光电化学法测定硅中少子扩散长度

本文将Gartener方程应用于硅材料,并提出了称之为I_o/I_(ph)-α~(-1)法的光电化学法,用于测定硅中少子扩散长度.文中研究了实验条件对测量结果的影响,讨论了该法的实用价值和给出了与SPV法对比的实验结果.     

电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布

本文讨论了影响电化学C-V法测量半导体载流子浓度分布的因素,其中包括接触面积、半导体种类、电解液种类和界面分辨率等.已经证明用直接补偿法可以有效地校正寄生面积对浓度分布测量的影响.在研究半导体和溶液种类的影响时,发现在同一种溶液中,各种GaAs的C-V特性均能符合Mott-Schattky方程式.在上述结果的基础上,我们将电化学C-V法成功地应用于测定P-N,高-低-高结构,GaInAsP发光材料和离子注入样品的载流子浓度分布,得到了满意的结果.     

无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度

用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种简便而又准确的测试方法。这样的方法还适用于GaAs薄片材料少子扩散长度的测量和计算。     

测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法

根据少子衰退的加速度分布,提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法．实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度．     

差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型

用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.     

半导体材料中载流子浓度的自动电化学测量

本文简述了自动半导体载流子浓度剖面描绘仪的原理及实际应用。     

化合物半导体光电化学新进展

半导体光电化学已广泛用于化合物半导体的材料测试和器件工艺。本文总结了光电化学这一研究技术的最新进展;叙述了利用液结肖特基势垒的许多测定化合物半导体体内和表面特性的方法,列举了用这些方法测得的平带电势、禁带宽度、少子扩散长度、载流子浓度、多元化合物组分分布、晶体完整性、深能极、表面态、能带结构和复合特性等;也介绍了半导体光电化学的一些新兴领域,如辐射电化学、照相电化学和激光电化学等,强调了它们在新型器件工艺中的应用。     

非晶硅少子扩散长度的测量

正 (一)引言 非晶硅少子扩散长度对非晶硅太阳电池的性能有重要影响,它是表征非晶硅材料质量的重要参数。最近Dresner和Moore分别用表面光电压法(SPV法)测量非晶硅少于扩散长度获得成功。但前者需要超高真空系统,样品表面要经过溅射和退火,后者使用非晶硅液体肖特基势垒,装置较烦。我们试用顶层淀积了金属镍的非晶硅薄膜作样品,利用镍和非晶硅膜构成的金属肖特基势垒进行表面光电压测量,获得成功。这样     

差分SPV法测量a—Si：H材料少子扩散长度的数学模型

用差分ＳＰＶ法测量ａ－Ｓｉ：Ｈ材料的少子扩散长度，可以消除被测样品背面结的影响。本文讨论了这种测量方法的数学模型，导出了测量公式，分析了影响测量结果的各种因素。     

量值恒定的表面光电压法测量半导体少子扩散长度的研究

为了在保持材料完整性的基础上,对单晶硅材料的质量进行评价,设计了一种利用表面光电压测量半导体少子扩散长度的系统.系统采用斩波器、单色仪和锁相放大器来获取半导体表面光电压信息,利用表面光电压与材料的光吸收系数的关系得出半导体少子扩散长度,重点阐述了系统的测量原理及各个模块的设计与实现方法.检测结果表明,量值恒定的表面光电压法用于测量半导体少子扩散长度能达到预期的效果.     

电化学C-V法测量化合物半导体载流子浓度的研究进展

电化学C-V(ECV)法是当前测量化合物半导体载流子浓度分布的非常重要的方法。从ECV法的原理、设备、电解液的选择以及测量精度的保证四个方面对ECV法进行了分析和总结,对于不同材料电解液的选择提供了参考。     

自聚焦材料周期长度的分布散射法测量

提出一种直接测量自聚焦材料周期长度的方法,可直接观察其轴向不匀性,并随之得出相应的分布常数;还可判断自聚焦棒和轴向分布板的离子交换深度及光轴;可用来同时测量n_(λ)、A(λ)。     

空穴在n型半导体内的扩散长度与弛豫时间的关系

本文导出了形成pn结的过程中，反映空的扩散长度Lp与驰豫时间τp及温度T之间相互关系的一个公式，并讨论了该公式的优越性。     

半导体材料的霍耳测量

利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。     

电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。     

光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布

本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了GaAlAs/GaAs多层结构材料的完整纵向分布,包括各层厚度、导电类型、载流子浓度、禁带宽度以及组分分布.为研究激光器、太阳电池等器件提供了一种综合性的材料测试方法.     

以光激射器作长度测量

激光的波长取决于下列两个因素：①经历了正常跃迁的受激原子所产生的辐射波长;②光学共振膣的两块反射镜之间的距离。因此,激光波长的粗值决定子受激原子跃迁的物理条件,而其精确的值则取决于所使用的共振腔的机械线度和光学线度。这样,调节两个反射镜之间的距离(这个距离决定了共振腔的线度)便能改变激光的波长。实验工作者藉助于各种方法,如压电效应或磁致伸缩效应,能将空腔的长度、因而激光的波长调整至选定的值,当然,这个值必然处在受激原子跃迁的正常波长范围之内。     

采用电化学C-V法测量Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的载流子浓度的纵向分布

本文介绍了电化学C—V测试的原理和方法以及新采用的一种装置。在测试过程中,对每个样品的每种类型区采用即时测量C—V关系的办法来确定接触电势V_D,可得到比较接近实际的载流子浓度的纵向分布曲线;结合光电器件的外延、扩散工艺可提供接近实际情况的结果。     

半导体光放大器增益曲线的测量

在半导体激光器端面镀减反射膜以后,我们测量了在高于镀前阈值条件下工作时二极管的增益谱。实验结果与理论相符。     

双面抛光单晶硅片少子扩散长度的测量

本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求出少子扩散长度和背面表面复合速度。本文讨论了该方法的测量范围。