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(La,Pr)2/3Sr1/3MnO3薄膜激光诱导电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了钙钛矿锰氧化物La2/3Sr1/3MnO3和Pr2/3Sr1/3MnO3单晶薄膜的激光诱导电阻变化特性.低温铁磁金属相,激光诱导使薄膜的电阻增大,而在顺磁绝缘相则电阻减小,同时薄膜的绝缘体-金属相变(IMT)转变温度Tp向低温方向移动.对于Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜,当激光功率为22mW时,光致电阻相对变化的最大值约为9.6%.光诱导效应致使薄膜的电阻发生变化,并使其IMT的转变温度点向低温方向移动,主要是由于光子能激发eg向下电子的跃迁,改变体系自旋极化方向. 相似文献
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Ba0.5Sr0.5 TiO3薄膜、Ba0.1Sr0.9 TiO3/YBa2 Cu3O7-δ异质薄膜的制备及介电性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
铁电钛酸锶钡(BSTO)薄膜具备十分优越的铁电/介电性能,在可调谐微波器件和动态随机存储器(DRAM)方面显示出十分诱人的应用前景.而YBa2Cu3O-δ(YBCO)高温超导薄膜作为其电极引入,明显降低了微波损耗,能够大大优化器件的性能.本文针对微波器件性能要求对比了各种常用基片的性能参数,描述了目前BSTO薄膜与BSTO/YBCO异质薄膜制备中存在的问题以及薄膜介电性能测试表征方法.利用脉冲激光沉积(PLD)技术成功制备出结构完整和质量较高的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.同时,在1.2°斜切LaAlO3基片上研制有Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ异质双层膜,在1MHz频率、77K温度条件下,其介电常数为1200,介电损耗为0.0045,±30V直流偏压时可调性达到60%,在液氮温度下表现出良好的应用前景. 相似文献
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采用甘氨酸-硝酸盐法合成了钙钛矿结构LSCFM(y=0.20、0.35、0.50、0.65、0.80)材料.用直流四探针法测定了材料在100~800℃静态空气气氛中的电导率,结果表明,其导电行为符合小极化子导电机制,电导率随温度的升高而增大.电子跳跃能随Mn含量的增大而减小,而小极化子跳跃几率随Mn含量的增大而增大,使材料电导率随Mn含量的增大而增大.用碘滴定法测定了材料的氧非化学计量值,结果表明,氧非化学计量值随Mn含量的增大而增大,LSCFM(Y=0.20)晶格内存在一定的间隙氧,而LSCFM(y=0.35、0.50、0.65、0.80)晶格内存在少量的氧离子空位. 相似文献
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介绍了对SrCo0.8Fe0.2O3-δ、SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ两种透氧膜材料相组成、热学性能及氧渗透性能的研究,发现实验中获得的SrCo0.8Fe0.2O3-δ透氧膜材料具有长期的相组成稳定性;在它的B位进一步用Sn取代部分Fe,获得名义组成SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ样品,具有典型的双相组成特征.与单相SrCo0.8Fe0.2O3-δ相比,双相结构SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ样品的热膨胀率降低,抗热冲击性能增加显著;同时,氧渗透性能也有一定程度的提高,如1.2mm厚的SrCo0.8Fe0.2O3-δ陶瓷膜样品在1000℃具有1.87×10-6mol·cm-2·s-1的透氧率(Po2(h)=2.09×104pa,Po2(1)=1.2×103Pa),同样条件下的SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ样品透氧率为2.49×10-6mol·cm-2·s-1. 相似文献
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采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出多晶La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜,对其电脉冲致非挥发可逆电阻开关特性进行研究.结果表明,Ag/LSMO/Pt结构具有明显的室温电脉冲诱发电阻开关特性,且在宽电压脉冲作用下表现出较低的开关电压和较快的变阻饱和速度.由此可见,总脉冲能量或电荷(电流作用)为该结构的电阻开关效应提供驱动力.对Ag/LsMO/Pt结构进行了耐久性测试,表明该结构具有良好的疲劳特性与保持特性,可应用于新型不挥发存储器、传感器及可变电阻等电子元器件的研制 相似文献
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采用传统的高温固相反应法制备了La0.8Sr0.2Mn1-xCoxO3(x = 0, 0.1, 0.3)多晶样品。系统研究了Co掺杂量对La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)多晶样品的类Griffiths相、磁熵变、临界行为和电输运性质的影响。研究结果表明: 制备的多晶样品均具有菱形对称结构; 三样品在低温磁转变温度(TC2)以上均存在类Griffiths相; La0.8Sr0.2Mn1-xCoxO3(x = 0, 0.1, 0.3)样品外加磁场为7 T的最大磁熵变ΔSmax分别为-2.28、-2.05和-2.75 J/(kg·K), Co元素的掺杂使得ΔSmax先减小后增大; 母相的临界行为与平均场模型拟合得最好, 掺杂后样品的临界行为和3D海森伯模型拟合最好; 母相为半导体材料, Co元素掺杂量达到0.1时在低温磁转变温度(TC2)附近出现金属绝缘体转变; 高温区三样品的导电方式均满足小极化子模型。 相似文献
