合成和表征NiFe2O4纳米线阵列

采用真空灌注结合溶胶-凝胶和氧化铝模板法,在多孔氧化铝模板中制备了平均直径为50 nm的NiFe2O4纳米线阵列.X射线衍射结果显示所制备的纳米线是纯相的NiFe2O4纳米线,透射电镜和电子衍射的结果显示已制备的纳米线是多晶的且表面光滑,场发射扫描电镜图片显示纳米线是大面积且平行有序的、纳米线的长度和所用的氧化铝模板的厚度相当.磁测量的结果显示此纳米线阵列有形状各向异性,同块状材料相比矫顽力有所增强.对纳米线的生长机理做了简单的讨论.     

溶胶-凝胶模板法合成MnO2纳米线

本文通过两步阳极氧化在 0 .5M硫酸和 5g L草酸混合溶液中制得多孔氧化铝膜 ,经 5wt%的磷酸扩孔处理得到具有孔径大小均一 ,排列有序 ,并具有一定厚度的阳极氧化铝模板 (AAO) ,以该氧化膜为模板 ,用溶胶 凝胶法在其微孔内合成了MnO2 纳米线。利用扫描电镜 (SEM)对模板和纳米线材料的形貌进行了表征 ,发现氧化铝模板微孔直径为 75± 2nm ,MnO2 纳米线直径在 70nm左右 ,长度为 5 0 0～ 70 0nm。通过X 射线衍射 (XRD)检测可知该纳米线为α MnO2 。循环伏安 (CV)表明α MnO2 纳米线在 2 .0mol L (NH4 ) 2 SO4 溶液中具有优良的电容行为 ,比电容达 1 6 5F g ,是一种理想的超级电容器电极材料。     

蓝色发光材料Sr2CeO4的燃烧法合成及表征

以相应的金属硝酸盐和尿素为原料,采用燃烧法合成了蓝色发光材料Sr2CeO4。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及荧光光度计等手段对Sr2CeO4的物相结构、形貌粒度、发光性质等进行了研究。研究发现:适当过量的尿素及恰当后处理温度,有利于获得纯相和高发光亮度的Sr2CeO4粉末。     

铜纳米线阵列的模板组装

采用电解法溶解多孔阳极氧化铝(PAA)模板的阻挡层,用直流电沉积的方法在模板中组装了铜纳米线阵列.分别用扫描电镜和X射线衍射表征铜纳米线阵列的形貌和晶体结构,用电化学法表征了铜纳米线阵列的电催化性能.结果表明,PAA去阻挡层后,伏安图上出现一个阳极氧化峰.恒电位沉积的铜纳米线直径为22nm,沿(111)晶面择优取向.铜纳米线阵列电极能催化亚硝酸根的还原,其催化电流比本体铜电极上大2倍,峰电位正移80mV.纳米铜阵列电极可用于亚硝酸盐的电化学检测.     

甘氨酸燃烧法合成Sr2CeO4荧光粉的影响因素研究

采用燃烧法合成了SraCeO4荧光粉，并利用XRD、FL等技术系统地研究了该荧光粉合成过程中原料配比、添加物乙二醇、H2O2、焙烧时间等工艺条件对物相结构、发光性能的影响．研究表明在1100℃焙烧条件下，随着甘氨酸与硝酸根的摩尔比由0.5：1减少为0.1：1，发光强度先升高后降低；添加适量的乙二醇能有效地提高发光强度；H2O2能有效抑制燃烧的剧烈程度，提高产率；随着焙烧时间由1h延长至3h，发光强度也呈现先升高，后降低的变化趋势，说明适当的延长焙烧时间有利于材料结晶完整。     

模板法合成分叉Ni纳米线阵列及其磁性能

首先采用三次阳极氧化法制备了具有Y形孔道的氧化铝(AAO)模板,然后采用直流电化学沉积法,在模板内成功合成了分叉Ni纳米线的有序阵列.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对所合成样品的晶体结构和形貌进行了表征测试.结果表明,制备的Ni纳米线分布均匀、排列有序,呈Y形分又结构,其...     

