PDP选址驱动芯片HV-CMOS器件的研究

文章提出了一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS（High Voltage N-channel Lateral Double-diffused MOSFET）工艺结构，并通过二维MEDIC^[1]软件对该结构进行模拟，论证了其独特的优越性-防穿通。同时提出了HV-PMOS（High Voltage P-channel MOSFET）的厚栅氧刻蚀方法-多晶硅栅自对准刻蚀。     

OLED器件制作的新技术

对用于制作新型0LED器件的如激光照射热成象法，有意掺杂电荷载体转移层法以及在硅上制作双向掺杂高玻璃软化温度白色发光器件法的方法作了介绍。     

PDP器件中MgO薄膜二次电子发射系数γ的研究

结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中给出γ值的测量结果。通过γ值的测试 ,可以反馈 Mg O保护膜的性能 ,为提高PDP性能提供依据     

彩色PDP的真空紫外测试技术研究

叙述真空紫外（ＶＵＶ）测量技术的特点并将这种技术用于彩色ＰＤＰ的测量中。测量了双基板型单元和单基板型单元的瞬态放电过程。得出两种单元的放电延时分别为０．６μｓ及１．１μｓ。采用真空紫外光谱仪对荧光粉的激发光谱和发射光谱进行测量,并计算出其相对发光效率,以评价荧光粉的质量。对稀有气体的发光光谱进行研究,发现有两种混合气分别在２８３ｎｍ及２９５ｎｍ具有较强的紫外辐射,从而有希望获得ＰＤＰ激励波长的“红     

论PDP显示器件的发展

PDP是“等离子体显示屏”的英文名称“Plasma Display Panel”的缩写与简称。PDP自20世纪50年代问世以来，在技术方面取得了长足的发展，尤其是20世纪90年代之后，PDP显示技术在实现全彩色显示、提高亮度和发光效率、改善图像显示质量、降低功耗和延长寿命等方面取得了重大突破，使PDP进入到显示器应用领域，成为大屏幕     

有机电致发光器件的新型薄膜封装技术研究

针对有机电致发光器件(OLED)在空气中水汽和O2作用下寿命下降的问题,提出一种对OLED进行薄膜封装方法。封装薄膜由电子束蒸镀Al2O3薄膜和原子层沉积(ALD,atomic layer deposition)Al2O3薄膜相结合形成。利用Ca薄膜电学测试方法测定封装薄膜的水汽透过率(WVTR)。具体实现方法是,采用玻璃作为衬底,在100nm的Al电极上蒸镀200nm的Ca膜,然后对整个系统进行薄膜封装,只留出Al电极的一部分作为探针接触电极。实验发现,采用电子束蒸镀结合ALD的Al2O3薄膜封装,Ca薄膜变成透明的时间比未封装或采用单一结构封装得到了延长。为了检验薄膜封装效果,制作了一组绿光OLED,器件结构为ITO/MoOX(5nm)/mMTDATA(20nm)/NPB(30nm)/Alq3(50nm)/LiF(1nm)/Al,实验结果表明,本文提出的薄膜封装方法对器件进行封装,器件的寿命得到了延长。     

PDP制造中的曝光技术研究

在分析PDP曝光特点的基础上,提出了PDP曝光台的设计原则,说明了PDP曝光时的照度分布调整方法以及校正透镜的原理,作用和加工方法,对使用光量计精确控制曝光量以及曝光台超高压水银灯的特点,作用和选择作了详细介绍。介绍了曝光工艺中利用光量计确定感光材料界限曝光量的原理和方法。最后对PDP丝网曝光工艺作了简要介绍。     

从"LCD/PDP International 2001"看显示器件发展动态

“LCD/PDP International 2 0 0 1”展示会于2 0 0 1年 1 0月 31日～ 1 1月 2日在日本横滨举行。共有 1 68家公司参加了会议 ,盛况空前。在此会议上 ,LCD/PDP家用电视机和有机 EL显示器的手机和掌上电脑等成为两大热点 ;同时倍受人们关注的是 1 0 0 0 mm× 1 2 0 0 mm大型 L CD的制造设备和检测设备 ,以及便携式终端显示器的高密度封装和低功耗技术。LCD展品集中在家庭用大型电视机和便携式终端显示器的彩色化。在这次会议展出 LCD电视机的共有 6家公司。韩国三星电子展出的是 1 0 2 cmTFT LCD,该公司还计划开发 1 32 cm宽屏彩…     

