Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金生长中C的影响

报道了Si基Si1 x yGexCy 合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用 ,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型 ,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系 ,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。     

Si基富Ge含量Si1-x-yGexCy异质结构的热退火行为研究

研究了Si基富Ge含量的Si1-x-yGexCy异质结构的热退火地为,采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法在Si(100）衬底上淀积一层厚度为170nm的Si1-x-yGexCy薄膜（x-0.7,y-0.15),并在其上覆盖－Ge层,将样品分别在650度和800度下进行N2氛围下热退火20min。用拉曼谱（Raman),俄歇电子能谱（AES）以及X射线光电子能谱XPS等方法对样品进行研究。研究结果表明,低温PECVD法生长的Si1-x-yGexCy薄膜是一种亚稳结构,Ge/Si1-x-yGexCy/Si异质结构在650度下呈现不稳定性,薄膜中的Ge,C相对含量下降,且在界面处出现Ge,C原子的堆积,经过800度下退火20min的样品中C 含量基本为0,Ge相对含量下降至约20％左右,且薄膜的组分比较均匀。     

Si3N4／Si表面Ge生长过程的STM研究

利用STM和LEED分析了Ge在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变,在生长早期,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇,这些团簇的大小均在几个纳米范围内,并在高温退火时积增大,当生长继续围内形成以（111）方向为主的晶面,相反,在非晶的Si3N4表面,Ge的（111）晶向的小面生长比其他方向优先,最后在大范围内形成以（111）方向为主的晶面,相反,在非晶的Si3N4表面,即Si3N4/Si(100),Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快,最终形成金字塔形的岛结构,对这样的表面生长过程进行了探讨给出合理的物理解释。     

硅、锗材料在Si（100）表面的生长研究

利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si（100）表面生长Si，Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明：Si在Si（100）表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si（100）表面生长形成规则的三维小岛，而在Si/Ge/Si（100）多层膜上生长则形成大小二种三维岛，研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构。     

Si(001)衬底上方形3 C-SiC岛的LPCVD生长

Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上的成核及长大过程,采用PLCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）观察了SiC岛的形状,尺寸,密度和界面形貌,结果表明,3C－SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散,气相中C原子浓度决定了SiC岛的生长过程。     

生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGexC合金薄膜.本文通过能量色散谱仪乔(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGexC合金薄膜性质的影响.结果表明,Si1-xGexC外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大.     

C~+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si0.8Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响。研究结果充分表明:C+离子注入的Si0.8Ge0.2衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi0.8Ge0.2的热稳定性。此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了NiSi0.8Ge0.2表面和NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显。     

硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究

利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(10 0 )表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明 :Si在Si(10 0 )表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(10 0 )表面生长形成规则的三维小岛。而在Si/Ge/Si(10 0 )多层膜上生长则形成大小二种三维岛。研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构     

生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响。结果表明,Si1-xGex∶C外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大。     

Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备

用化学气相淀积方法在Si（100）衬底上外延生长了Ge组分最高约0．40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响．结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在．C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量．组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4．C2H4反应而生成的Ni1-x-yGexCy外延层和由Ni1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Ni1-xGex层．     

谈谈检测校准实验室认可、法定计量检定机构考核和产品质检机构计量认证/审查认可

本文针对我国对检测校准实验室实施能力考核、资格认可的典型的四种方式进行探讨。     

Effects of illumination on electrical parameters of Ag/n-CdO/p-Si diode

The current–voltage (I–V) characteristics of the Ag/n-CdO/p-Si diode were investigated under various white light (visible light) illuminations. The electrical parameters such as ideality factor (n), zero-bias-barrier height (Φ_b) and series resistance (R_S) of Ag/n-CdO/p-Si MIS diodes were determined by using the forward bias current–voltage measurements. The Ag/n-CdO/p-Si diode exhibits a non-ideal behavior due to the interfacial layer, the interface states and the series resistance. The ideality factor is increased, while the barrier height is decreased with decreasing illumination intensities. The values of R_S obtained from Cheung and Norde methods are decreased with increasing illumination intensity. The distribution profile of the interface states (N_SS) as a function of energy distribution (E_SS − E_V) was extracted from the forward I–V measurements under various illumination intensities. The interface state densities were observed to be strongly illumination dependent and are decreased with increasing illumination intensities.     

