正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究

采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601～0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小.     

超快非线性干涉仪开关窗口的特性研究

超快非线性干涉仪（UNI）是一种基于半导体光放大器（SOA）的超高速全光开关器件。UNI的开关窗口特性的好坏是评价UNI性能的一个重要指标。文章对单臂结构的UNI的工作原理进行了描述,并用Optisystem 3.0对UNI开关窗口特性进行了仿真模拟,详细分析了延时τ.SOA的偏置电流、控制光功率以及连续光功率等因素对UNI开关窗口的影响,从而为实现最佳的开关窗口提供了一个理论指导。     

rGO/SiC复合材料的制备与性能研究

碳化硅(SiC)陶瓷具有优异的力学性能, 但是其断裂韧性相对较低。石墨烯的引入有望解决碳化硅陶瓷的断裂韧性较低的问题。本研究采用热压烧结工艺, 制备了具有不同还原-氧化石墨烯(rGO)掺入量的SiC复合材料。经过2050℃保温、40 MPa保压1 h后, 所制备的复合材料均烧结致密。对复合材料中rGO的掺入量、微观结构和力学性能的相互关系进行分析和讨论。加入4wt%的rGO后, 复合材料的三点抗弯强度达到564 MPa, 比热压SiC陶瓷提高了6%; 断裂韧性达到4.02 MPa•m^1/2, 比热压SiC陶瓷提高了54%。加入6wt%的rGO后, 复合材料的三点抗弯强度达到420 MPa, 略低于热压SiC陶瓷, 但其断裂韧性达到4.56 MPa•m^1/2, 比热压SiC陶瓷提高了75%。裂纹扩展微观结果显示, 主要增韧机理有裂纹偏转、裂纹桥连和rGO片的拔出。     

超耐热SiC纤维的研究

扼要地评述了以有机硅聚合物为先驱体的SiC纤维的制备,以及通过降低纤维中的含氧量和控制微晶增长等手段,来提高纤维的高温稳定性和力学性能的方法。     

大功率超快光脉冲应用研究的近期进展

大功率超快光脉冲应用研究的近期进展产生持续时间小于１００ｆｓ（毫微微秒，即１０（－１５）秒）的光脉冲波的技术使光谱学发生了革命性变化，而且为光通信领域开辟了令人激动的前景。超快激光发生器及放大器的最新研究进展表明，脉宽为２０ｆｓ以下的毫焦耳脉冲波也将...     

CVD SiC涂层SiC纤维增强SiC复合材料的研究

本文采用CVD技术对KD-1 SiC纤维作涂层处理,再通过聚碳硅烷浸渍裂解法制备单向SiCf/SiC复合材料.研究了不同沉积时间的CVDSiC涂层对SiCf/SiC复合材料性能的影响,同时运用SEM研究了SiC纤维表面SiC涂层的形貌.结果表明:经过5小时CVDSiC涂层SiCf/SiC复合材料具有良好的力学性能和抗氧化性能.     

液晶光阀中的α-Si:H光导膜研究

本文对在光学信息处理中应用的液晶光阀的关键性膜层——光电导膜采用新近开发的非晶硅材料作了一些探索。研究表明,响应快速的α-Si:H薄膜用于液晶光阀是很有前途的。     

装甲车车载设备绝缘电阻与开关导通状态测试仪的研发

为解决传统绝缘电阻与开关导通状态测试仪在装甲车车载电器设备检测时效率低、精度差等问题,设计基于单片机、CPLD和触摸屏的绝缘电阻与开关导通测试仪.系统具有准确迅速实现80路绝缘电阻巡回检测与80路开关导通状态判断的功能,利用TOP242构成反激式开关电源产生200 V/50 V直流测试电压,触摸屏作为人机界面,CPLD完成译码工作以控制继电器开关矩阵动作;加入低通滤波器的放大电路有效提高了系统的抗干扰性能.实验结果表明:该测试仪完全满足装甲车车载设备绝缘电阻和开关导通测试的精度要求,提高了测试效率.     

