片状固态磷扩散源的应用

在半导体集成电路工艺中,很重要的步骤就是有选择性地在半导体中掺入N型或P型杂质。磷扩散就是为了形成高浓度的N~+区,制作双极NPN晶体管的发射极E和集电极C的接触区,PNP晶体管的基极接触区,以及单极JFET的源漏接触区,P沟道JEET的栅极接触区,还有夹断电阻的夹断区等。所以磷扩散是集成电路工艺中的重要工艺之一。在磷扩散中用的磷源通常有两种,一种是液态源,就是采用三氯氧磷作杂质源,在     

金属材料连接的新方法——常温压接法

一、常温压接的机理(见附图)常温压接法是近几年发展起来的连接金属的新方法。当两种金属材料(同种或异种)接合面间接近到A(埃)单位距离时,靠原子间引力的作用,使金属得到结合。压接初期的接合面是许多微小凸凹不平的点与点接触,这些接触点承受着非常大的压力而发生变形,使接触点间残留的氧化膜等杂质压碎,接合面达到真实的接触。然后,在强大的外力作用下,接合面的原子发生了位移和形成原子空     

高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析

VG9000辉光放电质谱(GDMS)高的灵敏度和全元素覆盖的本领是其他分析手段无法比拟的,其检测限可达到10×10-15的量级,并且,VG9000 GDMS的一次分析即可得到包括常、微、痕、超痕量元素分析在内的全部测试结果.无疑,GDMS是高纯固体材料多元素分析的最强有力的手段之一.有研究表明:在其制备过程中有可能引入致命杂质.比如用垂直布里奇曼方法生长碲锌镉单晶[1],由于生长温度很高,石英容器中的Cu会向CZT中扩散,现已通过石英管内壁熏碳和镀BN的工艺有效地抑制了容器杂质的扩散[2].本工作拟对Ⅱ～Ⅵ族化合物半导体主要的原材料Te中杂质进行辉光放电质谱测试,并对相关结果进行了讨论.     

埃马克太仓新工厂盛大开业

正为了更深入地扎根中国市场,更全面地满足用户实际需求,更快更及时地响应服务用户,2018年12月7日,全球领先的金属加工解决方案供应商埃马克集团将其太仓工厂移址新居,不仅厂房面积翻倍,服务功能也得到全面升级。为此埃马克举办了盛大的开业典礼,同期还举行了第七届埃马克技术博览会,在展示多种创新技术与产品的同时,还聚焦新能源汽车等当前热门行业的多样高效解决方案。埃马克集团高层管理人员、     

全息凹面光栅光谱仪信号复原技术研究

全息凹面光栅光谱仪的成像系统存在较大慧差,传统光谱信号复原技术中被经常用来近似冲击响应的高斯型点扩散函数不再适用。提出了一种改进的点扩散函数模型可以有效的近似全息凹面光栅光谱仪的冲击响应,利用低压汞灯作为输入光源,测量全息凹面光栅光谱仪的点扩散函数,拟合出冲击响应的近似解,通过基于泊松随机场的反卷积算法对光谱信号复原。实验结果表明了改进模型相对于高斯模型的优越性。     

硅光电池工作原理

硅光电池是一种把光能转换为电能的敏感元件。其结构示意图见图1。它是在 n 型单晶硅片的一个表面上扩散入 P 型光敏杂质而制成。p 型层很薄,仅有几微米。该表面是受光     

可在高温条件下工作的压力传感器

一、引言 扩散硅固态压力传感器,由于体积小、重量轻、精度高、动态响应快而广泛使用于宇航、化工、气象、水文、航海和工业系统中。但是由于这种传感器是采用扩散法,在半导体衬底上做电阻,采用p-n结隔离,故     

工艺快速扩散系统的研究

在充分分析我国军工企业实现快速扩散制造的基础上，研究了工艺快速扩散的体系结构、功能以及基于B／S结构的扩散流程。同时，通过工艺快速扩散系统与某航天企业工艺数据的集成，缩短了生产准备时间，保证了扩散任务的质量，能够满足军工企业快速响应制造的需求。     