交流电化学沉积铜纳米线阵列及其机理探讨

利用二次阳极氧化的方法制备孔高度有序的阳极氧化铝(AAO)为模板,采用交流电化学沉积方法,在AAO模板孔道内制备Cu纳米线。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对Cu纳米线的形貌、晶体结构进行研究。结果表明:模板的孔径均匀,孔道平直。Cu纳米线均匀分布在AAO模板纳米孔隙中,直径均一,并沿Cu(Ⅲ)晶面择优生长;AAO模板孔道生长铜纳米线不光滑,成凹凸状,并对此沉积机理进行探讨。     

TiO2纳米线阵列生长机理的研究

采用两步氧化法制备了多孔氧化铝模板(AAO),并利用AAO结合用电化学诱导溶胶-凝胶法制备了锐钛矿型的TiO2纳米线阵列,探讨了形成TiO2纳米线阵列的生长机理.发现TiO2纳米线是由Au基底沿着孔洞逐步向上生长,直接生成纳米线,因而可以通过控制氧化铝模板的尺寸和电化学沉积的时间来控制纳米线的长径比.     

CuS纳米线阵列的制备

将多孔阳极氧化铝模板(AAO)的电化学沉积技术与真空硫化技术相结合,在制备Cu纳米线的基础之上,制备得到了CuS纳米线阵列.采用扫描电子显微镜电镜和X射线衍射仪对二次氧化的AAO模板和所得Cu与CuS纳米线的形貌和结构进行了表征,结果表明所得CuS纳米线不仅具有良好的有序阵列,而且具有多晶结构.在硫化过程中,随着硫化温度的升高,CuS结晶程度增大,在500～550℃时,达到最大的结晶程度.     

模板法Li4Ti5O12纳米线阵列的制备及其机理分析

通过溶胶填充模板法制备了Li4Ti5O12纳米线阵列,采用SEM、EDS、XRD对纳米线形貌和组成进行了表征.实验结果表明:以孔径为100nm阳极氧化铝模板(AAO),于-0.1MPa负压环境中填充0.8 mol/L Li4Ti5O12溶胶,80℃干燥,900℃空气气氛中焙烧20h,重复填充-干燥-焙烧四次,得到平均直径为70nm尖晶石结构的Li4Ti5O12纳米线阵列.其直径和长度分别由模板的孔径、厚度,溶胶浓度和填充次数控制,晶体结构取决于焙烧时间和温度.并在实验基础上,分析了纳米线形成机理.     

Template synthesis of highly ordered hydroxyapatite nanowire arrays

Highly ordered hydroxyapatite (HA) nanowire arrays were synthesized using porous anodic aluminum oxide (AAO) template from sol-gel solution containing P₂O₅ and Ca(NO₃)₂. Theresults of transmission electron microscopy (TEM) and scanning electron microscopy(SEM) revealed that the obtained HA nanowires had a uniform length and diameter andformed highly ordered arrays, which were determined by the pore diameter and thethickness of the applied AAO template. The results of X-ray diffraction (XRD) and X-rayphotoelectron spectroscopy (XPS) demonstrated that the major component was HA. Theselected-area electron diffraction (SAED) results indicated that HA was a polycrystallinestructure. This novel method of preparing highly ordered HA nanowires with a large areamight be important for many applications in biomaterials.     

CoFe2O4纳米线阵列的制备与磁性

在氧化铝模板的纳米孔洞中,用电化学的方法沉积钴铁合金纳米线,经过550℃、30h氧化处理,成功制备出钴铁氧体纳米线阵列.分别用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁场计(VSM)对样品的形貌、晶体结构和磁学性质进行了表征测试.TEM观察结果显示纳米线粗细均匀,直径约为70nm.XRD显示纳米线的物相结构为CoFe2O4;VSM测试结果表明,CoFe2O4纳米线阵列的磁滞回线矫顽力为1.190×105A/m,比氧化处理前的钴铁合金纳米线阵列有显著提高.     

