表面加工性能对低合金Mo丝的耐疲劳强度的影响

本文研究了ｄ＝１．０，５及０．２ｍｍ的技术纯度Ｍｏ（０．０２５Ｃ－０．００５Ｎ－０．１６Ｔｉ）丝和ｄ＝０．３ｍｍ的Ｍｏ－０．１Ｈｆｃ－０．１ＨｆＮ合金丝经过各种加工（拉伸，金刚砂加工处理，电抛光）后，其表面微缺陷的相对尺寸Ｒ／ｄ的变化对疲劳性能的影响，Ｒ／ｄ值从０．０６减小到０．００１导致疲劳持续时间增加了一个数量级，并且观察到性能的最大变化是在Ｒ／ｄ＝０．００２～０．００４，而Ｒ／ｄ值的继续减小     

Cd_（1－x）Mn_xTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．４５、０．５、０．６、０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律．用单振子模型拟合实验结果，给出了激子能量随组分和温度的变化规律．本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响．     

温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

测量了ＺｎＳｅ,Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格的１０～３００Ｋ的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ的带隙在１０Ｋ时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ合金的带隙小,而在３００Ｋ时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格中在１３０Ｋ附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ层的应变可能是反转温度变低的原因．     

InxGa1—xAs／AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／     

Gd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４，０．４５，０．５，０．６，０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律，用单振子模型拟合实验结果，给出激子能量随组分和温度的变化规律，本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响。     

电话用户线路障碍的测试分析

电话用户线路障碍的测试分析上海电信技术研究所（２００１３５）何智宇Ｂ－地Ａ－地Ａ－Ｂ用户电话号码＜３．０００Ｖ０．０００Ｖ＜３．０００Ｖ０．０００Ｖ＜３．０００Ｖ０．０００Ｖ交流电压：基准值测量值＜３．０００Ｖ０．０００Ｖ＜３．０００Ｖ０．０００Ｖ＜...     

B＆O BeoLab 12音箱

条状、呈半圆弧造型,仿若一尊浮雕。“挂”在电视机两旁。这就是B＆O的BeoLab 12。它的内部,由2英寸中音、2个6．5英寸扁平形CosCone低音以及0．75英寸高音组成。     

彩色显示器的点距与类型

彩色显示器的点距是显示器的一个重要技术指标。一般来说，点距越小越好。以前流行的显示器，点距多数是０．３９和０．３１ｍｍ；现在的主流显示器，点距多数是０．２８ｍｍ。一些较高档的显示器，常称其点距是０．２６、０．２５、０．２１ｍｍ等等。关于显示器的点距，...     

双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度

介绍了通过双晶ｘ射线衍射测量超薄外延层厚度的一种方法。利用回摆曲线中的干涉条纹测量了通过ＭＢＥ生长的Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ结构的各层层厚。     

扁平显示屏幕

本文分三部分五种显示方法,就国外许多实验室、科研院所的扁平显示技术成果、现状及发展趋势进行了较全面的综述。     

Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs HBT高温特性的研究

本文研制了Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓ高温ＨＢＴ器件,详细地研究了器件在３００Ｋ～６２３Ｋ范围内ＨＢＴ的直流电学特性。结果表明Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓＨＢＴ器件具有良好的高温特性,在３００Ｋ～６２３Ｋ温度内,动态电流增益变化小于１０％,Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓＨＢＴ可工作至６２３Ｋ,工作温度超过６２３Ｋ后,器件就不能正常工作,经分析发现     

量子阱Ge0.3Si0.7／Si／Ge0.3Si0.7在阱平面方向上的电子能带色…

采用经验赝势方法及界面边界条件，计算了生长在Ｇｅ０．。３Ｓｉ０．７衬底上的导带电子量子阱Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７／Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的电子束缚能级，对它们在阱平面方向上的色散关系进行了讨论。     

有序Ga_（0．5）In_（0．5）P光致发光的研究

本文用光致发光（ＰＬ）研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质．发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中，能量最高的峰的强度随温度升高，先减弱，然后增强，最后又减弱．我们提出了一个有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的模型，认为有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层是阱定随机分布的Ⅱ型多量子阱结构，能带边之下存在带尾态。并用该模型对实验结果进行了较好的解释．     

In_xGa_（1－x）As／Al_yGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．     

Ti_(80－x)Nd_xSi_(20)纳米复合材料的显微结构特征

Ｔｉ８０－ｘＮｄｘＳｉ２０纳米复合材料的显微结构特征李斗星平德海叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）化学成分为Ｔｉ８０－ｘＮｄｘＳｉ２０（ｘ＝０，０．０５，０．１，０．２，０．４，０．８）合金，用锤砧快冷法制成Ｔｉ...     

应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱

本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８超晶格     

手机知识答疑

问：资费调整后“全球通”用户在外地漫游时,如何收费？ 答：基本通话费仍为每分钟０．４０元,再加收相应的长途费。 拨本地电话：０．６０元／分钟 拨国内长途：０．６０元／分钟＋０．０７元／６秒钟 拨国际长途：０．６０元／分钟＋０．８０元／６秒钟 拨港澳台长途：０．６０元／分钟＋０．２０元／６秒钟 接听电话：０．６０元／分钟。 如深圳的手机用户１３９２３２２００００出差到北京,拨打北京的固定电话７８８３３３３、手机用户１３８０１０１３３３３以及上海到北京的１３９０１１１１１１１用户或者北京漫游到上海的１３８…     

高速InGaAsHBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ＿０．４８Ｉｎ＿０．５２Ａｓ／Ｉｎ＿０．５３Ｇａ＿０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ＿０．５３Ｇａ＿０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

InP基增强型HEMT

据《ＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ》１９９９年第１期报道,Ｉｌｌｉｎｏｉｓ大学、ＮｏｔｒｅＤａｍｅ大学、Ｂｅｌｌ通信研究公司分别报道ＩｎＰ基高性能的Ｅ－ＨＥＭＴ。器件在半绝缘ＩｎＰ衬底上用ＭＯＶＰＥ生长Ｅ－ＨＥＭＴ材料,其结构是：缓冲层为Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ,沟道为２０ｎｍ未掺杂的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ,５ｎｍ未掺杂的Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８ＡｓＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ隔离层,Ｓｉδ平面掺杂和１２ｎｍ未掺杂Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ肖特基层。器件用隐埋Ｐｔ栅制作,…