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Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3(ALO)和ZrO2-Ta2O5(ZTO)复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0.013V和0.56V,击穿场强分别为128MV/m和175MV/m,在50MV/m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3.1×10-5/cm2和4.1×10-5A/cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3.9×10-5/cm2和3.7×10-5A/cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。 相似文献
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用热蒸发和自然氧化法制备纳米量级Al/Al2O3多层膜.检测XPS光电子能谱和UPS谱线,得到Ei(k∥I)关系曲线,并发现薄膜具有负阻特性. 相似文献
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用热蒸发和自然氧化法制备纳米量级Al/Al2O3多层膜.检测XPS光电子能谱和UPS谱线,得到Ei(k∥I)关系曲线,并发现薄膜具有负阻特性. 相似文献
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采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3:Mn电致发光膜,并进行了不同温度热处理,制备了电致发光器件。用X射线衍射(XRD)分析了Ga2O3:Mn薄膜晶体结构;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了Ga:O。:Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明,Ga2O3:Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高,且晶体结构和结晶取向也随之改变;经500℃热处理的Ga2O3:Mn薄膜电致发光器件发绿光,其光谱主峰分布在495~535nm之间,且随驱动电压增高,谱峰出现蓝移现象。 相似文献
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用热蒸发和自然氧化法制备纳米量级Al/Al2O3多层膜,检测XPS光电子能谱和UPS谱线,得到Ei(ki)关系曲线,并发现薄膜具有负阻特性。 相似文献
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采用电子束蒸发法制备了单层TiO2薄膜.控制O2流量从10 mL/min以步长10 mL/min递增至50 ml/min(标况下).利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面型变化;采用Stoney公式计算出残余应力,分析了不同O2压下残余应力的变化.在本实验条件下,TiO2薄膜的应力随O2的增大,张应力先增大后减小;随O2压继续增大,由张应力逐渐过渡到压应力;O2压过大时,压应力减小.因此,可以通过改变O2压来控制薄膜的应力.应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射(XRD)谱发现,薄膜结构均为非晶态. 相似文献
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采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了PbI_2多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及紫外-可见光谱的影响.XRD结构表征显示,不同衬底温度下沉积的PbI_2薄膜均属六方结构,低温下呈现(002)方向的c轴择优生长,但随着衬底温度的升高,择优生长弱化;SEM形貌分析结果表明,PbI_2薄膜的晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大,同时晶粒间应力造成的突起减少,薄膜表面致密度和平整度提高;UV光谱测试结果表明,不同衬底温度下制备PbI_2薄膜透过光谱的吸收限均在515nm附近,且呈现陡直的吸收边.计算发现,薄膜禁带宽度约为2.42 eV,随着衬底温度升高而略微增大,显示结晶质量提高.Abstract: Polycrystalline lead iodide (PbI_2) thin films were deposited on glass substrates by electron beam evaporation method.The influence of different substrate temperatures on the structure,surface morphology and optical transmittance of the films was studied.XRD analysis shows the PbI_2 films deposited at different temperatures possess hexagonal structure,with a preferred growth orientation of (002) at low temperature,but this preferred growth characteristic vanishes when the substrate temperature increases.SEM micrograph reveals the grain size of PbI_2 thin films increases with the rising substrate temperature,meanwhile,the surface bulges resulted from the strain between grains decrease,making the surface of the films more compact and uniform.UV transmittance shows the steep absorption edge is at 515 nm for all samples grown under different substrate temperatures and the corresponding band gap is about 2.42 eV. 相似文献
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用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3:Eu荧光薄膜.并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电于显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3:Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明:随着温度升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能:600 O退火处理的光致发光中,617nm和596nm的谱线最强。 相似文献
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钛扩散铌酸锂(Ti-LiNbO3)光波导是最基本的集成光学器件之一。文章报道了在LiNbO3衬底上,用自动电子束蒸发技术淀积Ti薄膜。对各种淀积条件下的结果测试分析表明:用0.5~1.1nm/s的淀积速率和2.7×10-4Pa以下的残余气压,可以得到较好的Ti薄膜。用这种Ti薄膜已研制出了光波导、薄膜偏振器、相位调制器、光开关、光耦合器和光纤陀螺芯片等集成光学器件。 相似文献
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采用真空热蒸发(VTE)的方法制备了CdS多晶薄膜,研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示,不同衬底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向;随着衬底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大;由CdS薄膜的透射光谱可知,在500~1 000nm波段平均透过率均超过80%,光学带隙随着衬底温度的升高而增大(2.44~2.56eV),表明真空热蒸发方法制备的CdS薄膜可以作为CIGS薄膜太阳电池的缓冲层。将真空热蒸发法制备CdS薄膜与磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳电池相结合,在同一真空室内得到了CIGS薄膜太阳电池器件,为CIGS薄膜太阳电池的工业化推广提供了新途径。 相似文献