径硅单晶生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状,讨论了应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合的发展趋势,展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景.     

纳米储氢合金制备方法的研究进展

纳米储氢合金的热力学与动力学性能明显超过了相应的微米级合金 ,引起了储氢合金研究者的关注 ,而目前纳米储氢合金的制备方法仅集中于球磨法。本文总结了纳米储氢合金颗粒与复合材料的制备方法 ;并从纳米材料制备技术的角度 ,对潜在的纳米储氢合金的制备方法进行了评述     

高产率低成本激光合成硅基纳米陶瓷粉

本文采用激光诱导大分子有机硅熔（ＨＭＤＳ）气相反应，通过加入附加反应气和工艺参数的优化控制，在不同合成条件下制得单相非晶Ｓｉ３Ｎ４，β—ＳｉＣ纳米粉和宽组份变化范围的ＳｉＮＸＣＹ纳米复合粉（平均粒径：１０－３０ｎｍ）。与通常采用的硅烷相比，采用此有机硅烷激光合成在等同实验条件下粉产率可提高３－５倍．成本降低１倍，且具有粉体组成，结构易于控制等优点，是一种具有商业化应用前景的高性能硅基纳米陶瓷粉制备技术。     

单壁纳米碳管增强纳米铝基复合材料的制备

将用氢电弧法制备的单壁纳米碳管（SWNTs）提纯后与纳米Al粉体混合，在室温下冷压成型，再在260～480℃真空热压处理，制备出相对密度大于90%，SWNTs弥散分布于纳米Al基体中的单壁纳米管增强纳米复合材料，含量为2.5%（质量分数）的SWNTs对纳米Al基体的增强效果约为55%，SWNTs/纳米Al复合材料的硬度随热压温度的升高而增加，热压温度为380℃时硬度达到峰值2.21GPa，大约是粗晶Al的15倍，比同样温度热压出来的纳米Al块体的硬度高36.4%。     

电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究

应用超高真空电子束蒸发方法，以铁作为催化剂，在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征，测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10—35nm的锥状纳米结构，并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能，发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。     

硅基纳米结构太阳电池研究新进展

由于原材料蕴藏量非常丰富以及对环境无毒友好的特点,硅基太阳电池不仅在当前,而且在今后都将是光伏太阳电池的主流。传统晶体硅电池光电转换原理决定了其转换效率不可能在短期内有较大提高。基于量子限制原理的纳米结构材料具有独特的性能,能够实现全新结构的超高效率的光伏太阳电池。文章介绍了硅基太阳电池研究方面的一些最新研究进展,并指出了未来一些可能的发展方向。     

LICVD纳米硅和纳米氮化硅的制备、结构与物性研究

从制备过程、结构表征和物理性能三个方面对激光诱导化学气相沉积(LICVD)纳米硅和纳米氮化硅进行了比较系统的研究,获得了一系列有意义的结果。 选择适当的制备工艺参数可以制得不同粒径的纳米硅和纳米氮化硅,粒度分布比较均匀。纳米硅是结晶的,粒度为14～100nm。纳米氮化硅是非晶的,粒度为7～18nm。利用光学二步法能够制备高纯的理想化学计量的纳米氮化硅粉末(Si59.80wt％,N39.49wt％,O0.69wt％),N/Si高达1.321,非常接近于理想值(1.333)。 纳米硅具有类似于c-Si的晶格和键合结构,存在Si—Si、Si—H、Si—O—Si、Si—OH等键和硅悬挂键(Si_3Si~0)。纳米氮化硅具有短程有序结构特征(SiN_4),并且存在Si—N、Si—Si、Si—H、N—H、Si—O—Si和Si—OH等键和硅悬键(N_3Si~0)。 纳米硅具有不同于c-Si和a-Si的介电特性,提出了界面极化对介电特性起着主要贡献的模型,解释了在低频端具有很大的介电常数。首次发现nc-Si粒子光学吸收特性发生显著变化的临界尺寸(粒径)为～30nm,小于该粒径时其光学带隙明显加宽;粒度为15nm时,出现明显的吸收峰(5.77eV、4.28eV、3.46eV)。 首次发现纳米氮化硅具有强压电性和介电性。界面极化在介电特性中起着主导作用,使得纳米氮化硅呈现出许多奇异的新特性。对纳米氮化硅介电特性的应     

一维硅锗纳米复合材料的制备及在场效应晶体管中的应用

一维硅锗纳米复合材料，主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管，具有优异的电学、光学等性能，易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容，所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。总结了一维硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法，重点评述了在纳米场效应晶体管中的应用，并对其研究前景做了展望。     

PCVD法制备硅系纳米复合薄膜材料

纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点,成为重要的前沿研究领域之一.其中半导体纳米复合材料,尤其是硅系纳米复合薄膜,由于具有独特的光电性能,加之与集成电路相兼容的制备技术,有着广泛的应用前景.近年来关于纳米复合薄膜的研究不断深入,但仍有许多问题没有完全解决.本文围绕硅系纳米复合薄膜的材料特点,说明了等离子体化学气相沉积(PCVD)技术的工作原理和装置结构,以及该技术在硅系纳米复合薄膜制备中的独特优点.并以氮化硅薄膜为重点,介绍纳米复合薄膜材料的PCVD制备技术.文章最后对硅系纳米复合薄膜的在光电技术等各个领域的应用前景做了一些展望.     

多孔硅的制备方法和成核机制

目前多孔硅研究已经成为众多研究者关注的热点之一，它在微电子机械、激光器、探测器、传感器、燃料电池，太阳能电池等许多领域具有巨大的应用替力。首先陈述了常见的多孔硅制备方法，其中超声声空化物理化学综合法将光致发光峰半峰宽压缩至3．8mm的报告振奋人心。随后引出比较流行的3种多孔硅成核机制模型，量子限制模型得到大多数的认可。最后，分析了最近国内外多孔硅的研究和应用情况，并指出尺寸厚度精确可控、机械硬度高、孔隙分布均匀、发光稳定性高的多孔硅依然是制备工艺追求的目标。     

电子束再结晶法制备的纳米硅薄膜室温光致发光特性

用电子束再结晶的方法对非晶硅氢材料进行快速退火,成功地制备出纳米硅薄膜,在室温下观察到光致红、蓝发光带,峰位约在１．７ｅＶ和２．５ｅＶ处,ＸＲＤ和ＰＬ谱结果表明：晶化程度的变化引起红、蓝光带强度及在整个发光谱中所占比例的改变,在我们的实验中,电子束能量密度２．７Ｗ／ｃｍ＾２的晶化样品具有强的发光带。