65 nm工艺及其设备

介绍了65nm工艺及其设备。它包括光刻工艺与193nmArf/浸入式光刻机、超浅结工艺与中电流/高电流离子注入机、铜互连工艺与PVD/ALD设备、CMP工艺与低应力CMP设备和清洗工艺与无损伤清洗设备等。     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

德州仪器计划采用65nm工艺

德州仪器日前宣布了65nm半导体制造工艺技术的详细信息，与90nm技术相比，采用该技术可将晶体管体积缩小一半，性能提高40％，不仅可将空闲晶体管的功耗降低100倍，而且可同时集成数亿个晶体管，以支持片上系统(SoC)的模拟与数字功能。目前，4MB SRAM内存测试阵列已经投入正常使用，计划于2005年第一季度推出采用新工艺技术构建的无线产品样品。     

65nm/45nm工艺及其相关技术

介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。     

生于竞争激烈时 长于竞争激烈中

继Intel、AMD之后,Cyrix也正式推出其具有MMX指令集的高性能微处理器6x86MX~(TM),代号为M2。 经Cyrix精心策划、深思熟虑的产品,正值市场需要大量低价位多媒体产品的时候适时推出,它是否能后发制人?是否能在竞争中求得发展?是否能象设计者们所希望的那样对多媒体电脑市场产生相当大的冲击?这主要还在于该产品的实力、Cyrix公司所采取的市场策略及业界对它的支持,最终用户对它的认可。     

英飞凌推出65nm CMOS工艺手机芯片

英飞凌科技日前宣布推出第一批采用其65nm CMOS工艺生产的手机芯片。采用该芯片的手机能顺利拨入各GSM网络并实现无障碍连接。这种新技术具有高性能、低功耗的特点，据称是英飞凌目前准备进行量产的逻辑电路所采用最先进的半导体技术。采用该新工艺生产的第一批产品预计于2006年底上市。     

研发≤65nm工艺的最新进展

本文介绍了当前世界顶级半导体公司、材料公司、设备公司和微电子科研中心研发65nm、45nm、32nm和5nm工艺的最新进展和成果。     

65nm工艺FPGA已趋成熟

更先进的工艺一直是半导体行业提高性能和降低功耗的一个基本手段，前提是巨大的工程和研发投入，因此只有业界巨头才有实力率先使用。     

65nm半导体工艺发展策略

本文研究Altera在65nm工艺上的工程策略,介绍公司如何为客户降低生产和计划风险,并同时从根本上提高密度、性能,及降低成本和功耗.     

英飞凌推出65nm CMOS工艺手机芯片

英飞凌科技日前宣布推出第一批采用其65nm CMOS工艺生产的手机芯片。采用该芯片的手机能顺利拨入各GSM网络并实现无障碍连接。这种新技术具有高性能、低功耗的特点,据称是英飞凌目前准备进行量产的逻辑电路所采用最先进的半导体技术。采用该新工艺生产的第一批产品预计于2006年     

65 nm的互连线工艺灵敏度分析

集成工艺尺寸的不断缩小使得工艺偏离效应(process variation)成为实现集成电路高成品率设计的关键.本文通过互连线工艺灵敏度分析来探讨工艺偏离效应问题.首先利用TCAD软件仿真单变量试验样本,对仿真样本数据统计3-σ值,定性分析灵敏度关系.然后用最小二乘法拟合曲线,定量分析65nm的互连线工艺灵敏度.分析结果表明互连线寄生参数随互连线宽度变化最为显著.     

赛灵思推出65nm工艺新一代Virtex FPGA

在GIobalpress电子峰会上，赛灵思公司展示了其65nm工艺新一代Virtex FPGA系列中的首款器件。     

赛灵思Virtex-5平台FPGA拉开65nm竞争帷幕

2005年末,赛灵思就宣布成功生产出了65nm FPGA晶圆原型,其采用 65nm工艺的新一代Virtex-5系列平台 FPGA终于在近日撩开了神秘面纱。     

美洲:竞争激烈

从2003年年初到2004年年底,美洲电信指数增长了将近20个百分点,而在德勤的前一份报告中该指数则下降了73%,形势发生了戏剧性的好转。总体的走向与其余两个地区大体上保持一致。在美洲地区,美国和加拿大这两个成熟市场的用户增长率适中,巴西和墨西哥在用户数和服务营收这两     

从65nm到45nm

英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。     

前段工艺竞争激烈半导体设备业前景不一

随着半导体景气的复苏,半导体制造大厂纷纷扩大资本支出添购设备,以求能在下一代的竞争中击败对手.其中,和半导体厂资本支出波动幅度最息息相关的就是设备制造商.1980～2000年全球半导体资本支出年复合增长率为14.6%,同时间半导体设备增长率为1 4.3%,由此可见设备制造的景气几乎是伴随半导体制造大厂的资本支出情况而上下起伏.     

65nm博弈65nm FPGA是用来解决问题的

半导体业最主要的特征是工艺尺寸不断进步,平均每2～3年就要升级一次,带动功耗和成本不断下降、性能提升。从180nm到130nm,再到90nm、65nm和45nm…,这些略显枯燥的数字使我们的生活正在加速进入数字时代。当工艺进入65nm时代,FPGA厂商收获的不仅仅是关注的目光,更是新的机遇。     

向65nm工艺提升中的半导体清洗技术

由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。     

Axcelis推出65nm工艺大剂量离子注入机

Axcelis技术公司推出可用于大流量注入及亚65nm器件制造的OptimaHD离子注入机。这种新型低能大剂量离子注入系统可提供200eV至80keV能量,采用高级点束技术进行注入,可确保晶圆上所有点从相同角度能看到同一光束;该系统还使用Axcelis专有RadiusScan技术,产量高,剂量覆盖范围广,可满足传统及新型高剂量离子注入的要求。该公司于2006年第二季度推出该系统。Axcelis推出65nm工艺大剂量离子注入机@熊述远