高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究

为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片,对扩散掺杂工艺进行了研究。结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比。扩散所得硅片的测试结果与理论计算相当吻合,当再分布与预淀积时间比为1.5倍时,扩散结深为21.7μm,自停止腐蚀层为14μm。     

降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺

利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.     

降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺

利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.     

10%TMAH硅湿法腐蚀技术的研究

研究了浓度为10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液,在不同量的Si粉掺杂下,对铝膜及硅衬底的腐蚀及其pH值的变化。测试了在满足铝膜极低的腐蚀速率(<1nm/min)时,不同温度下该腐蚀液对硅(100)、(111)和(110)晶面及SiO2介质膜的腐蚀速率。还介绍了添加剂—过硫酸铵(APODS)和吡嗪的加入对腐蚀表面形貌及腐蚀速率的影响。研究结果表明,存在着一个临界的硅粉添加量,超过此量后铝膜的腐蚀速率急剧降低。90℃时,在10%TMAH溶液中加入1 5mol/L硅粉、3 0g/LAPODS和2g/L吡嗪可以实现铝膜不被腐蚀,同时硅(100)面约有1μm/min的腐蚀速率,腐蚀表面平整。腐蚀后的铝膜表面同硅铝丝键合良好,实现了腐蚀工艺同CMOS工艺的完全兼容。     

直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究

直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高．在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。     

掺硼p+-Si外延层厚度的测试方法

给出了一种掺硼p+-Si外延层厚度的测试方法.该方法是根据Si在KOH溶液中呈现的腐蚀特性而衍生出来的.Si在KOH溶液中的腐蚀速率与Si的掺杂浓度有关,当掺杂浓度超过5×1019 cm-3时,腐蚀速率很小,利用这一现象可以测量p+/p结构中p+层的厚度.详细分析了该方法的原理及使用范围,并对测试系统的组成、样品的制备过程和测试方式及测试结果做了说明和分析.该测试方法与磨角染色法相比具有简单易行的特点,该方法可以作为外延工艺的检测手段,以加强对外延过程的监控.     

氢氧化钾和酸性溶液腐蚀硅片的比较

本文研究了KOH腐蚀法,它是代替酸腐蚀以去除硅片损伤的一种方法。业已发现,对硅片用户和生产者而言,KOH腐蚀均优于酸腐蚀。对硅片用户而言,KOH腐蚀使器件成品率更高,硅片更平整,背面形状更好,且避免了金属复盖层;对于硅片制造者而言,KOH腐蚀使下硅片成本更稳定更低,加工工艺更紧凑,加工环境要求更一般,加工温度更易于控制,腐蚀后硅片外形均匀性和一致性更好。作者确定了详细的腐蚀速率。     

利用(110)硅片制作体硅微光开关的工艺研究

采用基于湿法腐蚀工艺的体硅微机械加工方法,利用(110 )硅片结晶学特性,通过光刻、反应离子刻蚀和湿法刻蚀等工艺,在硅片上同时制作出微光开关的微反射镜结构、悬臂梁结构、扭臂梁结构和光纤定位槽结构,器件的一致性好,制作工艺简单.利用扇形定位区域,精确地沿(110 )硅片的{ 111}面进行定向腐蚀,可使微反射镜镜面垂直度达到90±0 .3°,经测量表面粗糙度低于6 nm.     

用准分子激光器辐射法在硅中掺杂精确控制薄层电阻

<正>《IEEE EDL》1991年11期发表了制造VLSI器件中亚微米尺寸的高表面浓度浅结新形成工艺。它用准分子激光器辐射实现硅中的硼掺杂。该工艺的特点是能精确控制高表面浓度的薄层电阻。 工艺制造采用两步方法。第一步是淀积掺杂源,第二步是掺杂原子的掺入。硅片是电阻率     

硼离子选择注入制备多孔硅微阵列

根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺 ,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点 .通过 AFM,SEM测试 ,证明该方法的效果很好