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随着集成电路(IC)的发明,系统集成技术进一步加速了半导体的发展。 现在在一个芯片或者说一个单元上,需要集成不同的功能,例如:MPU、图像处理、存储器(SRAM,闪存,DRAM)、逻辑推理器、DSP、信号混合器、射频(RF)和外围功能。为了能 相似文献
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相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质.为了制备基于VO2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO2薄膜,再通过直流磁控溅射法制备VO2薄膜,并在TiOJFTO复合薄膜上形成VO2/TiO2/FTO微结构,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪和半导体参数测试仪表征分析微结构的结晶和非易失性相变存储特性.结果表明,N2和O2的体积流量比为60∶40时,在TiO2/FTO上可生长出晶向为〈110〉的高质量VO2薄膜,在VO2/TiO2/FTO微结构两侧反复施加不同的脉冲电压,可观测到微结构具有非易失性相变存储特性,在67,68和69℃温度下的相变阈值电压分别为8.5,6.5和5.5V,相比多层膜结构的相变阈值电压降低了约37%. 相似文献
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电可改写集成电路(Electrically Erasable integrated circuit,EEIC)包括电可改写可编程只读存储器(EEPROM),闪速存储器(Flash memory)和可编程电可改写逻辑器件(Programmable Electrically Erasable Logic Device,PEELD)三大类。电可改写集成电路的早期产品是EEPROM。EEPROM的问世,主要是解决EPROM擦除困难及成本高的问题。闪速存储器是1987年提出来的,是EEPROM走向成熟与半导体生产技术发展到1微米以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产 相似文献
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<正> TSMC(台湾集成电路)、UMC(联电)、PSC(力晶)等台湾半导体厂家预定2001年底逐渐开始生产φ300mm 硅片。为了能够确保日本和美国的半导体厂家和设计公司委托的生产量,通过合资和共同开发的形式,逐渐确立起与上述台湾半导体厂家之间的协作环境。对于与世界上φ300mm 硅片相对应的半导体厂家来说,台湾正在变成试生产的实验场和生产基地。对于 TSMC 来说,由于半导体工厂生产奶φ300mm硅片会冒很大风险,因此他们可望与具有 IC 设计公司和高水平生产技术的美国半导体厂家合作起来共同开发新产品,并可望工厂在生产φ300mm 硅片时能提高 相似文献
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《电子工业专用设备》2014,(5):56-60
正1半导体产业生态环境半导体产业诞生于20世纪70年代,当时主要受两大因素驱动:一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器;二是为满足企业开发具备特定功能的新产品而快速生产的专用集成电路。到了80年代,系统规范牢牢地掌握在系统集成商手中。存储器件每3年更新一次半导体技术,并随即被逻辑器件制造商采用。在90年代,逻辑器件集成电路制造商加速引 相似文献
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《电子工业专用设备》2010,(7):65-65
<正>世界顶尖的低功率铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation宣布其1兆位(Mb)、2.0~3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G,业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证,这一严格的汽车等级认证,是汽车电子设备委员会(Automotive Electronic Council)针对集成电路而制定的应力测试认证。 相似文献
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<正> 目前,通用的标准数字集成电路,如74系列、4000系列、14500系列,已广泛用于业余制作和一般产品中。这些集成电路通常都是小规模集成电路(SSI)或中规模集成电路(MSI)。 除此之外,在数字电路家族中有一类专用集成电路(ASIC)。专用集成电路,电子爱好者用得不多,主要是批量生产厂家使用。在复杂的电路系统中,往往用到许多块集成电路,使印刷电路相对复杂,占用印刷电路板面积大,可靠性下降。如果要改进电路,则需要重新设计电路板,生产厂家为了解决这一问题,可以根据自己的需要,向集成电路厂家提出要求,由集成电路厂家设计专用集成电路,然后再试制、批量生产。通常,专用集成电路的设计周期和生产 相似文献
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