AMS7001随机存储器

AMS7001是一种新颖而使用方便的MOS随机存储器(RAM)。这种存储器采用MOS器件与电荷泵器件结合在一起建立和保持所存储的状态,所以使用这种存储元件时和静态的一样,不需要周期性再生。存储器内部含有几种与TTL电平相容的电路。地址缓冲寄存器、数据输入缓冲寄存器和读出放大器都是采用触发器电路,因而能高速操作。由于采用了几种省能器电路,限制了电路中的功耗。外部时钟信号中只有芯选信号(CS)需要MOS电平,而其它时钟输入全是TTL电平。     

用普通的ECL电路直接驱动晶体灯

ECL10K电路的输出电平一般为-0.90~v和-1.70~v。利用二极管的电压开关特性和ECL10K电路的输出高低电平,就可以直接控制晶体灯亮和不亮。 国外晶体灯的开关电压一般为1.1~v～1.3~v。因此可以直接连在ECL电路的输出端,如图1所示。串联电阻R很重要。     

输出阻抗接近零欧的靓声前置放大器

利用射极输出器输入阻抗高、输出阻抗低和电压增益近似等于1的特点,在放大器的输入级和输出级采用它,既可提高放大器的输入阻抗,又能降低放大器的输出阻抗。图1所示的放大电路由于输入端用了两级射极输出电路,因而输入阻抗更高;同时,在输出端选用单端推挽电路,使输出阻抗进一步下降到只有几欧,甚至可以接近于零,这些特点是一般射极输出电路所难以达到的。电路说明在图1电路里,输入级由Q_1和Q_2两级射极输出电路组成。整个电路输入阻抗决定于偏流电阻R_1与Q_1输入阻抗的并联值。Q_1的输入阻抗近似等于β_1×R_(L1),β_1是Q_1的电流放大系数,R_(L1)是Q_1的等效负载。     

用频率计数器测量电容

和用频率计数器测量时间周期的能力,可以用来测量电容。这里介绍的电路中电容是用直流电流来测定的。直流电流产生一线性电压上升,上升时间直接与预定电容量成比例,因此,也可以认为是直流电流引起了预定的电压变化。在下图电路中,Q_1、R_1、D_1、D_2、D_3及 R_3组成了包括被测电=容 Cut 在内的简单恒流源。另一个直流源(包括 R_2、Q_2及 D_1、D_2、D_3、R_3)对 R_4、R_5、R_8产生的电流用以补偿对偶基准电压。当S_1打开时,电容 Cut 进行线性充     

电流开关线路综述(下)

电流导引技术自59年发表电流开关电流导引技术之后,到67年在集成电路中采用该技术设计了一系列电路。在分离元件的条件下实现电流导引技术,需要用较多的元件来解决各层间的电平转换问题,以使线路工作在非饱和状态,然而这样作虽然速度很快可是线路的标准化增加了困难。这个问题在集成电路中比较容易解决。这样发挥了电流导引技术逻辑功能强、所耗费的功率小的特点,并保持了高速运行。电流导引技术和水在水管中流动是很相似的,线路结构象一棵树,有好几层,层数越多则功能越复杂。ECL 的讯号幅度为800毫伏时,利用三极管或二极管都可以得到完整的电平转换,层与层之问的控制电平转换容易,利于线路标准化。层数多则讯号电平转的次数也多,电源电压的最小值随层数增加而增加。电     

TTL——CMOS电平转换器

<正> 在数字电路中,经常碰到把TTL 电平转换为GMOS 电平的问题。人们经常用晶体管来设计这种电平转换器。我们用TTL OC 门设计了一个电平转换器,经济实用,效果好。     

能自动复位的固态保险丝

本电路在流过R_L的负载电流超过1A时将使晶体管Q_1截止,过一段时间后重新使Q_1导通,再次接通负载。因此它实际上是一个有自动复原功能的固态保险丝。运算放大器LM10对负载电流取样电阻R_1上的     