使用带微板流路控制的气相色谱分析异戊二烯中微量杂质

聚合级异戊二烯需检测微量杂质多,且多为碳五二烯烃或炔烃,杂质沸点与异戊二烯相近,异戊二烯本身会掩盖大部分杂质峰,且杂质分离度差,使用单柱或单一的阀切割技术无法准确定量,本实验采用带微板流路控制系统(Deans Switch)的气相色谱仪,进行无死体积的多次分段切割,实现了异戊二烯中微量杂质的准确定量。     

制药设备设计制造对“ICH Q3D元素杂质指导原则”的响应

ICH委员会于2015年9月发布了"Q3D元素杂质指导原则"(Q3D Elemental Impurities Guldance For Industry),提出对于潜在存在于药物中的元素杂质需进行定性和定量分析评估,并限制最低元素杂质含量。如何应对ICH颁布的这一原则,不仅引起了制药企业的重视,不少制药设备制造企业也开始关注ICH Q3D的相关内容。现就ICH Q3D相关内容以及设备制造企业如何响应"Q3D元素杂质指导原则"作一初步解读,供制药设备制造行业的同仁参考。     

一种铝合金扩散焊接工艺方法研究

为了满足雷达产品构件高可靠性、高精度的工艺制造需求,文中对可热处理强化铝合金6063 铝合金的试板以及雷达产品结构相关样件开展了扩散焊接试验。焊接前对试样进行了表面清理以去除表面杂质和氧化膜等,焊接后对样件开展了尺寸检验、密封性测试、强度测试和金相检测测试,评判焊缝质量。样件加强筋处在焊接后出现了明显的变形,变形和下压量成一定比例。样件密封性满足产品要求,试板平均抗拉强度为169.3 MPa。金相检测中有局部孔洞缺陷,这和扩散时间不够充分或界面夹杂物太多导致焊接面的晶界迁移不够充分有关,因此扩散焊接中零件的表面状态和焊接工艺参数的合理选择对焊缝接头的质量至关重要。     

纳米家电：一场技术革新

纳米是什么 ?纳米其实是一个长度单位 ,1纳米等于十亿分之一米 ,或 1 0埃 ;纳米技术是研究物质在 0 1纳米到 1 0 0纳米 ,即 1埃到1 0 0 0埃之间的物质世界的一门高新技术 ;所谓纳米家电 ,就是采用纳米技术生产出的家用电器。在纳米的世界里 ,物质发生了质的飞跃。如导电性能良     

产超广谱β-内酰胺酶大肠埃希菌儿童尿路感染临床特点及耐药监测

目的:分析产超广谱β-内酰胺酶(ESBLs)大肠埃希菌儿童尿路感染临床特点,监测其耐药情况。方法:选取2015年1月至2016年12月3309例尿路感染患儿,鉴定其中段尿菌株分布,计算产ESBLs大肠埃希菌占比,比较产ESBLs大肠埃希菌、非产ESBLs大肠埃希菌感染患儿临床特点,并监测产ESBLs大肠埃希菌耐药情况。结果 :患儿致病菌以革兰阴性菌为主,占76.91%,其中大肠埃希菌1901株,占57.45%;1091例大肠埃希菌感染患儿中,共有805例检出ESBLs,占73.79%。回归分析显示培养前使用抗生素、发热、血CRP升高及尿路异常是预测产ESBLs大肠埃希菌感染的预测因素(P<0.05)。产ESBLs大肠埃希菌对氨苄西林、哌拉西林、氨曲南、头孢噻肟、头孢唑林、头孢曲松、头孢他啶、头孢吡肟完全耐药,对阿米卡星、哌拉西林/他唑巴坦、头孢西丁、替卡西林的耐药性较低,对亚胺培南完全敏感。结论 :尿路感染患儿致病菌以大肠埃希菌为主,且产ESBLs大肠埃希菌占比极高,根据患儿临床特点预测其产ESBLs大肠埃希菌感染情况,尽量选择能覆盖产ESBLs菌的含三唑巴坦或克拉维酸的复合制剂、头霉素类、呋喃妥因或磷霉素类。     

