我国首部氮化硅结合碳化硅板标准的制定

本文简介了氮化硅结合碳化硅板标准的制订情况，比较详细地叙述了该标准中的产品形状代号，规格尺寸，技术要求，产品检验等内容及制定依据，以期标准使用者正确理解和执行。     

浇注成型Si_3N_4-SiC制品的研究

以经过颗粒整形的绿碳化硅及硅粉为原料,以阿拉伯树脂、硅酸钠等为添加剂,制做了氮化硅结合碳化硅制品。在对真空氮化烧结温度控制系统和烧成机理进行分析的基础上,开发制定了合理的氮化烧成工艺曲线。烧结出的浇注成型Si3N4-SiC烧嘴套经过多家公司应用验证,性能优良,可替代进口产品。提高了产品的成品率。     

铝电解槽用自结合碳化硅侧衬材料的性能

研究分析了以SiC为结合相的自结合碳化硅砖的力学性能、化学组成、热导率及抗冰晶石侵蚀性、抗熔碱侵蚀、抗氧化性、抗热震等使用性能,并与氮化硅结合碳化硅材料进行了对比试验.研究结果表明,自结合碳化硅具有良好的力学性能,抗碱性和抗热震性较氮化硅结合碳化硅更优,热导率比氮化硅结合碳化硅砖高10％ ～ 20％,抗冰晶石侵蚀性能比氮化硅结合碳化硅提高近1倍,预计这种新型碳化硅砖作为超大型铝电解槽侧衬更具优势.     

结合相对SiC质材料抗冰晶石侵蚀性能的影响

采用旋转圆柱法和坩埚法，研究了氮化硅结合碳化硅、氧氮化硅结合碳化硅、塞隆结合碳化硅材料的抗冰晶石侵蚀性能，结果表明，氮化硅结合碳化硅材料综合性能最好。     

A-TIG焊活性剂的行业标准

介绍了制定不锈钢与低碳钢A-TIG焊活性剂行业标准的背景,论述了制定该标准的必要性及其制定原则和依据。标准的主要内容包括:A-TIG焊活性剂适用范围、活性剂产品的分类及型号、技术要求、检验方法、检验规则等。对标准实施后带来的影响进行了探讨和展望。     

《铸造高速钢轧辊》团体标准解读

《铸造高速钢轧辊》(T/CFA 020101161-2020)是我国首次制定的铸造高速钢轧辊方面的团体标准.介绍了标准的主要工作过程、适用范围、技术要求、表面质量、试验方法、检验规则等相关规定,便于该标准的推广应用.该标准的制定为制造、使用高性能及长寿命铸造高速钢轧辊提供了技术保证,有助于推动铸造高速钢轧辊国产化,对钢...     

筑炉新材料在铝电解槽上应用研究

本文通过铝电解槽应用氮化硅结合碳化硅制品技术工业试验，从炉帮厚度，原铝质量，电流效率，电耗影响因素，热平衡，经济效益等方面，分析论证这种新材料的适用性。     

《通用铸造碳钢和低合金钢铸件》国家标准解读

《通用铸造碳钢和低合金钢铸件》（GB/T 40802-2021）是我国首次制定的通用铸造碳钢和低合金钢铸件的国家标准。介绍了标准的编制背景、技术要求、试验方法、检验规则等相关规定,便于该标准的推广应用。该标准的制定为制造、使用通用铸造碳钢和低合金钢铸件提供了技术保证,有助于推动通用铸造碳钢和低合金钢铸件的标准化,对钢铁、有色金属等行业铸件的选用有积极的指导意义。     

酸性气冷凝冷却器管板的焊接工艺试验

针对酸性气冷凝冷却器的管板堆焊和00Cr17Ni14Mo2换热管与堆焊管板的焊接特点制定了相应的焊接工艺,并进行了金相及力学性能检验,其结果均满足产品技术条件和相关标准的要求,从而证明该焊接工艺参数可以满足该产品的焊接要求。     

耐高温高强度氮化硅结合碳化硅复合材料的研制

本文介绍了氮化硅结合碳化硅复合材料的特性以及氮化烧成机理。根据试验确定的工艺路线,其研制的制品的性能指标达到了国际同类制品的先进水平。作为新型的窑具材料替代粘土碳化硅板材节能15％,增产15％,具有广泛的使用前景。     

新型高性能高速烧嘴护套的研制

本文介绍了新型高性能高速烧嘴护套所用的材料－Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ的特性，根据实验确定了工艺路线。在简介氮化烧成机理的基础上，对试验结果及现场使用情况进行了分析。作为替代进口产品，具有良好的推广应用价值。     

冶金硅定向凝固法制备太阳能级多晶硅及其微观组织与位错(英文)

以冶金硅为原料,探索采用具有高温度梯度的真空定向凝固技术制备低成本太阳能级多晶硅,并研究其在不同生长条件下的微观组织特征、晶界与晶粒大小、固液界面形貌以及位错结构。结果表明,当凝固速率低于60μm/s时,能获得具有高密度和良好取向的定向凝固多晶硅棒状试样,硅晶粒大小随凝固速率的增大而减小;在控制凝固过程,获得平的固液界面形貌是获得沿凝固方向排列柱状晶的关键;由于硅的小平面生长特性,微观组织中出现了位错生长台阶和孪晶结构;在晶粒中,位错分布呈现不均匀性,并且位错密度随凝固速率的增加而增加;在此基础上,讨论了多晶硅的生长行为以及位错形成机制。     

