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1.
设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图,用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区,在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAsMESFETs器件.研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小.结果表明,采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小,背栅效应的大小与距离近似成反比,采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大. 相似文献
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赵大德 《固体电子学研究与进展》1989,9(2):164-171
本文着重研究了分立GaAc耗尽型MESFET背栅效应的光敏性和尺寸效应。本文还采用一种实验方法——器件在光照下,观察栅压的调制作用,解释了背栅效应机理。不同栅压下,背栅效应的大小不同,零栅压下的背栅效应比负栅偏压下的背栅效应更小。发现衬底峰值电流与背栅效应有密切关系。 相似文献
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随着集成电路集成度的提高,器件间距不断减小,在GaAs MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应。由于器件间距越来越小,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅,背栅效应影响了集成电路集成度的提高,因此背栅效应在国内外引起了重视。本文介绍了背栅效应及其可能的起因。 相似文献
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根据压电效应模型,本文详细研究了压电电荷对GaAs MESFET沟道与衬底界面耗尽层的影响。认为正压电电荷比负压电电荷所引起的阀值电压漂移大,较好解释了(100)衬底上沿[011]和[011]取向的GaAs MESFET阈值电压非对称反向漂移的现象。 相似文献
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对未掺杂LECSI-GaAs进行了“三步热处理”。用霍尔测量、光激电流谱测量和化学腐蚀方法研究了这种热处理对电阻率、迁移率、电活性缺陷、位错密度及As沉淀的影响。 相似文献
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本文对LEC不掺杂SI-GaAs的热处理特性进行了实验研究和分析。结果表明,As、Ga原子从表面挥发及缺陷的内扩散引起表面热蚀和热致导电层的形成。文章讨论了它们对注入层激活行为的影响。指出,采用本文设计的高温快速热处理结合压盖、InAs作过砷压源技术,可以获得满足注硅材料退火要求的SI-GaAs热处理特性。 相似文献
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SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10~(15)cm~(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个~0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响. 相似文献
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分析了GaAsMESFET由于沟道电流功耗而引起的器件自升温效应。以基本的Poison方程、电流方程及热流方程为基础,采用二维数值分析法,确定了器件内部自升温效应下的温度分布特点,以及决定器件自升温幅度的主要因素。 相似文献
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论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL<0 .75 d B,ISO>1 3 d B,VSWR<1 .5 ,P- 1 >1 0 W。开关芯片面积小、成品率高、封装成本低 ,适宜批量生产 ,并已在手机上试装成功。 相似文献
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GaAs MESFET灵敏度分析 总被引:1,自引:0,他引:1
潘扬 《固体电子学研究与进展》1989,9(2):135-142
本文叙述了灵敏度分析的重要意义。介绍了所用的MESFET模型与三个子程序DATA,MODEL,SPARAM及主程序SENSIT,并给出计算分析结果。结果表明,对MESFET芯片S参数影响最大的几个工艺变量、材料变量及基本物理参量,按灵敏度因子大小排列顺序为εγ,L_g,N_d,μ_o,A_s,A,L_(gs2),L_(gs3)。 相似文献