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相似文献
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1.
设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪声系数为18dB,1/f噪声拐角频率100kHz。电压转换增益为5dB和8dB两档增益,输入1dB压缩点为0dBm,IIP3为15dBm(5dB增益),7dBm(8dB增益)。全差分电路在1.8V供电电压下的功耗不到7mW,可以满足数字电视零中频结构射频前端对高线性度、低闪烁噪声和可变增益的要求。  相似文献   

2.
胡嘉盛  李巍  李宁 《半导体学报》2008,29(4):800-805
设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4~252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5~7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5~26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA.  相似文献   

3.
胡嘉盛  李巍  李宁 《半导体学报》2008,29(4):800-805
设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4~252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5~7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5~26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA.  相似文献   

4.
射频CMOS混频器的设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
李恩玲  褚蒙  周如培 《微电子学》2005,35(2):189-191
混频器是射频系统中的一个关键部分,其性能的好坏直接影响到整个系统的性能.文章对CMOS混频器的设计及其特性进行了深入的分析和研究,并对各种不同特点的混频器进行了比较和总结.  相似文献   

5.
1.9 GHz高线性度上混频器设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了采用0.35μm CMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900(1 850~1 910 MHz)发射器系统中。电路采用了multi-tanh线性化技术,可以得到较高的线性度。在单电源+3.3 V下,上混频器电流约为6 mA。从上混频电路输出级测得IIP3约8 dBm,IP1dB压缩点约为0 dBm。  相似文献   

6.
低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计   总被引:1,自引:1,他引:1  
设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器.基于对有源混频器的噪声机制的物理理解,电路中采用了噪声消除技术,以减少Gilbert型混频器中开关管的闪烁噪声,并引入一个额外的电感与开关对共源节点的寄生电容谐振,改善整个电路的噪声系数和转换增益等关键性能指标.电路采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺实现,SSB噪声系数为7 dB,电压转换增益为10.4 dB,输入1 dB压缩点为-22 dBm,且输入阻抗匹配良好,输入反射系数为-17.8 dB.全差分电路在2.5 V供电电压下的功耗为10 mW,可满足GPS接收机射频前端对低噪声、高增益的要求.  相似文献   

7.
研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响.分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式.给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式.基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路.流片采用UMC 0.18 μm RF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性.  相似文献   

8.
《信息技术》2017,(9):154-158
混频器应用在多标准领域中,对混频器的线性度和噪声性能提出了严格的要求。文中提出了一种新型的高线性、低噪声CMOS混频器。该混频器同时采用了三阶失真抵消技术和噪声抵消技术。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计并流片实现,测试结果表明,较之传统的吉尔伯特混频器而言,文中混频器的输入三阶交调点IIP3增加了6.18d Bm,噪声系数下降了3.5d B,而用于三阶失真抵消技术和噪声抵消技术的电路部分仅使混频器多消耗了0.85m A的电流。  相似文献   

9.
在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一.首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18 μm CMOS工艺给出了工作在2.45 GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性.  相似文献   

10.
一种900MHz CMOS低压高线性度混频器的设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
针对无线通讯设备面向高性能、低成本、低电压、低功耗和小体积的应用,对基本的CMOSGilbert混频器构架加以改进.改进后的混频器在3V下具有高线性度(IIP3=7.4dBm),隔离度较高,提供1 3dB的变频增益,而噪声也在12.5dB以下.  相似文献   

11.
CMOS 混频器的设计技术   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
刘璐  王志华   《电子器件》2005,28(3):500-504
无线技术的发展对收发信机前端电路提出的新要求是:高的工作频率,低电压,低功耗,高度集成。混频器是射频前端电路中进行频率变换的十分重要的模块,主要介绍了CMOS混频器的基本工作原理,实现混频的一些常见结构。这些结构的优缺点。并介绍了当前CMOS混频器的主要电路设计技术以及作者在混频器跨导线性度分析方面进行的研究,文中还给出了作者设计的一个新型混频器的结构。  相似文献   

12.
针对一种双平衡结构的无源CMOS混频器,分析了它的转换增益、噪声系数和线性等参数,在此基础上,推导了它的电路设计方程.设计了该混频器应用于2.4 GHz无线局域网(WLAN)的电路拓扑,并应用TSMC的0.18 μm CMOS工艺进行了仿真.结果显示,在1.8 V的工作电压下,该混频器具有非常出色的性能指标,转换增益最大为-1.2 dB,噪声系数为6.3 dB,1 dB压缩点为-4 dB,功耗小于1 mW.  相似文献   

13.
5.8 GHz CMOS混频器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术.采用O.18 μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入1 dB压缩点-8.3 dBm,噪声系数8.7,工作电流小于5 mA,该电路已交付流片.  相似文献   

14.
An Implementation of a CMOS Down-Conversion Mixer for GSM1900 Receivers   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了一种0.18μm CMOS工艺基于GSM1900(PCS1900)标准低中频接收机中的混频器.该混频器采用了一种新型的折叠式吉尔伯特单元结构.在3.3V电源电压、中频频率为100kHz的情况下,该混频器达到了6dB的转换增益,18.5dB的噪声系数(1MHz中频)和11.5dBm IIP3的高线性度,同时仅消耗7mA电流.  相似文献   

15.
介绍了一种0.18μm CMOS工艺基于GSM1900(PCS1900)标准低中频接收机中的混频器.该混频器采用了一种新型的折叠式吉尔伯特单元结构.在3.3V电源电压、中频频率为100kHz的情况下,该混频器达到了6dB的转换增益,18.5dB的噪声系数(1MHz中频)和11.5dBm IIP3的高线性度,同时仅消耗7mA电流.  相似文献   

16.
低功耗CMOS低噪声放大器的设计   总被引:8,自引:0,他引:8  
肖珺  李永明  王志华 《微电子学》2006,36(5):670-673,678
针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比。模拟结果表明,按照该方法基于0.18μm CMOS工艺设计的工作于1.58 GHz的低噪声放大器,在仅消耗1.9 mA电流的条件下,噪声指数小于1 dB。  相似文献   

17.
2.1 GHz射频CMOS混频器设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TsMC 0.25 μm CMOS工艺.在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度.在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下,仿真结果为:1 dB压缩点PtdB-10.65 dBm,lIP3 1.25 dBm,转换增益7 dB,噪声系数10.8 dB,功耗14.4 mW,且输入输出端口实现了良好的阻抗匹配.并用Cadence中的Virtuoso Layout Editor软件绘制了电路的版图.  相似文献   

18.
四类LO信号对CMOS Gilbert混频器增益影响分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator,LO)作用下的开关模型,提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,本文预测的电压增益理论值与仿真结果相差最大为0.08dB,对CMOS混频器的优化设计具有指导意义。  相似文献   

19.
曾令海  池懿  叶明  王文骐 《微电子学》2005,35(3):253-255,259
文章设计了一种应用于无线通信的2.4GHz全集成对称式串并型射频收发开关,详细分析了影响这种射频收发开关性能的各种因素,并采用了相应的优化方案。经仿真,在2.5V电压下获得了插入损耗1.0dB、隔离度30.5dB和1dB压缩点为16.1dBm的较好结果。该开关采用TSMC0.25μm工艺设计实现,版图面积(包括pad)为0.6mm^2。  相似文献   

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