砷化镓中的离子注入

在半导体器件制造工艺中,离子注入技术日益广泛地得到应用。特别是在硅器件中,利用离子注入制作MOS器件和双极晶体管以及MOS集成电路等都已投入大量生产。预计在1975～1980年将实现全注入MOS及双极大规模集成电路。在化合物半导体中的离子注入技术也在进行广泛研究,特别是在砷化镓方面的研究已取得较大成果,正逐步应用于器件制造中。     

离子注入技术在半导体器件制作中的应用

本文概述了离子束工艺,举例说明离子注入在半导体器件制作中的应用。     

快速热工艺(RTP)技术及其在VLSI制备中的应用

快速热工艺(RTP)是随着VLSI的迅速发展而发展起来的一项新型的快速半导体器件工艺。本文阐述了RTP技术的基本原理、主要工艺特点,以及在超薄栅介质膜的制备,超薄硅外延层的生长,离子注入后的退火和硅化物的形成等多种VLSI制备工艺中的应用。最后展望了RTP的前景和指出了尚待解决的问题。     

会议消息

*第五届离子注入设备与工艺国际会议将于1984年7月23—27日在美国弗蒙特州,杰斐逊维尔,斯姆格拉狭谷举行。会后紧接着在美国依萨卡召开离子束材料改性(简称IBMM)会议。本届会议的主要议题是离子注入设备和工艺技术的最新进展,特别着重在半导体器件上的应用。投稿论文可选择下述题目:高能注入,基片冷却,快速退火,掩蔽效果,离子束掺杂,金属除气,残余缺陷产生以及设备研究设计的最新进展等。     

CCD摄象器件(1)—CCD摄象器件的基本概念

电荷耦合器件(CCD)是1970年在MOS工艺基础上发展起来的新型半导体器件。它和戽链器件(BBD)等一起,通常统称为电荷转移器件(CTD)。与以前在热平衡状态下工作的双极和单极半导体器件相反,CCD是一种在非平衡状态下依靠势阱转移电荷信息的、具有独特工作机构的器件;是在硅工艺     

离子注入原理和应用(一)

本文对离子注入技术进行了比较系统的阐述,试图通过它来帮助半导体器件设计和工艺人员对离子注入机的基本原理、离子注入的物理过程、注入工艺参数的设计和选择、以及为什么目前在半导体领域中纷纷采用这门技术等问题有一个基本的了解。同时,也试图与离子注入机的设计和制造人员探讨一个问题:即从半导体器件工艺角度出发,为什么对离子注入机要提出一些特殊的要求。     

全离子注入双极硅微波晶体管E-B结低、软特性浅析

通过全离子注入双极硅微波晶体管研究中出现的E-B结特性软、低击穿和β变小等现象,从理论上给以浅析,同时,指出了设计和工艺上改进的措施。     

NSDC再度亮相APOC

NEC化合物半导体器件株式会社(NCSD)自2001年10月成立之日起,即专注于更好地满足无线、光通信及光电用户在化合物半导体器件方面的需求.凭借其全球领先的硅、微波化合物器件及光半导体器件设计与生产方面的优势,NCSD已成为服务于全球宽带网络与移动通信网络的光半导体、微波化合物半导体及微波硅半导体器件的专业器件生产厂商.2003年11月3日NCSD携其光半导体器件产品,以豪华整容再次出展APOC2003(亚太光通信及无线通信会议) & IOIT(武汉国际光电子信息技术博览会)展览会.这已是NCSD 第二次参加APOC展览会,足见其中国市场对其的吸引力,该公司的负责人认为,亚洲,尤其是中国市场是一个急速成长中的市场,对于NCSD公司而言,这个区域相当重要.     

离子注入模型

本文结合我们的科研工作,阐述了半导体器件工艺模拟中的离子注入模型,并指出,由于离子注入具有能精确控制工艺参数,并能在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层等特点,因此在工艺模拟中选用合适的离子注入模型对于提高工艺模拟的精确性是十分重要的。     

NSDC再度亮相APOC

NEC化合物半导体器件株式会社NCSD)自2001年10月成立之日起,即专注于更好地满足无线、光通信及光电用户在化合物半导体器件方面的需求。凭借其全球领先的硅、微波化合物器件及光半导体器件设计与生产方面的优势,NCSD已成为服务于全球宽带网络与移动通信网络的光半导体、微波化合物半导体及微波硅半导体器件的专业器件生产厂商。2003年11月3日NCSD携其光半导体器件产品,以豪华整容再次出展APOC2003(亚太光通信及无线通信会议)& IOIT(武汉国际光电子信息技术博览会)展览会。这已是NCSD第二次参加APOC展览会,足见其中国市场对其的…     

