大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

磁泡存贮器

目前,在计算机系统特别是微型机系统中半导体存贮器芯片应用得非常广泛,但当国外研究出了磁泡存贮器后,许多人开始怀疑半导体存贮器芯片将来会不会被淘汰。磁泡存贮器是贝尔实验室研究出来的,目前多用正铁氧体、石榴石型铁氧体等材料制造。这些单晶强磁性薄膜或多晶台金磁膜在外加磁场作用下产生许多磁泡。磁泡在电路的控制下按规定方式移动形成存贮器件,其存贮密度可达1.6×10~5位/平方毫米。1979年,得克萨斯仪器公司、富士通、英特尔、洛克韦尔等公司就开始使用了磁泡存贮器,因这种存贮器很有前途,所以有许     

一台紧凑的166,OOO数位的磁膜存贮器

本文介绍一台166,000数位的磁膜存贮系统的原理、设计和工作特性。虽然这台紧凑的存贮系统是专门为航空上的应用而设计的,它是导航和控制计算机的一个主要部份,但该设计也适用于其它的军用控制计算机。这台随机取数、并行读出、字选择法的存贮系统包括一台256字,24位的破坏读出的存贮器和一台6656字,24位的非破坏读出的存贮器。在程序下的循环时间为3.0微秒,取数时间为0.7微秒。这台存贮器被设计成在没有温度补偿,以及冲击和震动都相当严重的条件下还能可靠地工作。磁膜存贮元件所固有的装配技术已经能够制成一个包括选择线路在内的存贮体,其重量是16磅,体积大约是0.2立方呎。线路的装配保证了结构紧凑和维护方便。整个存贮系统包括全部联接线路在内需要的功率为50瓦。     

计算机存贮器的可能发展前途

本文从原理上、工艺上和经济上估算了各类磁存贮器的速度和存贮容量可能达到的极限。对于微型铁氧体和磁膜,在4096个字的存贮容量下,循环时间的极限是100毫微秒。任何一种磁存贮器,在经济上合理的情况下,可能获得的最大容量是几百万位。隧道二极管存贮器能够获得15毫微秒的循环时间,而超导体存贮器可以有几十亿位的存贮容量,它们都超出了磁存贮器的极限。     

英国新型磁薄膜存贮器

EMI电子公司已经把第一批新型磁薄膜存贮系统递交给英国原子能研究所。该系统准备用作高速数据纪录中的通用缓冲存贮器。 高速度——采用了128个字,每个字有16位;读写周期时间是1/3微秒——保证“死寂时间”要比普通存贮器短。由于存贮器忙于处理以前所得的信息而不能收集任何新来的数据时,会出现“死寂时间”。由于缩短了这个时间,EMI新型存贮系统方使昂贵的核装备更有效地工作。 存贮元件是在磁场中将镍-铁合金真空蒸发在玻璃板上而制成的。整个存贮器是用专门的印制电路采用专门的焊接技术装成的。该存贮器约有64块字板,每一个字有50位。目前存贮容量达128至1024个字。普通印制电路板用于装在19吋机架内的驱动和读出电子设备中。     

一台20兆周不破坏读出薄膜存貯器

本文叙述一台磁薄膜存贮系统(字长48位,共256字),读取时间40毫微秒,不破坏读周期50毫微秒,写周期150毫微秒。给出了薄膜参数、系统结构和有关电路,并附有图片说明。采用不破坏读出方式来防止破坏读出薄膜存贮器恢复周期产生的恢复问题。80×60密尔的薄膜元件当读电流170毫安时能产生1/2毫伏读出信号。由于存贮体延迟约为8毫微秒,地址译码、读出放大和选通的时间允许为32毫微秒;这就要求一些独特的电路,包括一个隧道二极管译码矩阵和读写两用的单地址驱动器。     

低功率磁膜存贮器

一、引言目前使用的和正在设计的磁膜存贮器都需要用几百毫安的驱动电流。因为需要这样大的电流,所以存贮器就不能采用分子型或微型线路的固态驱动源来驱动。本文介绍一个驱动电流仅为20—30毫安的存贮器的研制技术。这种存贮器可以采用分子型的整体线路。通过降低磁膜的各向异性场H_k、或者减小驱动线的宽度的办法就可减少所要求的驱动电流值。第一种途径可由改善磁性合金材料或者适当地选择薄膜元件的形状来达到。第二种途     

Univac CP-667军用计算机

美国斯派瑞·浪德公司尤尼瓦克分公司最近为美国海军船舶局研制成CP-667型军用计算机。该机在计算速度和存贮容量方面,均可敌得上现有的最大型商业计算机,其尺寸为:3(长)×3(宽)×3(高)呎。 CP-667计算机的内磁芯存贮器的容量为131000个36位的字,每一个字的访问时间为1微秒,其容量比现有的军用机和商用机均高。 单独的磁薄膜控制存贮器的存取信息周期为400毫微秒。小型薄膜非破坏读出存贮器通过外     

每平方吋存贮600万位信息的照相薄膜

一种具有高鉴别度的照相薄膜每平方吋能存贮600万位信息,这就是说,四平方吋的薄膜即可存贮英国大百科全书的全部内容。用照相术存贮大容量信息,已在美国空军俄英翻译机器上实现。这台机器每分钟能将40个俄文词汇译成英文。目前这台机器的照象薄膜存贮器中总共存贮了55,000个词汇。全部词汇存贮在10吋玻璃盘上印制的     