苏丹红Ⅱ纯物质中有机杂质的定性和定量分析

本实验对苏丹红Ⅱ标准物质候选物中的主要有机杂质进行定性、定量分析,采用高效液相色谱-离子阱-飞行时间串联质谱法（HPLC-IT-TOF MS）和液相色谱-三重四极杆串联质谱法（HPLC-MS/MS）对有机杂质进行定性分析,鉴别出杂质1和杂质2分别为苏丹红Ⅰ和溶剂橙2,推导出杂质3和4的可能分子结构为苏丹红Ⅱ的同分异构体。利用液相色谱外标法测定苏丹红Ⅰ和溶剂橙2的含量分别为0.017%、0.258%,相对标准偏差分别为1.6%、2.5%;采用与主成分苏丹红Ⅱ响应因子一致的方法定量分析杂质3和4,其含量分别为0.012%、0.028%,相对标准偏差分别为7.0%、4.9%。本研究可为苏丹红Ⅱ一级标准物质的研制奠定基础,对苏丹红Ⅱ的准确测定具有重要意义。     

液压系统中污染杂质运动的研究(续完)

<正> 5.微粒在直管中的运动管道和部件的内表面在制造、加工、存放和准备组装的过程中会被杂质污染.若在组装前不去掉散落或粘在内表面上的杂质,杂质将被带入系统.除了有粘性的微粒之外,这些污染物将以自由游离的状态存积在管道或部件的下表面上. 无论是游离的还是粘于表面的污染杂质微粒,     

镀镍溶液中锌杂质的影响与消除

锌杂质存在的最明显标志,是在低电流密度区域镍镀层上出现边缘清晰的黑色花纹,尤其是锌合金压铸件进行光亮镀镍时,锌杂质的影响更为明显。由锌杂质造成镀层缺陷主要取决于下列因素: 1.镀镍溶液中锌杂质的含量当锌杂质含量小于30毫克/升时,对镍镀层影响不大;当锌含量大于50毫克/升时,在低电流密度区域镍镀层有较明显的黑灰色花纹;当其达到70毫克/升以上时,镍镀层黑色花纹相当严重。如果用赫尔槽或角形     

采用智能化的控制，实现高效率的节能——访美国埃施朗公司马立文先生

记者：中国政府在国家发展规划中提出建设资源节约型、环境友好型社会，其中节约能源排在第一位。请问埃施朗公司在响应政府号召的同时，在技术节能、管理节能上有哪些考虑，具体又是怎么做的？     

等温凝固扩散焊——一种新型的焊接方法

等温凝固扩散焊及其特点等温凝固扩散焊(国外称之谓TLP法)是一种不要加压力或只要加很小压力的特殊扩散焊方法,其在等温下使中间层合金由液态变成固态,最后产生成分均匀的接头。等温凝固扩散焊是七十年代刚刚问世的一种新的扩散焊接方法,它的产生是和航空工业     

QE、LBIC和I-V对铸造多晶硅、单晶硅太阳电池的表征

分析了三种不同类型的商业太阳电池片-P 型铸造多晶硅太阳电池，定边喂膜生长硅(EFG)太阳电池 和单晶硅太阳电池的光谱响应（外量子效率EQE），光束诱导电流（LBIC）和暗电流-电压(I-V)，光照I-V 曲线。在I-V 特性测试中，利用太阳电池的二极管等效模型从测量数据中得出重要的电池参数，例如串联 电阻，并联电阻，二极管理想因子，暗饱和电流等。通过光谱响应和LBIC 测试，分析影响这些参数的可 能性缺陷。在铸造多晶硅、EGF 太阳电池中影响电池参数的主要缺陷是晶界以及位错以及材料中杂质，而 对于单晶硅来说，主要的却是存在于体内的金属杂质等。     

7B04铝合金断裂过程的研究

用材料介观力学（介于宏观和微观之间）手段研究了7804高强高韧铝合金在拉伸试验过程中的塑性变形的产生、旋转和材料的断裂过程。试验结果表明：7804合金中有害杂质相是有棱角的颗粒,以几个颗粒团簇在一起,或是单独分散在基体材料中。在拉伸过程中,对材料塑性变形的产生、发展的观察发现,杂质相附近是材料的薄弱环节。随着塑性变形的发展,在这个区域流变曲线产生大角度的旋转,表明杂质相阻碍了变形的流畅进行,同时还发现微裂纹首先在杂质相的边界中产生。杂质相的消除或减少是提高7804合金材料强塑性的主要途径之一。