磷硅玻璃在应用高能粒子技术制造半导体器件工艺中的作用

一、问题的提出 随着半导体器件向着小尺寸,高集成度方向发展,许多新的工艺技术比如电子束曝光、ⅹ-射线曝光、离子注入、射频溅射、等离子体氧化、等离子体刻蚀等等新技术已开始用在半导体器件制造工艺中。这些工艺的共同特点是在过程中应用了某些高能粒子或光子。现已研究表明,暴露在高能电子、光子和离子环境中的SiO_2-Si结构,由于电离辐射,引起SiO_2-Si结构中界面电荷和界面态密度增加。有时     

离子注入技术在半导体器件制造中的广泛应用

1971年5月在西德召开了半导体离子注入技术的第二届国际会议,根据该会的报导,离子注入技术在半导体器件制造中的用途日益广泛,现综合介绍其用途的几个方面如下: 1、离子注入MOS技术。据美国休斯公司的介绍,这方面的技术包括:离子注入自对准栅、阈值控制技术、垂直壁离子掺杂形成互补MOS、MOS微波器件、离子注入技术形成高压MOS及在二氧化硅中形成抗辐射的电荷、电子陷阱等。现仅举两例,离子注入实现的自对准栅比硅栅、钼栅等自对准结构更好,沟道长度短,栅与漏的复盖更进一步     

聚焦离子束装置

聚焦离子束(Focused Ion Beam)技术作为制作光集成电路及三维器件等最新的高性能半导体器件的手段之一,令人注目。特别是利用它进行离子注入是很有前途的。常规的离子注入法是先形成杂质气体的等离子区,从中引出离子,经加速后注入硅或砷化镓基片内,由于这种方式的离子束直径大,所以需用掩模来限制离子注入的区域。随着半导体器件的高集成化,电路图形越来越缩小,1M位以上的存储器其图形尺寸要求在1μm以下,用掩模的方法制出亚微米图形是比较困难的,而聚焦离子束技术可实现无掩模注入,从而成为一项重要的新工艺。     

《微电子学》一九七七年第2期要目预告

用 C—V 测量技术研究 HCl 氧化对表面态的影响新式16位微处理机之一——日本东芝公司的 TC5005型 CMOS 中央处理机一种具有 MNOS 型的高速 ESFISOS 可编程序逻辑阵列集成注入逻辑工艺硼扩散源及其在半导体器件中的应用等离子腐蚀概论采用离子注入的新腐蚀法     

廿年回顾——机电部十三所研制GaAs MES FET和GaAs IC概况

1 引言 微波小功率低噪声晶体管和微波功率晶体管是机电部十三所传统的研究领域之一。作为主要的三端微波半导体器件之一的硅微波器件在六十年代末期低噪声器件已趋成熟,器件性能已经接近理论设计的物理极限。1966年,美国的米德提出砷化镓金属半导体场效应晶体管,或称砷化镓场效应管(简称GaAsMES FET)。砷化镓材料在迁移率等方面的性能比硅材料优越得多,GaAs MES FET的微波性能更使硅微波器件望尘莫及,因此,     

改用离子注入替代外延生产话筒管

结型场效应晶体管，长期来几乎都是采用外延扩散法工艺，随着微电子技术发展，半导体生产的离子注入设备及工艺相继推出，离子注入工艺越来越成熟。本文介绍了应用离子注入替代外延扩散制造话筒管的工艺概况。     

硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制

应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。     

苏联离子注入机研制工作发展概况

1 前言 和一些发达的西方国家一样,苏联在离子注入半导体方面的研究工作也是起步于五十年代和六十年代初,最初进行这项科研的学科是半导体物理和固体原子碰撞物理。1952年列宁格勒技术物理研究所的M.M.Berdov观察到P型锗在受到Li~+离子辐照时其导电类型发生变化的现象。1961年库恰托夫原子能研究所离子轰击研究室的V.M.Gusev和M.I.Guseva用Ⅲ—Ⅴ族元素的离子辐照硅时获得了整流性能很好的p—n结。这些以及随后进行的一些研究工作证实了将离子注入到半导体器件的技术是可行的,这种新出现的技术提出了研制合适的工业用的离子注入设备的要求。     

一种新的深硅槽工艺技术

提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口硅的腐蚀速率,实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。     

离子注入机

半导体器件制造过程中有一种叫做扩散的主要工艺。扩散技术是指在高温下通过“扩散”的方法将杂质原子掺入半导体片。近几年来,而为适应半导体器件高性能的需要,出现了较为引人注目,应用日益广泛的新的掺杂方法——离子注入技术。离子注入技术是一种同扩散技术的原理完全不同的掺杂方法。离子注入法的原理是用电场加速掺杂离子,利用具有一定能量的离子的动能,使离子注入到固体材料晶格中,改变固体材料的组分和性质,经适当温度的热处理,以形成 PN 结或欧姆接触。离子注入的剂量取决于束流值和时间,注入深度取决于加速电场。