使用磁镀线元件的500毫微秒计算机主存贮器

磁镀綫从它最初应用在数据处理系统那时起,作为高速、随机计算机存贮器一个比较实用而又理想的存贮元件来说就已看出它的巨大潜力。磁镀綫存贮元件具有如下的一些优点: 1.它可以在连续过程中进行制造。 2.它可以在连续过程中进行测试。 3.它具有很快的开关时间。例如,在躯动     

MAS-ROM-可以用电的方法重新编存程序的带译码器的只读存贮器

简介——本文对在芯片上进行X-Y矩阵译码的金属一氧化铝-硅(MAS)只读存贮器的电特性和可靠性进行评价。MAS只读存贮器利用栅绝缘物薄膜中的所谓电荷存贮现象,是可以反复用电编存程序和不易失信息的集成电路存贮器组件,其中一位存贮单元。仅由一个N沟道增强型MAS晶体管组成。有选择地从沟道注入电子使晶体管阀值电压增大,而在栅极外加大的负电压使阀值电压减小。可靠性试验表明长期衰减对时间呈对数依赖关系,在150℃栅压为+10伏下,每10年存贮时间的衰减斜率为0.7伏。 使用由一台中型计算机、一个命令输入键盘、一组舌簧开关板和一台存贮型阴极射线管图解输出装置组成的人-机相互会话操作系统,对MAS只读存贮器进行鉴定。为证明MAS只读存贮器是切实可行的,以一个4 K字节的只读存贮器系统作为一台小型计算机微程序存贮器的样机进行了评价,其取数和周期时间为150毫微秒。     

涡流卡片固定存贮器

日本正在研制一台基于电感耦合原理的涡流卡片(Eddycard)存贮器。这台存贮器是只能进行读出的半永久存贮装置。其读出周期为100毫微秒。这种存贮器与匀磁线(Unifluxor)存贮器相类似。匀磁线存贮器中读出线是通过小铜块与驱动线耦合的。这样,涡流使得读出线和驱动线之间能产生相互感应,以表示“1”。没有小铜块的地方用来表示“0”。这台存贮器是永久存贮器,但是,所存信息     

布劳斯B8500计算机

布劳斯公司研制的电子数据处理机B5500和它军方研制的D825的特点是功能和结构的模块化。最近研制的B8500电子数据处理机也采用了这种模块结构的设计概念。在B8500计算机中,多达16个计算机和输入输出组件及16个存贮器模件〔每一个容量为存贮在磁薄膜     

工作于极恶劣环境条件下的微型化磁芯体

一、引言 如果能将磁芯存贮器的体积变得更小,工作温度范围变得更宽,那么它的用途将会大大地扩大。但是,要解决这样的问题,对磁芯存贮器来说并不是一件容易的事。因此有人曾经想过用其他的途径,如多孔磁板、磁扭线等存贮元件来取代磁芯,企图解决这个问题。     

光盘存贮器浅释

一、概述光盘存贮器是继磁盘存贮器之后一种新型的激光信息存贮器装置。它是根据磁盘高速随机存取技术和激光的高记录密度特性而研制的。光盘存贮器尽管与磁盘存贮器有很大的差别,但它能很简单地以现有的磁盘存贮系统的设计为基础来进行设计。     

0.7微秒磁心存贮器

本文描述一个新研制的磁心存贮器的设计及性能。在这个低功率、高速度存贮器的设计中,采用了二维方案以及磁心部分翻转技术。这个存贮器的特点是:电流导引二极管矩阵和均分负载磁开关的综合利用,构成经济且优质的驱动系统。该存贮器的存贮容量为73,728个二进制数位,可靠地执行指令的重复频率高达1.47兆赫。文中还描述了:存贮器的结构、串并联延迟线脉冲分配器、控制脉冲以及实测的性能。     

1024字每字48位的10兆赫不破坏读出双轴磁心存贮器

过去快速取数存贮器大多数是或者用较快的普通破坏开关元件或者用各种不破坏读出技术和存贮元件。这些技术对于非常快的读出操作存在着一些固有缺点,如对于普通的开关方法需要重写,或者没有真正的不破坏读出特性。本文讨论的存贮系统是用具有不破坏读出特性的双轴磁芯元件,在系统中尽量消除线路延迟,     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

智能磁泡存贮器及其在数据库管理系统中的应用

本文是有关支持高级数据库管理功能的智能磁泡存贮器的设计。这些磁泡存贮器还可以为用户提供很大的工作空间,在这个空间,不用外部干涉就可以执行初步的文件处理操作。我们的目的是提出几种方法,包括这些存贮器的新颖芯片结构的设计及磁泡存贮器的特性。特别是我们评价了各种存贮器结构和不同磁泡芯片存贮结构的性能。用每个字和每个页面的检索时间做为评价不同存贮器结构的参数。讨论了分级磁泡存贮系统的性能。可在磁泡存贮器中完成的数据重新排列操作被包括在初步文件处理操作与基本关系代数运算的设计中。叙述了被设计用于支持关系数据模型和改进关系代数接口的智能磁泡存贮器结构。     

存贮器的发展与新型存贮器介绍

本文回顾了近年来存贮器件的发展概况及趋势,简要地介绍了 Flash 非易失存贮器,NVRAM、Cache 产品以及 Latch RAM 等新型的专用存贮器件。文中还介绍了 IC 芯片技术发展所遇到的一些基本极限,讨论了存贮器技术的发展方向。