高强度多孔氮化硅陶瓷的制备与研究

以氮化硅为基体，通过加入一定量的纳米碳粉等添加剂，成功的制备出了具有高强度和较高气孔率的氮化硅多孔陶瓷。采用阿摹米得法、一点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及强度；用X射线衍射仪及扫描电镜对相组成及断口进行了研究。实验结果表明：加入的纳米碳粉同在Si3N4表面的SiO2或者同Si3N4颗粒本身反应，生成了极细的SiC颗粒，钉扎在β型氮化硅的晶界，可以有效的增加材料的强度。在含碳量为5％(质量分数)，1780℃下保温60min，可以制得强度大于100MPa，气孔率大于40％的氮化硅多孔陶瓷。     

太阳能电池硅转换材料现状及发展趋势

目前太阳能电池工业转换材料绝大多数都采用硅，而硅材料主要来自于半导体工业的废料。作为硅集成电路和器件用的多晶硅原料的生产普遍采用西门子法。随着光伏产业的迅速发展，来自半导体级硅的废料预计不会明显增加。因此，将不能满足太阳能电池用硅的需求，硅原料已经成为光伏产业发展的最主要的瓶颈之一。为了满足太阳能电池工业健康发展。研究开发一个不依赖于半导体硅生产的低成本太阳能级硅供应体系是非常必要的。     

450mm IC级硅单晶的制备

450mm直径的硅片面积比目前主流300mm硅片面积大2.25倍,是下一代半导体芯片的衬底。国外许多半导体设备和材料公司已联手开展这方面的研究工作。从技术和市场角度讨论分析了以下问题：①投料量和单晶收率的关系;②籽晶的承重;③设备安全性,防止一氯化硅粉尘的爆燃;④晶体质量的控制,从热场的选择和设计、缺陷控制、单晶体金属控制等方面做了分析;⑤对当前国内外相关原材料的市场情况进行了讨论。文章指出,现在国内直径450mm硅晶体生长的研发条件已经成熟。     

Correlations of Photoluminescence and Size Evolution of Si Quantum Dots in Amorphous Silicon Carbide

通过磁控溅射技术和1100 ℃的高温后续退火处理,在富硅碳化硅中形成高密度、小尺寸的硅量子点。其微结构和光学特性由高分辨电镜和光致发光技术进行表征。结合斯托克斯偏移和高分辨电镜分析表明,由非晶碳化硅包覆的硅量子点存在α-Si、c-Si两种结构,并呈现多带隙特征,子带隙分布范围从2.3到3.5 eV,出现紫外光到绿光的光致发光特征峰;发现此特征的硅量子点尺寸分布在~1.0~4.0 nm;通过改变薄膜中的Si和C原子比例,以及改变退火参数可进一步优化和控制硅量子点的微结构     

拓扑法计算硅/碳化硅材料的电阻率

用拓扑关系将硅 /碳化硅材料转化为具有 3个不同显微结构单元的整体 ,建立了等效电路 ,结合相关试验 ,计算了不同显微组织的硅 /碳化硅材料的电阻率。得到的理论计算结果与实验值的综合相对误差仅为3.9% ,分析比较了各相含量和分布形态对硅 /碳化硅材料整体电阻率的影响。结果表明 ,提高低电阻率硅的体积含量和其分布连续性 ,可降低材料的整体电阻率。该方法可用来预测要得到所需电阻率材料中应具有的硅含量和分布形态 ,为确定制备材料的显微结构设计提供指导。     

Si3N4对镁质浇注料使用性能的影响

为了提高镁质浇注料的耐用性，研究了Si3N4加入对镁质浇注料性能的影响。结果表明：Si3N4可以明显提高镁质浇注料的高温抗弯强度，但由于Si3N4在高温容易被氧化，使镁质浇注料的结构被破坏，降低其它方面的使用性能，在实际应用中，Si3N4加入量应控制在小于5％的范围内。     

The laws of silicon ingot formation by combustion reaction

The formation of a phase pure silicon ingot from SiO₂+Al+KClO₃ and Na₂SiO₃+Al+KClO₃ systems was investigated thermodynamically and experimentally under combustion mode, known also as self-propagating high-temperature synthesis (SHS). The regularities of combustion and phase formation versus KClO₃ concentration by a thermocouple technique were obtained. The morphology, chemical and phase composition of the silicon ingot were analyzed by powder X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and ICP-analysis. The method reported here proved effective in producing silicon ingots with a purity of 98%.     

掺杂硅纳米线的光电特性

采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究.结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15 nm,由直径11nm的晶核和2 nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间距为4 nm,硅纳米粒子链的阀值场强为6 V/μm,优于未掺杂的硅纳米线的阀值场强(9 V/μm).X射线光吸收谱可以补充提供常规电流-电压测量得不到的信息,并提示掺杂分布的细节.