极性晶体中表面极化子有效质量的磁场和温度依赖性

采用改进的线性组合算法讨论电子和体纵光学声子弱耦合、与表面声子耦合强时表面极化子有效质量的磁场和温度效应，对ＡｇＣｌ晶体进行了数值计算结果表明，极化子有效质量随温度的升高而减小，随磁场的增大而增大．     

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少.     

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少     

抛物量子线中极化子的温度依赖性

研究了抛物量子线中极化子的温度效应. 采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法，在考虑电子与LO声子相互作用情况下，分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量和光学声子平均数的温度依赖性. 对RbCl晶体和CdTe晶体进行了数值计算，结果表明，两种情况下极化子的有效质量随温度的升高而减少，光学声子平均数均随温度的增高而增大.     

抛物量子线中极化子的温度依赖性

研究了抛物量子线中极化子的温度效应.采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量和光学声子平均数的温度依赖性.对RbCl晶体和CdTe晶体进行了数值计算,结果表明,两种情况下极化子的有效质量随温度的升高而减少,光学声子平均数均随温度的增高而增大.     

抛物量子线中极化子的温度依赖性

研究了抛物量子线中极化子的温度效应.采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量和光学声子平均数的温度依赖性.对RbCl晶体和CdTe晶体进行了数值计算,结果表明,两种情况下极化子的有效质量随温度的升高而减少,光学声子平均数均随温度的增高而增大.     

库仑场中束缚光学极化子的有效质量

研究库仑场中强、弱耦合束缚极化子的性质。采用改进的线性组合符和么正变换方法导出强、弱耦合束缚极化子的振动频率和有效质量。讨论了库仑场对强、弱耦合束缚极化子的振动频率和有效质量的影响。对RbCl和AgCl晶体进行了数值计算。结果表明，束缚极化子的振动频率和有效质量随库仑势的绝对值的增加而增大。     

Rashba效应下量子点中束缚极化子的有效质量

采用线性组合算符、LLP幺正变换和变分方法,研究Rashba效应下量子点中强耦合束缚极化子有效质量的性质。对RbCl量子点数值计算的结果表明：极化子的振动频率、有效质量均随极化子速率、受限强度和库仑束缚势的增大而增大,原因是极化子速率增大电子动能增加,库仑束缚势增大导致电子-声子间相互作用增强,受限强度增大使电子运动的有效范围减小导致电子能量增大,进而使极化子的振动频率和有效质量增大。受Rashba自旋轨道相互作用的影响,极化子的有效质量发生劈裂,劈裂间距随极化子速率的增大而减小。     

声学形变势表现极化子的温度效应

采用线性组合算符方法,研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的声学形变势表面极化子的温度效应,对KI晶体的数值计算结果表明：振动频率、有效质量随温度的升高而减少,而诱生势随温度的升高而增大。     

纳米管中极化子量子比特的温度特性

利用求解能量本征方程、幺正变换和变分相结合的方法,研究纳米管中极化子量子比特的温度性质。数值计算结果表明:量子比特内的电子在各个空间点的概率密度均随时间做周期性振荡,不同空间点的概率密度幅值不同,纳米管中心层概率密度幅值最大,管界面处概率密度幅值为零。数值计算结果还表明:温度不改变量子比特的振荡周期随纳米管内径的增大(或外径的减小)而减小的趋势;振荡周期随温度的降低而减小,但是当温度低至晶格振动能量不足以激发实声子时,振荡周期与温度无关;振荡周期随耦合强度的增大而增大。     

盘型量子点中极化子的温度效应

在考虑电子与体纵光学声子强耦合的条件下,通过求解能量本征方程,得出了盘型量子点中电子的基态能量、第一激发态能量及其相应的本征波函数;采用幺正变换和元激发理论方法研究了圆盘型量子点的声子效应,并讨论了温度对量子盘中极化子性质的影响。数值计算表明：在温度较低时,声子不能被激发,温度对能量无影响,当温度较高时,声子能够被激发,且温度愈高,被激发的声子数愈多,极化子能量愈大;结果还表明基态能量随着电子-声子耦合强度的增大而减小,随量子盘半径的增大而减小. 说明量子盘具有明显的量子尺寸效应。     

量子棒中极化子声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变分法,研究了温度对量子棒中强耦合极化子平均声子数和振动频率的影响。结果表明,量子棒中强耦合极化子的平均声子数N-和振动频率λ随量子棒纵横比e′、温度T的增加而减小,随电子-声子耦合强度α和受限强度Ω∥的增加而增大。温度对平均声子数N-和振动频率λ的影响只是在温度较高(γ<1.0)时较显著,而在温度较低(γ>1.0)下并不显著。     

极性晶体膜中电子—表面声子强耦合极化子的自陷能

采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＫＣｌ晶体进行了数值计算,结果表明,不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献大不相同     

稳恒磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合磁极化子的有效质量

采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法,讨论了磁场中极性晶体膜内电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合磁极化子的有效质量,得出了磁极化子的有效质量随膜厚的增加而先减小后增加,最后趋于一个稳定值,随磁场的增加而增加。     

晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,结果表明 ,Cd F2 极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用 .并且发现 Cd F2 半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献 ,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小 ,这表明晶格热振动将削弱电子 -声子耦合     

晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用.并且发现CdF2半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子-声子耦合.     

极性半导体量子点中双极化子LO声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines变分方法研究了极性半导体量子点中双极化子性质的温度依赖性,推导出了量子点中双极化子的LO声子平均数的表达式。数值计算结果表明,双极化子的LO声子平均数随两电子间相对距离的增大或温度的升高而减小,随电子-LO声子耦合强度的增加而增大;两电子间的相对距离、电子-LO声子耦合强度和温度是影响双极化子束缚态稳定性的重要因素。     

抛物量子线中强耦合极化子的有效质量

采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的有效质量m^*和光学声子平均数N。通过数值计算,讨论了约束强度ω0和磁场B对m^*和N的影响。计算结果表明：m^*和N都随ω0和B的增加而增大。     

量子阱中弱耦合束缚极化子的温度效应

采用线性组合算符与变分相结合的方法研究了温度对无限深量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响.推导出在弱耦合情况下,无限深量子阱中束缚极化子的基态能量和振动频率与温度的关系.选择GaAs晶体为例,进行数值计算.结果表明:温度升高时,量子阱中弱耦合束缚极化子的振动频率增大;温度升高、阱宽增大时,量子阱中弱耦合束缚极化子的基态能...