电子束泵浦下KrF准分子反应动力学研究和能量沉积计算

研制了电子束泵浦KrF准分子激光动力学物理方案和程序。利用这程序研究了电子束泵浦下KrF上能级驰豫速率与最佳输出条件的关系。理论预期,在一定条件下,当激光流接近饱和流时,激光输出比例于驰豫速率。数字模拟表明:泵浦速率上升(或下降),比驰豫速率快时,激光输出功率也上升(或下降),获得了最佳化条件,以及最佳条件的泵浦功率,压力(5～6个大气压),和Kr,Ar,和F_2混合比的确定值。为研究能量沉积开发了SANDYL和ITS程序。这后边的程序是加磁场的,而前者未加磁场。用前边的程序研究了无磁场下柱形KrF激光器在几种不同气压下两种成分的能量沉积。结果指出,在相同条件下,加磁场的能量沉积比没加磁场的要大三倍多。     

电子束泵浦KrF激光器放大超短脉冲实验研究

近年来,超短脉冲激光及其与物质相互作用的研究已发展成为现代物理的一个最前沿领域。提高激光的能量和功率密度以开展强场物理的研究,需采用合适的技术路线进行超短脉冲激光的放大。电子束泵浦KrF激光器口径大、泵浦率高,可直接用于进行超短脉冲激光的放大,一方面可获得高的能量输出,另一方面技术路线简单,解决了传统CPA技术所需的大口径光栅等技术难点,非     

超短脉冲在电子束泵浦KrF激光器中多级放大研究

将紫外超短激光脉冲经过放电泵浦KrF激光放大器LLG50、“天光一号”电子束泵浦KrF激光预放大器和主放大器进行了3级放大,最终将1 mJ的超短脉冲激光放大到了8 J。建立了超短激光和ASE互相竞争放大的动态模型,分析了ASE对多级放大的影响,并提出了抑制ASE、提高放大效率的方法。 1     

计算脉冲电子束辐照下能量沉积剖面的新方案

脉冲电子束辐照材料试验研究中,束流电子具有不同的速度和角度分布。但数值模拟计算一般都考虑电子束垂直入射靶材料,这可能导致数值计算结果与试验结果不符。针对该问题,提出了一种计算电子束辐照下能量沉积剖面的新方案,利用MCNP(Monte Carlo N Particle Transport Code)软件对铝、铜、钽金属材料在电子束辐照下的能量沉积进行模拟,分析了电子束垂直入射与带有角度分布入射时能量沉积的差异,为解释电子束辐照试验测量数据与理论计算结果之间的差异提供了依据。     

双向泵浦激光腔中能量沉积的实验研究

建立了快响应压力传感器动态和稳态标定系统及稳态测量方法，测量了双向电子束泵浦激光腔中０．２ＭＰａＮ２中的沉积能量分布，研究了激活区中能量沉积的分布随电子束能的变化。稳态测量给出了ＫｒＦ激光介质中平均压强增量，并得到了总能量沉积、泵浦率、能量沉积率和本征效率。     

强流电子束在薄靶中的能量沉积

由测量飞散离子判定了强流电子束在薄靶中的能量沉积。飞散离子能量的测定是根据飞行时间法及阻滞电压测量。结果表明,对于高Z靶,能量沉积与经典的能量沉积相符合;对低Z靶,能量沉积比经典的能量沉积高一些。     

X射线的衰减和能量沉积计算

文章分析了X射线与物质相互作用的机制，根据EPDL光子截面数据库，在VisualFortran编译环境下编制了一计算程序。该程序可计算质量衰减系数和质量吸收系数，也可计算X射线在不同材料内的辐射剂量分布。通过基准问题、MCNP计算结果等计算对比分析，验证了所编制程序的适用性。     