PDP技术的新发展

彩色等离子体显示板(PDP)是20世纪90年代中期开始量产的新型平板显示器件。由于它工作在全数字化模式，易于制成大屏幕显示，是数字化彩电、高清晰度电视和多媒体终端理想的显示器件，在102～153cm范围内具有极强的竞争力，是CRT更新换代的产品。目前PDP面临的两个关键技术问题，一是发光效率不高，二是生产成本高。本文就提高PDP性能的方法进行了描述。     

铁氧体金属化技术在微波介质器件中的应用

提出一种铁氧体金属化方法,解决了微波介质器件中铁氧体容易脱落的问题,为微波介质器件的发展开辟了一个新的方向。     

AC PDP介质膜的实验研究

研究了用薄膜 Ｓｉ Ｏ２ 作介质的可行性。并对电子束蒸发制备的 Ｓｉ Ｏ２ 介质膜进行了微观分析。     

蓝绿色等离子体显示板的研究

本文叙述了一种辐射蓝绿光的交流等离子体显示板的结构和原理。文中对充入气体的成分进行研究，器件中充入Ａｒ－Ｈｇ混合物，并对需用的汞量进行计算，以保证有足够的汞蒸汽。为了克服器件的温度效应，设计了薄膜加热电极。研制成功一种新型薄膜介质，具有蒸发速率高及同基板附着力强等优点，在这种介质层上蒸涂ＭｇＯ保护层，可使器件寿命增长，连续工作１．３×１０４ｈ参数无任何变化。     

PDP中的新型保护膜

主要介绍ＰＤＰ中的ＭｇＯ保护膜及各种制造方法，并对新型ＭｇＡｌ２Ｏ３保护膜作了简单介绍。     

微扰法测量介质陶瓷薄膜的介电特性

对于介质陶瓷薄膜，特别是厚度小于1μm的介质陶瓷薄膜，我们提出了一种新的基于微扰理论的测量方法，本文对该方案进行了理论推导，获得了计算介质陶瓷薄膜复介电常数和Qf的公式，并设计了实际的测试方案，以具体的介质陶瓷薄膜作了测试验证和误差分析。结果表明，该方案是可行的，测量结果具有较高的精度(7％)，最后提出了对系统的改进方案。     

等离子体显示板流体模拟中的介电弛豫效应分析

对交流等离子体显示板(AC PDP)流体模拟中的加速算法进行了讨论,分析了介电弛豫时间对流体模拟计算中时间步长的影响.同时对通量密度的Scharffeter-Gummel格式和电场半隐式格式进行了分析,数值实验表明,采用电场半隐式格式校正可以提高计算时间步长至少2个数量级,选取20～50倍介电弛豫时间作为计算时间步长,可以保证较好的计算结果并加快计算速度.     

PDP制作中的曝光技术

随着等离子显示器(PDP)制作技术的逐渐成熟,光刻技术在PDP的制作中也越来越重要。本文论述了在PDP制作中影响曝光质量的有关因素,从曝光的主要影响因素进行阐述,并结合实例进行了分析论证。     

减反膜制备工艺及其应用

减反膜在现代光学薄膜生产中占有十分重要的地位,其研究依赖于制备工艺。本文结合近几年来国内外研究现状,叙述了几种不同的减反膜制备方法,分析了各种制备方法的工艺特点以及各自的优缺点,如真空蒸镀法、溅射镀法、溶胶一凝胶法等。并提出了相应的改进方法,分析了这些工艺在减反膜制备中的应用前景,为减反膜的制备提供了参考。     

表面放电型AC-PDP电极制作工艺研究

电极制作是大面积彩色ＰＤＰ应用研究所涉及到的一个很重要的工 艺制作技术，本文将从薄膜和厚膜两方面对表面放电型ＡＣ－ＰＤＰ中的电极制作工 艺进行介绍。