BO型超低阻靶材的研制

1 概况 自从1972年John chapin发明了平面磁控管溅射技术以后,磁控溅射开始几乎都是为各种集成电路服务的,直到八十年代初才移植到金属膜电阻器的成膜上来,我国自八十年代末期相继从美国、日本引进了十余条磁控溅射镀膜机,我所成功地研制出了用在     

记录媒体用磁控溅射靶材

叙述了记录媒体用薄膜的种类及相关溅射靶材，以及这些靶材的制造技术和发展前景。     

YBCO高温超导靶材制备工艺研究

进行了用钇钡铜氧（ＹＢＣＯ）系高温超导粉制备磁控和激光溅射超导薄膜用靶材的工艺研究。对靶材原料粉末的质量要求和制靶工艺进行了探讨，对影响靶材质量进而影响膜材质量的主要因素（如成分、纯度、均匀性、粒度及超导电性等）进行了研究。多家超导薄膜研究单位对本工艺靶材的使用结果证明了材料的优良品质，采用本工艺研制的大直径环形靶制出的超导薄膜，Ｊｃ值均在１０￣６Ａ／ｃｍ￣２水平。     

惰性气体热压法制备W/Ti合金靶材研究

用W粉和Ti粉作原料, 采用惰性气体热压法制备W/Ti合金靶材. 研究了靶材致密性、富Ti的β相含量、微观结构均匀性与工艺条件的关系. 结果表明, 控制温度在1250～1450 ℃之间, 压力在20 Mpa左右, 保温时间在30 min左右可制备高性能的W/Ti合金靶材.     

靶材制备研究现状及研发趋势

总结了目前不同种类靶材的制备工艺，分析了国内外靶材知识产权对我国靶材产业化的影响，以及我国靶材产业发展中所遇到的一些主要问题，探讨了靶材的发展趋势。     

ITO靶材的毒化机理研究现状

为了更好的了解ITO靶材的毒化机理,分别介绍了磁控溅射技术制备薄膜的基本原理,综述了ITO靶材在溅射过程中的毒化机理研究的现状,分析了影响ITO靶材毒化现象可能的原因,详细介绍了现阶段3种解决ITO靶材毒化现象的方法:不同工艺制备ITO靶材的影响、最佳Sn掺杂量和其他元素的掺杂等的影响以及溅射工艺的影响,指出了他们各自缓解ITO靶材毒化现象的原理。并且展望了未来解决我国ITO靶材毒化问题的发展方向。为我国ITO靶材的发展提供一定的参考。     

高纯钨溅射靶材制取工艺研究

微电子技术、光电技术对钨的纯度要求越来越高，熔炼钨纯度高但尺寸规格小且加工难度大。仅对采用粉末冶金法制取高纯钨材工艺试验过程中，重新氨溶，中和结晶的除杂效应进行了一些探讨，对经高真空高温处理后的钨方坯加工性能进行了加工试验，证明采用重新氨溶、中和结晶、超高真空高温脱气工艺可有效地去除杂质。高纯钨材质优良、性能稳定、放气量小。     

溅射法镀二氧化钛薄膜靶材及工艺研究进展

介绍了溅射法镀膜的基本原理，阐述了溅射法镀二氧化钛薄膜用靶材及相应溅射镀膜工艺的研究现状。溅射镀Tio2薄膜用靶材主要有金属钛、二氧化钛和“非化学计量”二氧化钛靶材3大类。由于钛的氧化态及靶材导电性不同，它们对溅射工艺（如溅射气氛等）有一定具体的要求，通过对靶材和相应工艺进行分析比较，指出应用“非化学计量”靶材是溅射法制备二氧化钛薄膜技术发展的重要方向。     

The Poisoning Mechanism Study of ITO Target

为了更好的了解ITO靶材的毒化机理,分别介绍了磁控溅射技术制备薄膜的基本原理,综述了ITO靶材在溅射过程中的毒化机理研究的现状,分析了影响ITO靶材毒化现象可能的原因,详细介绍了现阶段3种解决ITO靶材毒化现象的方法:不同工艺制备ITO靶材的影响、最佳Sn掺杂量和其他元素的掺杂等的影响以及溅射工艺的影响,指出了他们各自缓解ITO靶材毒化现象的原理.并且展望了未来解决我国ITO靶材毒化问题的发展方向.为我国ITO靶材的发展提供一定的参考.     

