一维纳米材料排列方法的研究进展

基于国内外一维纳米材料器件的最新研究进展,系统综述了近年来一维纳米材料的排列方法,并介绍了磁场排列法、电场排列法、微流法、Langmiur-Blodgett等方法的原理和优缺点。同时,指出了一维纳米材料器件集成所面临的挑战,例如无法兼顾大规模有序排列与单一纳米材料精确定位排列等。最后,简单展望了一维纳米材料排列方法的发展趋势,传统排列方法,包括磁学方法和电学方法等的发展已经遇到了技术瓶颈,短时间内难以得到本质性的优化,生物技术也许会成为一维纳米材料有序排列的一个发展方向。     

准一维半导体纳米材料的研究进展

探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。     

一维ZnSe半导体纳米材料的制备与特性

在三种新溶剂三乙胺、二乙胺、三乙醇胺中 ,以 KBH4 为还原剂 ,由改进的溶剂热方法于 170℃制备了 Zn Se纳米材料 ,XRD、TEM研究表明最终产物为一维 Zn Se半导体纳米晶材料 ,室温产物为球形 Zn Se纳米材料 .初步研究了一维 Zn Se纳米材料的光学吸收和热稳定性 .结果表明 ,不同条件 (溶剂 ,温度 )下 Zn Se具有不同的形貌 ;Zn Se在常温下具有一定稳定性 ,4 0 0℃以上时在空气中可转化为 Zn O纳米材料 ;并用过渡态配合物的概念解释了实验现象 .     

一维ZnSe半导体纳米材料的制备与特性

在三种新溶剂三乙胺、二乙胺、三乙醇胺中,以KBH4为还原剂,由改进的溶剂热方法于170℃制备了ZnSe纳米材料,XRD、TEM研究表明最终产物为一维ZnSe半导体纳米晶材料,室温产物为球形ZnSe纳米材料.初步研究了一维ZnSe纳米材料的光学吸收和热稳定性.结果表明,不同条件(溶剂,温度)下ZnSe具有不同的形貌;ZnSe在常温下具有一定稳定性,400℃以上时在空气中可转化为ZnO纳米材料;并用过渡态配合物的概念解释了实验现象.     

飞秒激光组装一维纳米材料及其应用

一维纳米材料具有众多优异的特性,是构建微纳米功能性器件的基石。实现一维纳米材料在二维和三维空间的高精度和高定向组装是充分发挥其应用潜力的关键,同时也是制造难点。在众多纳米材料组装技术中,飞秒激光直写诱导组装技术具有独特优势,可实现一维纳米材料在任意三维结构中的可设计、高定向及高精度的组装。首先简要介绍了一维纳米材料组装研究的背景,并总结了非激光直写组装技术的研究现状和存在的挑战,然后较详细介绍了飞秒激光直写技术在一维纳米材料组装研究中的进展,重点回顾了金属(包括Au和Ag纳米线)、半导体(包括CNTs和ZnO)一维纳米材料的飞秒激光直写组装及微纳光电子功能器件的制造。并讨论了诱导一维纳米材料定向排布的光学力和非光学力(包括剪切力、体积收缩应力和空间限制)的作用机理,理论计算和实验研究结果验证了飞秒激光诱导的非光学力作用是导致一维纳米材料定向排布的主要原因。最后探讨了目前飞秒激光组装技术面临的一些问题和未来在高精度纳米材料组装和三维功能器件集成方面的发展趋势。     

液化石油气燃烧火焰制备一维碳纳米材料

本文利用民用液化石油气为碳源,在经过预处理的低碳钢和含Ni合金钢等基板上成功地制备出“空心”碳纳米管(CNTs)和“实心”碳纳米纤维(CNFs)等一维碳纳米材料。实验发现基板预处理对一维碳纳米材料的制备起着决定性的作用,如：机械研磨预处理时很难制备出一维碳纳米材料,而采用涂覆和电镀处理则很容易获得一维碳纳米材料。利用场发射枪高分辨扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和激光拉曼光谱(RS)等技术对碳纳米材料的结构进行了表征。从本实验可以预见,制备一维碳纳米材料将变得更简单,更经济。     

纳米材料对PCB基板材料技术发展的推动

1 纳米复合材料技术的迅速发展 1.1 纳米复合材料 纳米材料是指尺度为1nm～100nm的超微粒经过压制、烧结或溅射而成的凝聚态固体。近些年来,世界各国先后对这种新型纳米材料给予极大     

大规模制备定向排列的碳纳米管阵列

采用一种无模板的化学气相沉积法，在石英衬底上制备了大面积，高定向性、自支撑的碳纳米管阵列。二甲苯和二茂铁分别作为碳源和催化剂，连续进给到反应装置中，在一定温度条件下，碳纳米管自组织生成垂直于衬底方向的定向阵列。这种方法可以获得很高的生长速度，其最大长度可以达到几个毫米。拉曼光谱和高分辨透射电镜检测显示这种方法制备的碳纳米管具有较高的纯度和石墨化程度。     

脉冲激光制备纳米材料研究进展

纳米材料是20世纪末期发展起来的新型材料,其以优异的特殊性能得到了广泛关注.纳米材料的制备是纳米科技中的重要领域.本文介绍了脉冲激光烧蚀法制备纳米材料的两个重要途径——脉冲激光沉积法和脉冲激光液相烧蚀法,包括这两种方法的原理、特点、应用领域以及国内外的研究进展,最后阐述了脉冲激光沉积法和脉冲激光液相烧蚀法在制备工艺和材...     

