三阶色散对超高斯型脉冲传输特性的影响

从修正的非线性Schr?dinger方程出发,采用变分法,导出了在三阶色散情况下超高斯型脉冲参数随传输距离的演化方程组及其解,讨论了三阶色散对光纤中不同锐度超高斯脉冲传输特性的影响。求出了振幅与脉宽、脉宽与啁啾、啁啾与频率及中心位置之间的三个解析约束关系,得出了脉宽随传输距离演化的解析解,用龙格-库塔法进行数值求解描绘了不同锐度下三阶色散对光纤中超高斯脉冲的脉宽的影响。结果表明：超高斯型脉冲满足绝热特性,色散系数增大到0.3或脉冲前后沿锐度系数m≥3时,脉冲信号便会明显地被展宽,其周期也大幅度地变大。     

利用超导量子相干装置一步制备W类纠缠态

鉴于一种新形式的W类纠缠态作为纠缠通道可以实现概率为100%的量子隐形传态和密集编码的特殊优势,我们提出一个基于超导量子相干装置在单模谐振腔中制备该W类纠缠态的方案。在这个方案里,只需利用超导量子相干装置和腔场发生共振相互作用,一步便可制备W类纠缠态。在目前的腔QED技术条件下, 该方案是可以实现的。     

泵浦波长对光子晶体光纤中飞秒脉冲压缩的影响

采用分布傅立叶方法数值模拟了飞秒光脉冲在光子晶体光纤反常色散区的非线性传输和压缩过程。计算和分析了不同泵浦波长对光子晶体光纤中超短脉冲传输和压缩的影响,结果表明,在相同初始脉冲峰值功率条件下,泵浦波长为1000nm的脉冲压缩因子和峰值功率最大,最佳光纤长度最短,但品质因子适中,并且随着初始峰值的增大,其压缩因子增长幅度最大。合理选择泵浦波长,有利于增强压缩效果,提高脉冲压缩质量和峰值功率,使得最佳光纤长度减小。     

SrAl2O4 ：Eu2+和SrAl2O4 ：Eu2+，Dy3+长余辉和热释光谱

对比研究了SrAl2O4:Eu2+和SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的余辉特性和热释光谱,并探讨了Dy3+的掺杂对SrAl2O4:Eu2+陷阱能级的影响。XRD晶相分析表明: Eu2+和Dy3+的掺杂并没有改变SrAl2O4的晶体结构。发光分析表明：Dy3+的掺杂没有改变SrAl2O4:Eu2+的光致发光光谱和发光中心。热释光谱对比分析结果显示：Eu2+的掺杂在SrAl2O4的禁带中引入了两个深度不同的陷阱能级;Dy3+的掺杂并不改变原来陷阱能级的深度,却能够显著地增加原来浅陷阱能级的密度,从而改善了SrAl2O4:Eu2+的余辉特性。不同等待时间的热释光谱曲线显示：在室温下,不同陷阱能级衰减规律的差异以及陷阱能级间存在的电子转移,可能造成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料复杂的余辉衰减规律。     

双量子比特系统耦合度J大小的测量(英文)

提出了一种可以精确测量有耦合的双量子比特系统的耦合项J的大小的方法.通过绝热近似计算得到了系统的哈密顿量的四个能级及其相对应的绝热本征态.利用求解得到的本征态计算分析了两低能级本征态的极化矢量,得到在对称系统中,耦合项J的大小等于使两低能级态的极化矢量长度发生突变时的外加磁场的z分量的值.此外,还利用两个不同的纠缠定义计算分析了系统的纠缠程度.在对称系统中,各个本征态的纠缠度和冯·诺伊曼熵基本相一致.     