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利用PEG法合成了粒度约为30nm的处于正交结构的钙钛矿型氧化物La0.7Sr0.3FeO3-δ;通过对此氧化物进行高温后处理得到了立方和菱方结构的同化学计量比氧化物,测量了这三种不同结构样品的XPS谱和Mossbauer谱,并同由固相反应法得到的同样化学计量的正交和立方混相氧化物进行了对比。结果表明Sr3d由处于体相和表面两种状态组成,随粒度的增加,体相含量增加,同时Fe2p3/2亦发生了明显的 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备了La0.5Sr0.5Mn1-xCoxO3(x=0.1~0.5)的系列样品,通过XRD、SEM和VSM对样品进行了表征.结果表明:随着Co3 离子掺杂量的增加,样品的结构由正交晶系向单斜晶系转变,这种现象的产生是由于Co3 离子半径(r=0.754nm)与Mn3 离子半径(r=0.68nm)不匹配造成的.样品形貌为均匀的球形,平均直径50nm左右.样品的居里温度和居里温度附近的磁熵变随Co3 掺杂量的增加先下降后升高,这是由于参加双交换作用的离子数目减少和结构畸变导致的. 相似文献
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采用离子束溅射法在氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)和SiO2衬底上溅射<薄膜,测试了不同工艺制备的La0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜样品的XRD谱和电导率。分析了薄膜表面微结构以及电学性能。结果表明:在YSZ衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜随着热处理温度的升高取向增强,当薄膜经过750℃热处理后结晶度最好;各样品直流电导率在低温段的Arrhenius曲线近似为直线,表明材料的导电行为符合小极化子导电机制;交流电导率在低频段(<100kHz)电导率主要是靠晶界导电贡献的,而在高频区(>100kHz),样品对交流电响应更加明显,电导率主要是靠晶粒导电贡献的。 相似文献
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La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用脉冲激光沉积的方法在Si(100)氧化成SiO2的基片上制备了(La2/3Sr1/3MnO3)x/(ZnO)1-x混合物薄膜,研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明,除了衬底SiO2的衍射峰以外,分别出现了La2/3Sr1/3MnO3(101)的衍射峰和ZnO(002)的衍射峰,且它们形成了两相共存体系. 实验表明:x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性,而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下,x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明,在La2/3Sr1/3MnO3和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层,且产生了界面缺陷态. 相似文献
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采用固相反应法合成了钙钛矿型Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2-xCrxO3-δ(x=0.00,0.10)透氧膜粉体。利用XRD和SEM研究了Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2-xCrxO3-δ(x=0.00,0.10)的晶体结构和烧结性能,考察了在700~850℃范围内Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2-xCrxO3-δ(x=0.00,0.10)膜片的氧渗透性能。结果表明,它们均显示出优良的透氧性能,850℃时的透氧量分别为1.05mL/(min.cm2)、0.85mL/(min.cm2)。透氧稳定性的研究表明,Cr掺杂Ba0.5Sr0.5-Co0.8Fe0.1Cr0.1O3-δ在800℃时显示出较高的稳定性,证实用Cr离子部分取代Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3-δ的Fe离子能明显提高钙钛矿的结构稳定性。 相似文献
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SrCo0.8Fe0.2O3-δ及SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ 的热学性能与透氧性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了对SrCo0.8Fe0.2O3-δ、SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ两种透氧膜材料相组成、热学性能及氧渗透性能的研究,发现实验中获得的SrCo0.8Fe0.2O3-δ透氧膜材料具有长期的相组成稳定性;在它的B位进一步用Sn取代部分Fe,获得名义组成SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ样品,具有典型的双相组成特征.与单相SrCo0.8Fe0.2O3-δ相比,双相结构SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ样品的热膨胀率降低,抗热冲击性能增加显著;同时,氧渗透性能也有一定程度的提高,如1.2mm厚的SrCo0.8Fe0.2O3-δ陶瓷膜样品在1000℃具有1.87×10-6mol·cm-2·s-1的透氧率(Po2(h)=2.09×104Pa,Po2(1)=1.2×103Pa),同样条件下的SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ样品透氧率为2.49×10-6mol·cm-2·S-1. 相似文献