二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点.在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上,着重介绍了SnO2膜的制备流程,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响.     

溅射工艺对晶片碎片的影响

介绍了半导体晶片制造设备溅射机和溅射工艺对晶片碎片的影响,给出了如何减少晶片应力以达到少碎片的目的.     

采用DOE方法优化无铅波峰焊接工艺

无铅波峰焊接工艺相比有铅波峰焊接工艺显得复杂和难以控制。通过采用DOE和波峰焊工艺分析相结合的方法,设计无铅波峰焊工艺,大大降低了缺陷率,提高了无铅波峰焊接质量,在生产实践中具有很大的指导意义。     

采用DOE方法优化无铅波峰焊接工艺

无铅波峰焊接工艺相比有铅波峰焊接工艺显得复杂和难以控制。本文通过采用DOE和波峰焊工艺分析相结合的方法,设计无铅波峰焊工艺,大大降低了缺陷率,提高了无铅波峰焊接质量,这生产实践具有很大的指导意义。     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料，使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上，着重介绍了SnO2膜的制备流程，分析了功率和温度变化对成膜质量的影响。     

溅射薄膜应变式压力传感器

利用溅射使材料薄膜化的技术在电子器件以及其它方面得到了迅速的发展。这是因为薄膜具有和体材料不同的性质,利用这种性质就有可能得到以前技术不能得到的器件。溅射薄膜应变式压力传感器就是正在开发中的这类器件中的一种。这种溅射薄膜应变式传感器是利用通过溅射在产生应变的梁和膜片等上面直接形成薄膜。它的组成材料全部是无机物,厚度非常薄,是原来的箔式应变片的1/10,而且有耐热性好和形状规则等许多优点。     

溅射工艺条件对氧化钒欧姆接触特性的影响

采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜.尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅射金属薄膜电极.通过对氧化钒-金属接触的电流-电压(I-V)测试的数据进行分析拟合,研究了氧化钒薄膜表面性质和测试偏压的变化对I-V特性曲线欧姆系数的影响.结果表明在化学计量比约为VO2.15的非晶氧化钒薄膜上,溅射的金属电极随着溅射功率和测试偏压的提高,I-V特性曲线的线性度得到了逐步的改善.通过比较Ni/Cr,Ti及Al不同金属电极的接触性能,提出了合理的欧姆接触工艺条件以及电极工作电压范围.     

EL薄膜的溅射工艺

本文介绍了采用分立型复合溅射靶制造 EL 薄膜的工艺。用这种方法可严格控制 EL 薄膜的化学计量及掺杂含量,并使掺杂物在薄膜里呈梯度分布。     

电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明,在300~1100nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3。     

Amorphous Silicon Films Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition Method

ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎＦｉｌｍｓＰｒｅｐａｒｅｄｂｙＣａｔａｌｙｔｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄ①②ＺＨＯＮＧＢｏｑｉａｎｇ，ＨＵＡＮＧＣｉｘｉａｎｇ，ＰＡＮＨｕｉｙｉｎｇ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅ...     

SCLC法测量非晶硅有效隙态密度

提出了用空间电荷限制电流（SCLC）法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法，并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。     

非晶硅碳薄膜发光二极管的研究现状及趋势

扼要地介绍了非晶硅碳薄膜可见光发光二极管（α－ＳｉＣｘ：ＨＴＦＬＥＤ）及其研究现状，简单地阐述了当前存在的问题，详细地评述了非晶硅碳薄膜发光二极管的发展方向──提高发光亮度、实现彩色显示、大面积化和低热耗，并预期着其有潜在的应用前景。     

非晶态锑化铟薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性研究

在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态锑化铟薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态锑化铟薄膜的\     

S枪磁控溅射淀积非晶硅光电导薄膜的制备工艺及特性研究

本文介绍用直流磁控S枪在H_2/Ar混合气体中反应溅射单晶硅靶淀积a-Si:H光电导薄膜的制备工艺。研究了用这种技术制备的a-Si:H薄膜的光学特性(透射率光谱、光学常数和光学带隙等)、晶相结构(用电子衍射图谱)、红外吸收光谱和光电导性能。并讨论了制备工艺条件与薄膜微结构和性能的关系。     

360-nm Photoluminescence from Silicon Oxide Films Embedded with Silicon Nanocrystals

Si-rich silicon oxide films were deposited by RF magnetron sputtering onto composite Si/SiO2 targets. After annealed at different temperature, the silicon oxide films embedded with silicon nanocrystals were obtained. The photoluminescenee（PL） from the silicon oxide films embedded with silicon nanocrystals was observed at room temperature. The strong peak is at 360 nm, its position is independent of the annealing temperature. The origin of the 360-nm PL in the silicon oxide films embedded with silicon nanoerystals was discussed.     

Stability of an Amorphous Silicon Oscillator

An RC oscillator using amorphous silicon thin film transistors was developed. The oscillation frequency and its dependence on resistance and bias voltage were studied. The frequency was controlled by adjusting the feedback resistance of the oscillator. The highest measured frequency of the oscillator was around 140 kHz, which is acceptable for low‐end radio frequency identification (RFID). Since a low‐end RFID circuit needs low cost and a simple process, an amorphous silicon oscillator is suitable.     

非晶硅太阳能电池的光学分析

我们采用一种新方法——光学导纳分析,把非晶硅太阳能电池看作由吸收膜和透明膜组成的多层膜系,计算了该膜系的光学导纳,分析了电池的光学性质。 电池吸收谱中存在干涉峰。通过考察各层膜光学参数对光吸收的影响,发现(ⅰ)高反射背接触的电池结构可增加0.6—0.7μm的吸收,(ⅱ)非晶硅膜厚能改变干涉峰在光谱中的位置;(ⅲ)减反膜(AR)与短波区的反射率密切相关,选择最佳AR膜厚能够减少反射损失;并且AR最佳膜厚几乎与非晶硅膜厚无关。     

一种大功率直流溅射电源的设计

介绍一种大功率直流溅射恒流电源的设计。该设计解决了溅射过程中的打火及电流不易控制的问题。经实用证明，该设计达到了预期的效果。     

射频溅射CoMnNiO非晶薄膜中空穴的迁移率

测量薄膜的热电动势,很容易确定薄膜中载流子的迁移率。本研究根据CoMnNiO非晶薄膜在200—350K温区的热电动势测量和直流电导,计算了薄膜中空穴的迁移率。结果表明,330K时,薄膜中空穴的迁移率为1.25cm~2v~(-1)(?)~(-1),且具有热激活性质。由此可以推断,射频溅射CoMnNiO非晶薄膜在常温下发生跳跃导电。