如何确定ECL电路组件间允许的工作温差

在ECL电路系统组装工艺中,如问确定ECL电路组件间允许的工作温差,是系统热设计工艺控制技术中最先要解决的一个问题。 据根ECL基本门电路,可以得到ECL电路两个逻辑电平随温度变化的关系: 高电子:dV_(OH)/dT≈1.4mV 低电平:dV_(OL)/dT≈0.77mV 从ECL电路的噪声容限方面来看,高电平噪声容限:NM_(OH)=125mV,低电平噪声容限:NM_(OL)=155mV,因为NM_(OH)相似文献   

高速CMOS电路简介(二)——54/74HC高速CMOS与其他类型集成电路的接口

<正> 在许多场合,54/74HC高速CMOS电路需要与其他类型逻辑集成电路或控制电路接口.HCMOS可以方便地与54/74LS、CD4000标准CMOS和10,000ECL等各种逻辑电路接口.逻辑接口可以分为两个主要的类型:采用同一电源电压的接口和采用不同电源电压的接口.后一种情况,通常需要一些电平转移电路,但有许多实用的电路可以使这一步骤大大简化.在一般情况下,上述两种接口类型只需要很少的外部线路或者不需要外部线路.一、54/74HC与TTL的接口高速CMOS电路的工作电源电压为2～6伏,因而可以在同一个5伏电源电压下与TTL电路接口.HCMOS与TTL的连接可以是TTL输出驱动CMOS输入或CMOS输出驱动TTL输入.这两种情况的接口都十分简单.     

CMOS接口电路

<正> CMOS IC 因为具有功耗低、单双电源工作、电压范围宽、噪声容限大等优点,因此作为设计系统装置时的逻辑组件使用是很适合的。在一个系统装置中,除CMOS IC 组件外常常还有其他元器件,因此CMOS与这些元器件之间如何进行连接是很重要的。所谓接口电路是指逻辑电平不同的组件或组件与元器件相互连接的电路。本文按三部分作简单介绍:一、与非CMOSIC 组件(NMOS、TTL,ECL)的接口电路;     

基于PC104的路谱测量系统的设计与实现

对一种采用捷联技术的基于PC104的路谱测量系统的构成和主要功能进行了介绍,对系统的信号处理电路进行了详细的分析和设计,采用FPGA设计实现了对传感器输出信号的处理和测量及PC104与传感器和D/A转换器的接口电路,用电平转换电路实现了TTL电平和LVTTL电平之间的双向转换,并设计了系统的软件流程图。实验表明系统可实时测量载体的三维姿态信息并具有较高的精度和可靠性。     

单管单元MOS随机存储器的外围电路

采用单管和一个存储电容组成的MOS动态存储器的单元面积可以在2平方密耳以下。有用的读出信号非常小,通常采用平衡读出。在确定总面积、价格、性能和测试难度的时候,这种读出放大器和芯片上除存储矩阵之外的电路就变得越来越重要了。本文讨论了一个实际的4K随机存储器(RAM)设计中所用的一些关键的外围电路,该设计着重考虑了这些因素。在组成所用的读出放大器时,设计了“边缘校验”的可能性,它可以用来测试单元的存储电平和读出放大器的偏移,以此来保证存储器中适当的信号余量。     

用结型场效应管组成的低功耗逻辑转换器

<正> 某些CMOS集成电路需要把5V逻辑信号转换成12V或15V电平的信号,图1给出一种简单方法。晶体管Q_1是一个工作在共栅极状态的n沟道结型场效应管。大于1V或2V的源极电压使结型场效应管的沟道被夹断,并让电阻R_1把漏极电压拉到V_s。接近0V的源极电压使沟道导通,从而使漏极电压也接近0V。电阻R_1决定了电路的转换速度和电源的功耗。R_1阻值从100KΩ变到1MΩ,汲取的电流大约从150μA变到15μA,实际的脉冲速率限制在1MHz左右。这种线路耗电比基于双极型晶体管的电路少,而且线路省掉一个元件(基极电阻)。     

TTL兼容端口电路设计

首先给出了电路前后级之问接口需要满足的原则,之后介绍了与TTL兼容电路的输入电平,在给出了CMOS反相器转换电平的定义基础上,详细介绍了三种TTL电路驱动CMOS电路的端口兼容的设计方法,并给出了实际电路设计时应考虑的各种因素.     