Hg1—xCdxTe深缺陷能级研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p~+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空穴陷阱,电子陷阱的能级位置分别为E(0.06)和E(0.15),空穴陷阱的能级位置分别为H(0.075)和H(0.29).这些深能级的浓度约为浅能级浓度的百分之几.通过改变注入脉冲的宽度,测量了这些能级的多子俘获截面,根据这些深能级的特征参数,估算了器件的少子寿命和零偏压的动态电阻与面积的乘积,并讨论了一些缺陷能级的本质.     

LD泵浦的Cr4+:YAG被动调QNd3+:YAG激光器

从理论和实验两个方面研究了ＬＤ泵浦的Ｃｒ４＋ＹＡＧ被动调ＱＮｄ３＋ＹＡＧ激光器,在考虑激活介质能级精细结构及激活介质有限下能级寿命的情况下,推导了连续泵浦的被动调Ｑ激光器输出脉冲重复率的解析表达式;测量了不同实验条件下的脉冲能量、脉冲宽度和脉冲重复率,并与理论结果进行了比较,理论结果与实验结果大致相符。     

Sr2FeMoO6薄膜激光感生热电势效应的研究

采用脉冲激光沉积法在倾斜SrTO3 (100)衬底上制备出高质量的Sr2FeMoO6薄膜,观察到薄膜在可见、红外波段的脉冲激光照射下具有很大的激光感生热电势效应(LITV)。研究表明,用1064nm和532nm波长的脉冲激光从薄膜表面垂直照射时,薄膜表面产生的最大峰值电压分别为0.9V和0.8V,并且LITV信号与激光能量成良好的线性关系,可用以制造高灵敏度的激光功率计/能量计。当激光从SrTO3衬底方向照射时,LITV极性发生变化。上述现象用各项异性Seebeck效应给与了解释。     

半导体中杂质的自电离态的理论

本文的第一部份,发展了一个描述半导体中杂质自电离态的形式理论,它是类似于原子自电离态的组态相互作用模型.从这个理论得到了杂质自电离态的能级位置、能级宽度和波函数的表达式,并说明了在连续吸收谱上,杂质自电离态表现为一个非对称的Fano型的峰. 本文的第二部份发展了一种计算半导体中杂质自电离态的具体方法,称做复坐标方法.作为一个例子,计算了硅中具有Γ_7对称性的受主自电离态的能级和宽度.     

脉冲微波引起的量子拍吸收

在~(87)Rb气泡先抽运实验中,用满足τ<2πh/ΔE_L(ΔE_L:两个超精细能级的间隔)条件的τ宽度脉冲微波作用在~(87)Rb原子基态,使原子处于相干叠加态,这时光抽运后光检测到在脉冲微波结束后的光信号被调制,即在衰减信号中有不同频率的周期信号。这是在微波波段中首先观测到的。用量子力学密度矩阵计算得到这是光吸收中相干态发生的拍现象,计算结果与实验相符。     

新型绝热微环谐腔型低功耗硅基调制器的设计

为了改进绝热微环谐腔型的结构、降低谐振腔腔体损耗,采用了基于绝热过渡曲线的设计方法,提出了新型载流子注入/抽取结构,进行了理论分析和实验验证,取得了绝热微环谐振腔的谐振峰线宽、消光比及频率响应参量数据,比较了其与传统微环谐振腔的损耗.结果表明,使用所设计的外半径为2m的谐振腔的谐振峰线宽仅为普通微环谐振腔的29.5%,消光比为13.5dB,电阻电容限制带宽提高了4倍,10Gbit/s调制速率下能耗仅为5.1fJ/bit.这一结果大幅改善了绝热微环谐振腔的频率响应特性,降低了功耗.对腔形和载流子注入/抽取结构的研究可以进一步改善绝热微环谐振腔的性能,推动低能耗器件研究的发展.     

