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高压超快GaAs光电导开关的研制 总被引:5,自引:2,他引:3
本文首次报导了采用全固态绝缘,微带线低电感输出的Si-GaAs高压超快光电导开关的研制结果,该器件的耐压强庶35kV/cm,典型的电流脉冲上升时间为200ps,电流达100A。并在实验中观测到典型的高倍增现象。 相似文献
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采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性.实验测得不同激发波长或偏置电压下LT-GaAs光电导开关瞬态响应驰豫时间约350~390fs,由实验数据计算得到电子迁移率约1000cm 相似文献
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基于能量守恒原理推导出非线性GaAs光电导开关电路的差分公式,代入实验数据计算出开关的瞬态电压、电阻、功率.该方法解决了长期以来非线性GaAs光电导开关的瞬态特性难于测量的问题.通过GaAs光电导开关的瞬态电压曲线知,在锁定期间开关平均电场强度总是大于耿氏阈值,并随时间单调递增.通过对比开关与其电路电源的瞬态功率曲线,证明了电源功率不足是导致GaAs光电导开关从锁定状态进入自关断状态的根本原因,因此提出了在锁定期间通过改变电路的功率分布使开关可控关断的思想. 相似文献
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半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 总被引:10,自引:1,他引:10
研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因 .偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga—As键的断裂程度 ,Ga—As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型 相似文献
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High efficiency Al-free InGaAs/InGaAsP/InGaP lasers emitting at 980nm are fabricated by MOCVD. The lasers exhibit a high internal quantum efficiency of 95 % and a low internal loss of 1.8 cm-1. Low threshold current density of 190A/cm2 and high slope efficiency of 1.06W/A are obtained by lasers with 800μm cavitylength. A high characteristic temperature 210C is also obtained by replacing the GaAs barrier with high-bandgap InGaAsP barrier. The measured vertical and parallel divergence angle are 40° and 8°, respectively. 相似文献
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本文主要介绍了A/D转换芯片的静态参数的定义(以单极性为例),并推导出直方图测试法的静态参数计算公式. 相似文献
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采用氧化钕、氧化钇、硝酸铝、氨水以及柠檬酸作为原材料,以低温燃烧法(LCS)制备出纳米粉末材料。该方法解决了固相反应的高温合成及化学沉淀法的粉体团聚问题。通过热重-差热(TG-DTA)、X-射线粉末衍射(XRD)、傅里叶红外透射(FT-IR)和透射电镜(TEM)测试手段研究粉末的特性,采用谢莱方程(Scherrer)根据YAG(420)晶面的衍射曲线半峰宽数据计算出晶粒尺寸,详细研究陶瓷材料在不同热处理条件下的析晶情况。研究结果表明:YAG相的形成温度为850℃,在热处理过程中出现YAP中间相,于1050℃转变成纯YAG相,颗粒在不同的热处理条件下呈现不同的尺寸,在20~50nm范围变化。随着热处理温度的升高,平均晶粒尺寸增加,晶粒尺寸的标准偏差保持在2.0左右,晶格参数逐渐减小。晶粒主要以晶界扩散形式进行生长,晶格参数膨胀是由晶粒表面的排斥偶极距所造成的。 相似文献