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报道了用X射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置(BSRF)3BIA光刻束线获得的0.5μm的光刻分辨率的实验结果。 相似文献
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移相掩模技术 总被引:1,自引:1,他引:0
孙再吉 《固体电子学研究与进展》1992,12(3):275-280
对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2~0.3μm LSI的设计。 相似文献
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通过对光刻系统中光学成像系统的模拟,提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法,并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程.建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型,有助于开发由成品率驱动的版图设计工具,自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务. 相似文献
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最新大焦深超高分辨率的成象技术NIKON公司该公司在革新的照明系统基础上确立了一项新的光刻技术即SHRINC(照明控制的超高分辨率)。针对(一次版)间距产生的1级衍射光角度,进行照明系统的最佳设置,使SHRINC提高了分辨率和焦深(DOF)。通过计算... 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》2000,(7):48-48,58
光刻的不断改善已使大量制造特征尺寸小至 0 .1 8μm的半导体芯片成为可能。由于对空前计算能力的需求 ,迫切需要开发使光刻推广到更小线宽的技术。光学材料和透镜设计的限制要求这种最新技术具有使分辨率超过采用铬玻璃掩模和轴上照明的标准光刻系统的诀窍。诀窍的若干内容是相移掩模、各种类别的离轴照明和光学贴近校正。现在一种新增诀窍称为成像干涉光刻 ( ILL)术。图 1 成像干涉光刻光学系统的入瞳光阑含有通过x和 y零级光束的两个针孔 ,模拟正交零级光束的挪开和重新组合由新墨西哥大学 S.Brueck和他的研究组发展的成像干涉光刻术… 相似文献
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随着器件特征尺寸的不断减小,传统光刻技术的加工分辨率受限于衍射极限已接近使用化技术的理论极限且成本过高。无掩模光刻技术是解决掩模价格不断攀升而引起成本过高的一种潜在方案,以成本低、灵活性高、制作周期短的特点在微纳加工、掩模直写、小批量集成电路的制作等方面有着广泛的应用。基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术在提高分辨率和产出率方面取得了一定的进展,理论和实验上均取得了较好的效果。详细归纳介绍了基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术的原理、特点以及研究进展。 相似文献
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本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法:相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理,提出了相移掩模成像的模拟思想,推导了数学公式,并实现了计算机模拟,给出了一些初步结果。 相似文献
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衍射光学元件在无掩模光刻中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消除措施,表明了波带片光刻有光刻对比度和高光刻分辨率受限于最小结构尺寸两个技术难点。对比介绍了多孔透镜的结构和衍射聚焦原理,论述了利用多孔透镜抑制高级衍射焦点和焦平面上次级大的特性,可以提高光刻对比度、提高光刻分辨率、克服波带片受限于最小结构尺寸的缺点。 相似文献
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最近几年中提出了几种用于光学光刻的新方法,包括移相掩模技术、斜向照明、环形照明、FLEX和Super-FLEX等,这些方法提高了光学投影光刻的分辨率,并改善了一定特征尺寸下的焦深,期望它们可以将现有的i线步进机的用途扩展到制造最小特征尺寸为0.3μm的半导体器件。本文介绍了这些方法的基本原理、效果和应用状况,并讨论了实用中的关键问题。 相似文献
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高分辨率是现代彩管的追求目标之一,而莫尔效应又是一个十分令人讨厌的现象。从某种意义上,二者之间存在着相互制约关系。本文在以前对荫罩二维特性的研究基础上,详细分析了彩色显像管荫罩的调制特性及电子束扫描调制特性,及其在显示分辨率、莫尔效应等特性分析中的应用。着重对电子束有效扫描节距及荫罩的纵向节距和槽宽与这些特性的关系进行了研究,并对显示分辨率的评价、荫罩节距的设计进行了讨论。在上述基础上,得出了一些不仅在理论上而且在实用上都具有重要价值的结论。 相似文献
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掩模光刻机中找平控制研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基片与掩模版(或找平版)找平技术是掩模光刻机中的一个关键技术,找平的结果直接决定了光刻机的分辨率精度。找平的目的就是要实现掩模版平面和基片平面的平行,实现基片与掩模版在移动到设定的一个微小间隙后,基片上的各点到掩模版的距离相同,从而保证基片上图形的一致性,提高设备的分辨率。找平过程的控制主要在对找平的判断、压力采集反馈、找平压力的控制等方面。 相似文献
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本文以PLA-501F光刻机为例,研究如何使光刻机的分辨率和对准精度得到充分发挥。指出了光源、光刻胶、滤光片和主物镜的相互匹配是充分发挥光刻机分辨率的关键问题;在提高光刻工件的对准精度方面,牵涉到母板的套准图形设计及对准时的技巧。本文还分析了接近式曝光和接触式曝光的主要优缺点。 相似文献