分子束外延ZnSe/ZnSxSe1-x超晶格光学特性

用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的ZnSe/ZnSxSe1-x(x=0.12)超晶格结构，通过X射线衍射谱和光致发光谱，对其结构特性和光学特性进行了研究。结果表明：在4．4K温度下，超晶格样品显示较强的蓝光发射，主发光峰对应于阱层ZnSe的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ZnSe薄膜的自由激子峰有明显蓝移。从理论上分析计算了由变就和量子限制效应引起的自由激妇峰位移动，理论和实验结果相吻合。     

分子束外延ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)超晶格光学特性

用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,主发光峰对应于阱层 Zn Se的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁 ,而且其峰位相对于 Zn Se薄膜的自由激子峰有明显蓝移 .从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动 ,理论和实验结果相吻合     

分子束外延ZnSe/ZnSxSe1-x超晶格光学特性

用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的ZnSe/ZnSxSe1-x(x=0.12)超晶格结构,通过X射线衍射谱和光致发光谱,对其结构特性和光学特性进行了研究.结果表明:在4.4K温度下,超晶格样品显示较强的蓝光发射,主发光峰对应于阱层ZnSe的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜的自由激子峰有明显蓝移.从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动,理论和实验结果相吻合.     

分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格

提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。     

应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的电镜和光谱研究

用光调制反射谱和透射电镜技术研究分子束外延生长的应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs,并讨论了实验结果。     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究

用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。     

分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格

一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm~2/V·s,空穴浓度为3—5×10~(14)/cm~3。     

分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光

在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２，在此基础上生长了Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格并观察到其光致发光（ＰＬ）谱     

Pb_(1-x)Eu_xTe薄膜及PbTe/Pb_(1-x)Eu_xTe超晶格的分子束外延及特性研究

用MBE技术外延生长了Pb_(1-x)Eu_xTe薄膜及PbTe/Pb_(1-x)Eu_xTe超晶格。对单层薄膜进行了红外透射谱及光激瞬态电流谱的测量。对超晶格材料进行x光衍射测量。结果表明材料的性能优良。     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs Solar Cell Grown by Multi-substrate Liquid Phase Epitaxy

A novel horizontal push-pull multi-substrate epitaxy boat with three separate cells is introduced in this article, with which multi-substrate LPE processing is feasible in horizontal LPE furnace. The processes of LPE Al_xGa_(1-x))As/ GaAs solar cells are studied and the efficiency of the solar cells achieved 19.8% (AMO, 25℃, 120 mW/cm~2).     

半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)的分子束外延生长

用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为 85 0 nm.由实验表明 ,19个周期的反射镜获得了高达 99%以上的高反射率 .与此同时 ,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成 15 μm× 15 μm的正方形电流注入区 ,以此测定 P型反射镜的串联电阻 ,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点 ,实验得出此 P型反射镜的串联电阻仅为 5 0 Ω 左右 .在生长过程中 ,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中 ,生长这种半     

GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模

本文报道GaAs/Al_xGa_(1-x)As短周期超晶格结构中的纵光学声子模的室温Raman散射测量结果。除了限制在GaAs层中的GaAs LO限制模外,我们还首次观测到限制在Al_xGa_(1-x)As混晶层中的类AlAs LO限制模。根据线性链模型,我们把测量到的LO限制模的频率按照q=m/(n+1)(a_0/(2π))展开,给出了Al_xGa_(1-x)As混晶的类AlAs LO声子色散曲线。     

Al_xGa_(1-x)N and GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Wells Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

ＧａＮａｎｄＡｌｘＧａ１－ｘＮａｒｅｐｏｔｅｎｔｉａｌｍａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒｕｓｅｉｎｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓａｎｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓ,ｓｈｏｒｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｌａｓｅｒｓａｎｄｈ...     

新一代STE分子束外延系统(英文)

Method of Molecular Beam Epitaxy (MBE) is based on the growth of semiconductor layers by effusion source components evaporation under ultrahigh vacuum (10～11 Torr), so the flow of growth components in space occurs in the molecular beam mode. To ensure UHV and the required purity of the process (besides oil-free pumping system: turbo molecular pumps, ion pumps, cryopumps), cryopanels built into the growth reactor and filled with liquid nitrogen are used. Sources and wafer strong heating, integrated research methods, necessity of precision wafer mechanical movement between chambers in UHV conditions mean the complexity of equipment. As a result, MBE systems are produced only by a few companies in USA and Europe. In Russia, serial production of such equipment begun in 80's but in mid 90's was widely discontinued.     

MBE生长的InSb和InASxSb1—x的载流子浓度剖面分布

在(111)InSb 和(100)GaAs 衬底上,用分子束外延技术生长了 InSb 和 InAs_xSb_(1-x)外延层。用自动电化学 C—V 法测量了外延层的载流子浓度剖面分布。结果表明:(1)外延层呈 P 型;(2)InSb/GaAs 异质外延层的载流子浓度为(1～2)×10~(16)cm~(-3),比相应的同质外延层 InSb/InSb 的(1～2)×10~(17)cm~(-3)小一个数量级;(3)生长层的载流子浓度剖面分布和质量取决于衬底表面的制备。讨论了有关问题。     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

Characterization of GaNxAs1-x Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy

The GaNxAs1-x alloy has been investigated which is grown on GaAs (100) substrate by molecular beam epitaxy with a DC-plasma nitrogen source. The samples are characterized by high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and low temperature photoluminescence (PL) measurements. Both HRXRD and PL measurements demonstrate that the crystalline and optical qualities of GaNxAs1-x alloy degrade rapidly with the increase of N composition. The nitrogen composition of 4.5 % can be obtained in GaNxAs1-x/GaAs quantum well by optimizing growth conditions,through which a photoluminescence peak of 1201nm is observed at a low temperature (10 K). The dependence of GaNxAs1-x band gap energy on the nitrogen composition in this investigation corresponds very well with that of the theoretical one based on the dielectric model when considering the effect of the strain. At the same time,we also demonstrate that the bowing parameter of GaNxAs1-x alloy is composition dependent.     

Characterization of GaNxAs1-x Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy

Ga Nx As1 - x,the combination of small amount of nitrogen and Ga As,has beenexperimentally observed with the band gaps several hundreds me V lower than that ofGa As[1～ 4] .The alloy has attracted considerable attention in the applicat...