多孔氧化铝模板合成有序纳米结构材料的研究进展

模板法制备纳米结构是20世纪90年代中期发展起来的一种靠自组装构筑纳米结构的新工艺,在有序纳米结构的合成中有着广泛的应用.从多孔氧化铝模板独特的纳米孔结构出发,讨论了近年来该模板在纳米点、纳米线、纳米管、纳米异质节等纳米结构合成中的具体方法及应用,并展望了其发展前景.     

铁纳米线阵列的制备及磁性质

使用电化学沉积方法，在有序的氧化铝模板（AAO）孔洞中制备了铁纳米线有序阵列．用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、透射电子显微镜（TEM）、对样品的结构、形貌、进行表征和观测．XRD的结果表明所制备的样品为纯的立方面心铁．SEM的图片清晰地说明铁纳米线阵列是大面积、高填充率和高度有序的．TEM的结果显示纳米线直径均匀、表面光滑且长径比大．磁测量的结果表明纳米线阵列的易磁化轴是垂直于模板表面的。     

氧化铝模板的研究进展

阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）模板具有独特的纳米数量级的多孔结构，其孔洞孔径大小一致，排列有序，分布均匀。以阳极氧化铝为模板合成零维纳米材料、一维纳米材料（纳米线，纳米管）具有制备效率高、可靠性好等优点，已成为纳米复制技术的关键之一。目前，利用AAO模板已经可以合成多种介观结构材料。重点综述了近年来AAO模板制备及应用进展。     

基于TNT敏感聚合物的纳米阵列结构的制备与性质

利用多孔氧化铝模板法制备了两种1,3,5-trinitrotoluene(TNT)敏感的荧光共轭聚合物Tri-phenylamine-CO-para-biphenyene vinylene(TPA-PBPV)和Triphenylamine-co-para-phenyl-ene vinylene(TPA-PPV)的纳米线阵列结构.纳米线的直径在80～100 nm之间,高度在150-200nm之间.和固体薄膜相比,TPA-PBPV和TPA-PPV荧光光谱都发生了蓝移,TPA-PBPV的发射峰从485变为455 nm,PPV的峰从495 nm变为475 nm.蓝移的发光表明聚合物纳米线阵列可以抑制低能量陷阱,有望提高材料的传感性能.     

纳米二氧化铈的电化学制备与表征

在铈盐溶液中用电解的方法制备了CeO2 纳米粉体。X 射线衍射表明 ,所得产物为立方晶系CeO2 ;SEM分析表明 ,CeO2 纳米粒子呈球形 ,晶粒度约 10nm ;TEM分析表明 ,粒径分布均匀 ,粒子不发生团聚 ;电子衍射表明 ,CeO2 纳米粒子为多晶结构。实验探讨了溶液浓度、电流密度等因素对CeO2 质量和产量的影响     

图案化金属铜纳米线阵列的制备与表征

采用紫外线光刻技术与电化学沉积相结合的方法,成功制备了不同图案的铜纳米线阵列:一种是圆形图案;另一种是QDU图案.首先利用紫外线光刻技术在多孔阳极氧化铝模板(AAO)生成预设图案,以此作为"二次模板";再利用电化学方法将铜纳米线沉积到"二次模板"的开孔中.扫描电镜(SEM)测试结果表明,大面积、高规整的铜纳米线图案阵列各自独立地立在基底上, 同时,用电子能谱(EDS)分析了铜纳米线的化学成分.透射电镜(TEM)也探测到了铜纳米线的微结构.     

Template synthesis of LaMnO3+δ ordered nanowire arrays by converse diffusion or convection

A method, whereby metal ions and precipitation reagents were transported in the nanochannels of anodic alumina membrane (AAM) templates by converse diffusion or convection and reacted in situ to form into one-dimensional nanostructure of the precursor, was developed. A high-aspect ratio nanowire array of the LaMnO_3+δ was prepared by this method. Electron microscope images showed that the LaMnO_3+δ nanowire array was abundant, uniformly distributed and well-ordered in large area. The individual nanowires are about 60 nm in diameter and their length corresponds to the thickness of the applied AAM template. The analysis of X-ray diffractions demonstrated that the LaMnO_3+δ nanowires are pseudocubic with typical perovskite lattice parameter.