非线性负折射率材料表面TE电磁波的空间稳定特性分析

针对电磁波在正负非线性材料界面处的传播,研究了两种稳定状态下电磁波的物理特性。理论分析和数值计算表明,该界面处电磁波的传播存在着频率通带,且带宽仅与两种材料的固有属性有关。得出前向表面波和后向表面波均可以在这种非线性导波系统中传播,并且在一定条件下,随着频率的变化,前向表面波和后向表面波可以在两种材料中跃变。推论出两种稳定传播的电磁波场峰值位置随传播功率的变化也能实现在两种材料中跃变,并逐渐向界面靠近,而传播功率较大的稳定态电场峰值几乎靠着界面。     

量子棒中强耦合磁极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合磁极化子的性质。导出了量子棒中强耦合磁极化子的振动频率和声子平均数随磁场的回旋频率、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比和横向和纵向有效受限长度的变化关系。数值计算结果表明：振动频率和声子平均数随电子-声子耦合强度和磁场的回旋频率的增加而增加,随横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大。当 时,振动频率和声子平均数随椭球的纵横比的增加而增加。 时,随着椭球的纵横比的减少,振动频率和声子平均数都增大。当 时,振动频率和声子平均数取极小值。     

双光子亮屏蔽光伏空间孤子的自偏转特性

基于外加电场的双光子光伏光折变介质，数值研究了光折变介质中亮屏蔽光伏孤子的自偏转特性。结果表明：考虑扩散效应后，双光子亮屏蔽光伏孤子的中心沿一个抛物线轨迹在晶体光轴的反向上产生自偏转；孤子中心偏转距离首先随着外加电场的增加而增加，当外加电场增加到某一特定值后，孤子的自偏转距离随着外加电场的继续增加反而减小。亮孤子自偏转距离随着入射光强的增加也表现出先增加后减小的非线性变化规律。     

Double-resonance method for the determination of level populations

The hyperfine transitions of atoms in the ground state are split when RF fields, whose frequencies correspond to the energy differences between the Zeeman sublevels, are applied. It is shown that the measurement of the intensities of these lines provides a very good determination of the populations of the different states. The calculation is made in the two extreme conditions of adiabatic or sudden application of the RE perturbation. The triplet splitting of theDeltam = 0transition of a hydrogen maser used as an amplifier is studied experimentally under the sudden passage condition and this method is used to measure the efficiency of a state selector that improves the atomic beam composition of a H maser.     

飞秒时间分辨质谱技术在超快动力学中的应用进展

飞秒时间分辨质谱技术是飞秒抽运-探测技术与飞行时间质谱技术的结合。可以测得在不同抽运-探测时间延迟下,分子电子激发态电离或解离而来的离子质谱; 不同抽运-探测时间延迟下,质谱信号强弱的变化反映了激发态布居数的时态信息; 给出了分子激发态和里德堡态中准确的寿命信息、分子激发态势能面非绝热耦合信息以及分子过渡态信息。介绍了飞秒时间分辨质谱技术在分子激发态研究中的最新应用进展,以及在里德堡态解离、异构化、内转换、系间交叉等超快动力学过程研究中的最新进展。指出飞秒时间分辨质谱技术将在一些新现象的研究中发挥重要的作用。     

Compton散射下的3阶色散对超短光孤子脉冲自频移的影响

应用多光子非线性Compton散射模型,对Compton散射下的3阶色散对超短光孤子脉冲自频移的影响进行了研究,通过理论分析、数值模拟和拟合,结果表明,Compton散射使3阶色散对孤子自频移有较强的抑制作用,在时域中引起孤子脉冲的调制振荡结构更为明显,频域中的频谱被分为两个较清晰的、峰值较高的谱峰,孤子自频移 ,但其斜率不同于散射前的斜率。     

光纤中随时间变化的三阶非线性对类明孤子传输特性的影响

从MNLS方程出发,考虑三阶非线性微扰的作用,采用变分法,求得拉格朗日密度函数表达式。在此基础上,推出了类明孤子脉冲参数随传输距离的演化方程组,讨论了三阶非线性微扰对类明孤子传输特性的影响。