真空离子镀金靶材成分和性能的研究

在纯金中加入了银、铟、镍、钯等几种合金元素制成金合金靶材 ,改善了镀膜色度值和耐磨性等理化指标 ,获得了多种色度 ,色度值达到了 ISO-8654标准 ,提高了镀层的使用寿命 .     

真空离子镀金靶材成分和性能的研究

在纯金中加入了银、铟、镍、钯等几种合金元素制成合金靶材，改善了镀膜色度值和耐磨性等理化指标，获得了多种色度，色度值达到了ＩＳＯ－８６５４标准，提高了镀层的使用寿命。     

放电等离子烧结TbFeCo磁光靶材工艺研究

研究了采用放电等离子烧结技术制备TbFeCo磁光靶材的工艺过程，考察了烧结温度对材料组织均匀性和致密度的影响。利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对材料的微观组织形貌及成分进行了分析，同时用阿基米德法测量了材料的密度。结果表明：适当的提高烧结温度可以使材料得到均匀的组织，理想的致密度。但过高的烧结温度会造成材料局部组织的熔化，使材料的组织均匀性变差，l010℃的烧结温度是制备具有均匀组织和理想致密度Tb(Fe，Co)3材料的最佳温度。     

W和W/Ti合金靶材的应用及其制备技术

近年来随着磁控溅射技术的应用日趋广泛,对各种高纯金属及合金溅射靶材的需求量也愈来愈大.本文简要介绍了当前W和W/Ti合金靶材的应用和制备方法等,对W和W/Ti合金靶材未来的制备技术进行了展望.     

溅射靶材的应用及制备初探

随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求越来越多，本文介绍了靶材的发展概况、分类和应用情况，以及靶材的特性要求．探讨Ni-Cr合金靶材的制备工艺，结果表明，产品能满足靶材特性要求。     

W/Mo/石墨复合靶材的制备与研究

通过粉末冶金技术,采用真空高温热压烧结工艺,制备了W/Mo/石墨复合靶材,并对其显微组织、结合状态、密度和硬度等性能进行了测试,结果表明在1700℃,保温4 h,采用Zr,Ni,Tj混合粉作为粘结剂,热压条件下制备的W/Mo/石墨复合靶材,组织致密均匀,W,Mo层过渡平缓,结合界面良好,结合强度高.Mo层的硬度达到Hv250左右.     

掺杂Sn,Bi的Ge2Sb2Te5相变存储靶材制备和薄膜性能研究

在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2Sb2Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6%(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂改性。采用热压法制备出高主相含量、高致密度六方结构Ge2Sb2Te5基靶材。常温下沉积的薄膜为非晶态,经150～350℃退火处理,薄膜相结构经历了由非晶态到立方相再到六方相的相转变过程。掺杂5.6%(原子分数)的Sn在入射光波长为500 nm时的反射率对比度相比未掺杂薄膜提高了14%,该薄膜潜在的光存储性能更好。掺杂Sn,Bi后结晶态与非晶态间的电阻率差异度有所增加。     

集成电路制造用溅射靶材

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业。在不同产业中,半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高。对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响,以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法。     

国内外磁控溅射靶材的现状及发展趋势

近年来,随着磁控溅射技术的应用日趋广泛,对各种高纯金属及合金靶材的需求也愈来愈大。据此,介绍了磁控溅射靶材的种类、应用及制备情况,指出了目前靶材亟待解决的几个重大问题,并对靶材的发展趋势进行了探讨和展望。     

等离子喷涂技术在溅射靶材制备中的应用

镀膜行业的快速发展对溅射靶材的大型化、利用率等提出了更高要求。但传统的靶材制备方法在靶材大型化方面存在很大局限。等离子喷涂技术可喷涂几乎所有的陶瓷、金属、金属化合物,在靶材制备领域有着巨大的应用潜力。本文重点介绍了目前溅射靶材主要制备方法及存在问题,并对等离子喷涂制备溅射靶材的特点及设备现状及发展方向进行了阐述。