不同燃料对火焰法制备一维碳纳米材料的影响

一维碳纳米材料可分为碳纳米管和碳纳米纤维。本研究选择不同燃料和不同的基板材料进行对比研究。     

LCD基板视觉自动对准系统及其图像处理

阐述LCD（液晶显示器）基板视觉自动对准系统的基本组成,标定及实现原理,介绍了图像处理技术在其中的应用,并着重讨论了图像处理算法。     

光刻对准技术研究进展

回顾了光刻对准技术的发展功能,对各种对准方法的原理和特点进行了分析和评价,介绍了几种典型主流光刻对准系统结构形式,并对光刻对准技术前景进行了描述与展望。     

太阳能硅片丝印机视觉定位系统

太阳能硅片丝印机是太阳能电池生产行业中的关键设备,如何提高丝印精度、印刷质量和印刷效率成为研究重点,而对位技术则是其中的关键技术之一。介绍了基于机器视觉的精密对位技术在太阳能硅片丝印机中的典型应用,阐述了视觉精密定位系统的基本组成、设计原理及硬件选型,给出了CCD光学系统与UVW工作平台坐标系之间的各运动关系和对位过程。     

玻璃基片双面光刻对准工艺流程的研究

介绍了双面光刻对准原理及技术新发展,表明了不变焦对准的技术优势.针对玻璃基片设计了十字加方框的对准图样,经重新调焦,利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现对准,不再采用静态存储的掩模数字图像作为精对准基准,规避了可能由物镜侧移带来的对准误差.最后提供了几种常用的对准标记图样,并为了加工操作的便利引入了辅助搜索线.     

光波导—光纤自动调芯技术研究

光波导—自动调芯技术是推动FTTx发展的关键因素之一。本文介绍了平面光波导(PLC)光分路器的构造和特点,总结了PLC自动调芯技术及其主要流程,分析了影响PLC自动调芯性能的主要因素,并对目前国内外的研究状况进行了分析。     

投影光刻中非对称型相位光栅对准信号及对准误差计算模型

在半导体投影光刻机中,对因工艺处理产生的非对称型相位光栅对准标记作了详细分析,提出了关于衍射效率、对准信号及对准误差的计算模型,并着重分析了CMP型对准标记和金属淀积型标记的相应特点。     

电子束缩小投影曝光机数字对准处理技术

介绍电子束缩小投影响曝光机对准系统的构成及原理，阐述数字处理技术在对准系统中的应用，以及对准数据的产生及数字处理的软件设计，并给出实际测试结果。     

聚酰亚胺液晶垂直取向膜的表面取向分析

采用均苯四甲酸二酐(PMDA)、4,4′-二胺基二苯甲烷(MDA)以及侧基含联苯和己基的二胺(TBCA)三元共聚制备了聚酰亚胺垂直取向剂,摩擦前后得到相同的垂直取向效果,探讨了侧链二胺TBCA的含量对聚酰亚胺取向膜垂直取向性能的影响,采用衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)对摩擦前后聚酰亚胺膜表面侧链的相对含量进行了对比,并运用原子力显微镜(AFM)考察了表面细微沟纹对液晶分子取向的影响。结果表明,在取向膜未经摩擦没有产生表面沟纹的情况下液晶分子也能取向,并且这类取向膜表面侧链的含量与摩擦后的含量相当。     

电调滤波器自动校频技术

传统的电调滤波器一般采用步进电机带动滤波器调谐杆,通过调谐杆的长度变化来实现频率变化,步进电机的驱动脉冲数与滤波器的频率一一对应,即可实现电调滤波器的频率调谐功能。由于电调滤波器是一种机械传动结构,随着腔体、传动、回零、调谐杆以及温度等的变化,脉冲数与频率对应关系变差,导致通信装备使用故障甚至瘫痪。从电调滤波器的工作原理出发,提出了一套电调滤波器自动校频程序,在通信设备中运行该专用程序,即可实现电调滤波器的频率校准与记忆,从而彻底解决电调滤波器的频率偏移问题。     

基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的研制

介绍了基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的原理,详细分析了此系统的硬件设计、软件设计以及扫描场的校正过程。利用硬件获取扫描图像,并进行实时标记校正,利用软件进行标记位置识别和校正参数计算,满足了曝光机对准系统在性能和精度上的要求。在100μm扫描场下进行拼接曝光实验,达到了77.3 nm(2σ)的拼接精度。