电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应

根据电子输运“双群理论”计算出电子在Ｓｉ－ＳｉＯ２材料中的能量沉积。用与硅等２效的外推电离室测定了１．０ＭｅＶ和１．５ＭｅＶ的电子束在ＭＯＳ电容芯片中的吸收剂量。用Ｘ光电子谱、俄歇谱、深能级瞬态谱和Ｃ－Ｖ方法测量分析了ＭＯＳ电容Ｓｉ－ＳｉＯ２材料化学结构，界面态密度和Ｃ－Ｖ曲线在辐射前后的变化，根据理论和实验结果，从辐射剂量学的角度分析讨论了电子能量沉积，电离缺陷和辐射效应间的关系，并提出一个关于     

强流电子束在薄靶中能量沉积的模拟计算

一、引言美、日等国发表过利用强流相对论电子束打靶的实验与理论工作。本文采用MonteCarlo方法模拟计算强流电子束在薄靶物质中的能量沉积。目的是配合中国原子能科学研究院17室强流电子束加速器的物理实验,提供一些理论解释。     

半价层法测量电子束能量的模拟计算和分析

采用模拟计算电子-光子耦合输运的蒙特卡罗程序EGS4来模拟计算半价层测量能量方法的过程。得到的半价层数值在一定范围内与Varian公司给出的建议数据和实际测量数据基本吻合。分析了半价层测量的各种影响因素,同时给出了测量能量时应注意的事项,并为实际应用提供了参考数据。     

矩形网格下基于准扩散的堆芯pin-by-pin计算研究

随着堆芯中子学计算对精度要求的不断提高,基于栅元均匀化的pin-by-pin方法成为国内外研究热点。由于pin-by-pin计算巨大的空间网格量及栅元层面较强的非均匀性,目前常用的SP3/GSP3方法在平衡计算精度和计算效率方面还存在一定局限性,为此有必要寻找一种同时考虑计算精度与效率的堆芯计算方法。基于准扩散的堆芯pin-by-pin计算方法从中子输运理论出发,引入艾丁顿因子推导建立三维准扩散方程及边界条件,研究该方程泄漏项的特殊处理方法,同时基于节块展开法建立堆芯pin-by-pin数值计算方法并验证。数值结果表明,对于结构复杂、中子各向异性显著的堆芯,准扩散pin-by-pin计算精度要明显优于传统扩散计算,而两者计算效率相当。该方法是一种平衡了堆芯计算效率与精度的计算方法,为准扩散理论应用于堆芯pin-by-pin计算提供了基础。     

散裂中子靶能量沉积研究

利用SHIELD程序研究了中高能质子入射在长0．6m、直径0．2m的圆柱形铅靶上的第入射质子产生的能量沉积。同时计算了靶材料分别为Be、C、Al、Cu、Pb和贫化铀的每个射质子产生的能量沉积沿轴向分布。计算结果与实验数据符合很好。分别对束流为10mA、能量为1．5Ge质子点入射、散焦入射散理解靶能量沉积引起的靶内功率密度分布进行了研究。     

高气压组织等效电离室内中子沉积能量的蒙特卡罗计算

高气压组织等效电离室内中子(尤其是高能中子)的输运过程是中子、光子、质子以及电子等粒子的复杂的偶合输运过程,使用Geant4程序模拟该输运过程,并在Linux6.2操作系统下利用Geant4软件计算了有铝层和无铝层,次外层材料为A—150组织等效材料,厚度分别为2、5、10、20mm,平行入射     

不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较

在粒子与物理相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失（NIEL）和电离能量损失（IEL）以及电子和γNIEL的Monte Carlo计算程序,利用编写的程序以及TRIM95和SANDYL程序计算了1MeV中子、20MeV以下电子和γ在硅中IEL和NIEL的大小和分布。对计算结果进行了分析和比较。     

中能质子散裂中子源核子发射与能量沉积的计算

给出了用蒙特卡罗方法计算中能质子打在重核靶上产生的散裂中子源的物理图象、计算公式及所用核数据的来源,并对能量为800,1000,1500,2000MeV的质子打在~(186)W,~(208)Pb,~(232)Th,~(238)U靶上所产生的散裂中子源的中子数、能谱、空间分布、方向分布等进行了计算和分析。在计算中近似考虑了能量守恒,对于核反应结合能、原子核激发能及裂变能