计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型

提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次单元 )的上表面温度 ,作为该层次单元下表面的边界条件 ,而把它上表面上的层次单元 (子层次单元 )的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源 .通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值 .提出的层次单元间的耦合强度 (即每轮计算中 ,母层次单元上表面的温度改变不是全部 ,而是部分用于     

模拟器件稳态热场正确性的判断方法

对稳态热场 ,二个水平剖面 A和 B所夹的薄层上的温差必须严格等于本文提出的平均值定理的计算值 .当芯片、基片和底座的截面大小一样时 ,可以直接根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度 ,通常可以手工完成 ;当芯片、基片和底座的截面大小不一样时 ,可以通过数据合成根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度 .如果计算中有的参数如沟道长度不十分清楚时 ,应作模拟了解该参数对热斑温度的影响 ,必要时对该参数进一步了解以保证模拟精度 .     

模拟器件稳态热场正确性的判断方法

对稳态热场,二个水平剖面A和B所夹的薄层上的温差必须严格等于本文提出的平均值定理的计算值．当芯片、基片和底座的截面大小一样时,可以直接根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度,通常可以手工完成;当芯片、基片和底座的截面大小不一样时,可以通过数据合成根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度．如果计算中有的参数如沟道长度不十分清楚时,应作模拟了解该参数对热斑温度的影响,必要时对该参数进一步了解以保证模拟精度．     

基于热测试芯片的2.5D封装热阻测试技术研究

2.5D多芯片高密度封装中,多热源复杂热流边界、相邻热源热耦合增强,高精准的热阻测试与仿真模拟验证是封装热设计的关键。设计开发了基于百微米级发热模拟单元的热测试验证芯片（TTC）,并基于多热点功率驱动电路系统和多通道高速采集温度标测系统,实现了2.5D多芯片实际热生成的等效模拟与芯片温度的多点原位监测。通过将实际热测试结构函数导入热仿真软件,实现了仿真模型参数的拟合校准,采用热阻矩阵法表征多芯片封装热耦合叠加效应,实现了多热源封装热阻等效表征。结果表明,多芯片封装自热阻和耦合热阻均随着芯片功率密度的增加而提高,芯片的热点分布对封装热阻值的影响更为显著,因此模拟实际芯片发热状态、建立等效热仿真模型是实现高精准封装热仿真和散热结构设计的关键。     

MCM—L:多层PCB的一个动态演变

采用现有元器件封装技术的表面安装设计正很快接近基片(substrate,以下同)密度限制。一个可能的解决办法是使用多芯片模块(MCM)或更确切地说,是层压基片的改型,称作(MCM-L)。MCM-L技术还处于初期,它要从现有表面安装技术(SMT)中吸取优点,并突破现有技术。从设计和制造角度看,MCM-L是多层印制板(PCB)应用中元器件组装的下一个合乎逻辑的步聚。     

精确预计SiBJT微波功率器件峰值结温的方法

三维全热程热电一体地模拟了 Si BJT微波功率器件 .热场计算包括从芯片的有源区经芯片 -粘接层 -基片 -粘接层 -底座直到固定于 70℃的安装台面的整个散热过程 .在处理热电正反馈时把有源区的 6 0个基本单元 (子胞 )当成 6 0个并联子胞晶体管进行建模 ,子胞模型包括子胞晶体管本身、基区横向扩展电阻、发射区横向扩展电阻 .热电一体分析除了涉及 Vbe随温度变化外 ,还有子胞发射极有效面积随子胞发射极电流上升而下降的效应 (以下称面积效应 ) .与对有源区各点直接进行分析相比 ,子胞建模不仅大大简化了计算 ,而且摸拟结果与器件结构、版图结构、工艺参     

均热板于信息产品散热之应用

均热板均温性取代热导管 传统上服务器与显示适配器等易累积或产生高热量之信息产品,其热管理多以风扇或散热模块来实现.散热模块由实心压铸件(spreader)、热导管(heat pipe)、热交换鳍片(fin)、风扇组成.(复数)热导管与压铸件组合之散热效果虽较单一压铸件底座来得好,然散热底座上近热源点与远热源点温差仍可达10℃以上,散热效果仍未臻理想.均热板(Vapor Chamber)之均温性可针对此点改善,功能上取代实心压铸件与热导管之组合.     

基于多场耦合的电机暂态温度场研究

针对复杂工况下电机不稳定发热引起的温度场暂态计算问题,根据不稳定发热的规律建立电磁场与温度场的二维耦合模型。文中依据小型式异步电机的结构特点,进行电磁场-热场二维模型的结构参数、边界条件参数、材料的电、热物理参数的计算、等效及配置;依据复杂工况下发热变化的规律,进行耦合频率、热源耦合方式的设计及相关参数计算配置,实现不稳定负载下电机的暂态温度场计算并考察电机各部分的实际最高温度分布状况。基于实验平台的方案设计和搭建,进行温升实验。通过对比分析电机暂态温度场的仿真和实验数据,验证了二维模型参数等效的合理性和多场耦合法能够准确地计算复杂工况下电机全暂态温度场。     

多层圆形组件半解析热分析方法的研究

本文研究上表面含热源的多层圆形组件半解析的热分析计算方法,用计算机求解其数值解来计算组件上表面温度分布.该计算方法可以用于集成电路、混合电路和微组装件的热设计工作.     

多芯片组件热分析技术研究

多芯片组件(MCM)是实现电子系统小型化的重要手段之一。由于封装密度大、功耗高，MCM内部热场对器件的性能和可靠性的影响日益严重。文章讨论了MCM内部热场影响器件可靠性的机理，比较了MCM热场计算的方法和特点，研究了有限元分析的方法和求解过程，进行了实际计算，并提出了几种有效的降低MCM结温的方法。