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介绍了不同版图结构制作的 CMOS运放电路的电离辐照实验结果 ,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之间的差异。结果显示 ,常规版图制作的运放电路 ,由于存在不易消除的场氧漏电 ,其电路的辐射敏感性会明显增大。而加入保护环后 ,能明显消除这一不利影响 ,从而使电路的抗辐照特性得到改善。 相似文献
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本文描述一种全差动输入、差动输出的电流型运算放大器(COA)。该放大器采用三个第二代电流转换器(CCII)作为基本单元部件。在全对称电流型反馈放大器中能提供恒定的增益-带宽乘积或者在互阻抗反馈放大器中提供恒定带宽。该放大器的增益-带宽乘积为3MHz,失调电流为0.8μA(信号范围±700μA),理论上转换速率极大。此放大器采用2.4μm标准CMOS工艺实现。 相似文献
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本文报道了LF7650 CMOS运算放大器在4Mev、7Mev和30Mev三种不同质子能量辐照下的损伤特性和变化规律,并通过对其损伤机理的分析,探讨了引起电参数失效的机理。结果表明,由于质子辐照引起多数载波子迁移率的降低,导致MOSFET跨导下造成CMOS运放电路失效的主要原因,同时,比较了三种不同能量质子的辐照结果,表明电路的损伤与能量有一定的关系。 相似文献
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运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 总被引:2,自引:1,他引:1
对几种不同类型(TTL,CMOS,JFETBi,MOSBi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的“后损伤”现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区 相似文献
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对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET-Bi,MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的"后损伤"现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别. 相似文献
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CMOS运算放大器的电子和~(60)COγ辐照效应及退火特性 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了LF7650CMOS运算放大器电路在1MeV电子和~60Coγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律,并通过对其电高辐照敏感参数,辐照后在室温和100℃高温条件下,随时间变化关系的分析,探讨了引起电参数失效的机理。结果表明,由于电离辐射产生的界面态增加,引起的多数载流子迁移率的减小,导致MOSFET跨导的下降,是造成CMOS运算放大器电路失效的主要机制,也是引起1MeV电子辐照的损伤敏感度明显大于~60Coγ射线的原因所在。 相似文献
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总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器 总被引:2,自引:2,他引:0
在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×106 rad(Si),其使用了SIMOX晶圆. 在-55~125℃范围内,该存储器的数据读取时间几乎不变.在经过剂量为1×106 rad(Si)的总剂量辐照后,该存储器的数据读取时间也几乎不变,静态功耗仅从辐照前的0.65μA变化为辐照后的0.8mA,远远低于规定的10mA指标;动态功耗仅从辐照前的33mA变化为辐照后的38.1mA,远远低于规定的100mA指标. 相似文献