防止蓄电池损坏的欠压保护电路

蓄电池在电压过低时应及时切断负载,以免过放电损坏蓄电池。这个电路可起这种保护作用。二极管D_1用来防止蓄电池极性接反时损坏电路中的器件。在启动开关S_1未接通之时,保护电路和负载均无电流通过。一旦按钮开关S_1被揿下,继电器J通电使触点闭合,并使Q_1和Q_2导通。这时即使S_1释放,保护电路和负载也处于工作状态。     

级延迟为4～5毫微秒的STTL门电路

目前国内外生产的中小型数字电子计算机普遍采用TTL数字集成电路(包括浅饱和TTL电路和STTL电路),至于百万次以上的大型电子计算机,在国外几乎都采用ECL电路,而在国内则有二类:一类是采用ECL电路;一类是采用TTL电路。有的单位用STTL电路研制了每秒运算几百万次的大型电子计算机。至今为止,STTL电路无论在速度或集成度方面都还有不少潜力可挖,已批量生产的STTL电路级延迟约在6～8毫微秒,集成度是以小规模电路为主。我们在版子设计和工艺条件等方面采取了若干措施,以不增加功耗和少影响成品率为前提,使级延迟缩短至4～5毫微秒,采用相似的版图和工艺条件研制成的STTL中规模集成电路(20～30门/片)级延迟可降至4毫微秒以下,采用这种中规模STTL门电路,可以制造出一千万次以上的超高速大型电子计算机。本文主要介绍STTL双单门的版图考虑和工艺条件。     

如何设计DC-DC转换器(第一部分)

功率晶体管日益成为将直流电由一种电压变成另一种电压的有效器件。功率晶体管也可用来产生功率设备所要求的任何频率的交流电。 晶体管较之旋转转换器和振动器有着许多优越性。晶体管电路体积小、效率高,并且没有活动的部分,因此也就更可靠,更坚牢耐用。 一个具有矩形磁滞迴线的开关变压器和一对晶体管是构成简单转换器的主要组成部分(见图1)。当电流稍不平衡时,开关就启动。假若Q_1稍为通导(各点皆为正),反馈就使Q_2关闭,而Q_1则转为饱和状态。集电极电流一直     

0.6m CMOS集成传感器电路兼容的 RS232串行通信发送接口芯片研究

采用5 V 0.6 μm标准CMOS工艺设计制造了具有RS232串行通信发送接口的传感器接口芯片.该芯片包含电荷泵和发送电路两个功能模块.其中电荷泵对5 V电源进行正/负倍压得到 7.6 V和-6.1 V的正负电平,并作为发送电路的电源,实现CMOS/TTL电平到EIA/TIA RS-232C电平的转换.3 KΩ和1 000 pF负载情况下,在230.4 kbit/s数据速率范围内,实现了TTL/CMOS电平到RS232电平转换的发送功能.将传感器的输出模拟信号经A/D变换后,即可经所设计的发送接口芯片实现传感信号的串行发送.为进一步实现基于标准CMOS工艺的传感器与信号处理电路和串行通信接口功能的兼容集成打下了基础.     

ECL 256×1双极全译码随机存储器组件的电路设计

为了适应千万次以上的大型计算机对超高速存储器的要求,中国科学院上海冶金研究所和北京计算技术研究所共同研制了双极全译码 ECL256×1随机存储器组件。它采用泡发射极、对通隔离、单层布线工艺。存储单元为并联二极管双射极单元[1]-[4]。芯片面积为2.6×3.2mm~2。试制样品的地址取数时间一般小于23ns。最小写入脉冲宽度小于15ns。功耗一般小于500nW,电源电压-5V±10%。工作时最高环境温度75℃。本文介绍单层布线256×1存储器组件的线路设计和测试结果。     

高速S—TTL组件的测试和应用

电子计算机的发展与数字逻辑集成电路有着密切的联系,在设计一台大型高速电子计算机时,需要考虑的一个问题就是选择采用何种型式的数字逻辑集成电路。随着半导体技术和工艺的飞速发展,各种不同形式的数字逻辑集成电路不断涌现。但是,对于大型高速电子计算机来说,可以采用的数字逻辑集成电路目前主要有二种:一种是射极耦合逻辑电路(ECL),另一种是采用肖脱基二极管钳位的晶体管—晶体管逻辑电路(S—TTL),这二种线路在使用