Ti/Al/Ni/Au在N-polar GaN上的欧姆接触

N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-polar GaN之间的反应生成物。结果表明,当退火温度升高到860℃时,可得到比接触电阻率ρc为1.7×10~(-5)Ω·cm~2的最优欧姆接触特性。TEM和EDX测试发现,除了生成已报道的AlN,还会在界面处产生多晶AlO_x,两者共同作用会进一步拉高势垒,从而对N-polar GaN上欧姆接触产生不利影响。     

利用Java实现对云台和镜头的远程控制

结合我国实际情况和未来的发展趋势,开发出基于Java的视频监控系统,实现对云台和镜头的远程控制。系统包括RS-232/RS-485的转换,解码器和云台、镜头以及它们与计算机串口的硬件连接,通过Pelco-D协议,采用Java的扩展类库comm.jar库进行串口通信。客户端通过套接字对服务器端的云台和镜头进行控制,对于同时来自服务器端和多个远程客户端对云台和镜头的控制所产生的冲突提出了解决方法。系统具有跨平台性。     

对欧盟机械指令实施特点的研究

欧盟新机械指令2006/42/EC已于2009年年底正式实施。与98/37/EC相比,其适用范围更广,要求更严。如何应对新机械指令产生的技术贸易壁垒,已成为广大对欧出口企业,尤其是广大中小企业面临的一大难题。本文拟通过详细分析机械指令的实施特点,为相关政府部门和出口企业作出积极的应对措施提供技术支持。     

HIPS/SMA/CG-ATH纳米复合材料性能研究

采用熔融共混法制备出了高抗冲聚苯乙烯(HIPS)/苯乙烯接枝马来酸酐(SMA)/CG-ATH纳米复合材料,研究了SMA的加入量对复合材料阻燃性能、力学性能和界面粘结性能的影响.结果表明,SMA的加入可以提高复合材料的阻燃性能、拉伸性能和弯曲性能,但对复合材料冲击性能的提高没有产生明显的效果;SMA的加入有助于强化纳米CG-ATH在HIPS基体中的分散性及其与HIPS基体间的界面粘结性.     

纳米蒙脱土/PP/PVC共混物的性能研究

对纳米蒙脱土(nano-MMT)/聚丙烯/聚氯乙烯(PP/PVC)共混物的性能进行了研究,讨论了纳米MMT用量对PP/PVC(40/60)共混物性能的影响.研究结果表明:随着加入纳米MMT量的增加,共混物的拉伸强度也逐渐增加;当共混物中加入纳米MMT 5份时,共混物的拉伸强度达到最大值;随着加入纳米MMT的增加,共混物...     

广东TC／SC／WG建设探析

一、广东TC／SC／WG建设现状 广东国家级TC／SC／WG建设工作呈逐年稳步推进态势,这与广东经济社会发展的形势是相吻合的。自2005年,广东正式启动实施技术标准战略以来,省质监局会同有关部门迅速细化技术标准战略规划,并制定有关的政策和措施,建立相应的规章制度,为实施技术标准战略创造了良好的外部环境。2008年3月,广东省标准化研究院在全国范围内率先成立了“标准化战略推进中心”,重点推动广东国家级TC／SC／WG的建设,促进广东标准化事业持续健康的发展。     

Effects of TeOx films on temperature coefficients of delay of Love-type wave devices based on TeOx/36°YX-LiTaO3 structures

Tellurium oxide (TeO_x) thin films are prepared on 36°YX-LiTaO₃ substrates by RF magnetron sputtering technique under different deposition conditions. The structures and compositions of the TeO_x films are analyzed by X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, which show that the TeO_x films are amorphous and with different ratios of Te to O prepared in different conditions. Then the Love-type wave devices based on TeO_x/36°YX-LiTaO₃ structures are fabricated, and the temperature coefficient of delay (TCD) of the Love-type wave devices are investigated. The results show that, when TeO_x films deposited at suitable deposition conditions, the TCD of the Love-type wave devices are less than that of the shear-horizontal (SH) wave devices fabricated on the bare 36°YX-LiTaO₃ substrates, which demonstrates that the TCD of the TeO_x films is negative. Moreover, the TCD of the devices are strongly dependent upon the preparation conditions and the thicknesses of the TeO_x films. Therefore, the TCD of the Love-type wave devices can be optimized by suitably selecting the preparation conditions and the thickness of TeO_x films.