灵活的大功率开关组件

该组件的性能简化了低压应用的系统设计当需要控制几个通路高强度电流负荷时,工程师们设计低压系统时要面临几个选择。第一个选择是,自己制作还是去购     

开关绝缘电阻测量的不确定度评定

探讨了电气设备、家用电器或电气线路对地及相间的绝缘电阻,基于测量绝缘电阻的原理,分析了引起绝缘电阻的测量不确定度的因素,以开关为例考察每个因素带来的影响,得出测量结果的扩展不确定度。     

基于光导开关脉冲偏置电压的太赫兹时域光谱系统

利用光导开关产生脉冲偏置电压的方式改进了基于光电导天线的太赫兹时域光谱系统.在分析光电导天线产生THz波原理的基础上,重点研究了目前基于光电导天线的太赫兹时域光谱系统存在的问题,探讨了解决斩波器引起的机械噪声和光电导天线脉冲偏置电压之间矛盾的途径.最后,通过对光导开关的特性测试,提出了利用高压直流电源、光导开关和纳秒激...     

半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性

通过偶联剂预处理、接枝聚合丙烯酸钠两步法对SiC粉体进行表面改性,制备聚丙烯酸钠接枝改性SiC粉体,并对改性粉体进行表征,测试SiC粉体的zeta电位,讨论改性对SiC粉体料浆分散稳定性和流动性的影响。结果表明:SiC微粉经表面改性后并未改变原始SiC微粉的物相结构,只是改变其在水中的胶体性质;微粉团聚现象减少,分散性得到改善;改性SiC微粉与原始SiC微粉相比,表面特性发生很大变化,zeta电位值显著提高,悬浮液的分散稳定性得到明显改善,且黏度降低。     

SiC单晶生长

本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状。从其结构特点生长方法的选择，生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介绍。     

Phonon‐Assisted Electro‐Optical Switches and Logic Gates Based on Semiconductor Nanostructures

High‐performance nanostructured electro‐optical switches and logic gates are highly desirable as essential building blocks in integrated photonics. In contrast to silicon‐based optoelectronic devices, with their inherent indirect optical bandgap, weak light‐modulation mechanism, and sophisticated device configuration, direct‐bandgap‐semiconductor nanostructures with attractive electro‐optical properties are promising candidates for the construction of nanoscale optical switches for on‐chip photonic integrations. However, previously reported semiconductor‐nanostructure optical switches suffer from serious drawbacks such as high drive voltage, limited operation spectral range, and low modulation depth. High‐efficiency electro‐optical switches based on single CdS nanobelts with low drive voltage, ultra‐high on/off ratio, and broad operation wavelength range, properties resulting from unique electric‐field‐dependent phonon‐assisted optical transitions, are demonstrated. Furthermore, functional NOT, NOR, and NAND optical logic gates are demonstrated based on these switches. These switches and optical logic gates represent an important step toward integrated photonic circuits.     

SiC单晶的性质、生长及应用

本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ Ｃ单晶中所存在的缺陷及其成因     

SiC单晶的性质、生长及应用

本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ Ｃ单晶中所存在的缺陷及其成因     

KH-550硅烷偶联剂对半导体制造用碳化硅粉体表面的改性研究

采用KH-550硅烷偶联剂对SiC粉体进行改性,研究了影响SiC粉体改性的各种因素,从而确定出改性最佳工艺参数,并对制备的改性粉体进行表征,分析了改性对SiC料浆分散稳定性的影响。结果表明,SiC微粉经偶联剂处理后没有改变原始SiC微粉的物相结构,只是改变了其在水中的胶体性质;微粉团聚现象减少,分散性得到改善;改性SiC微粉与原始SiC微粉相比,表面特性发生很大变化,Zeta电位值显著提高,悬浮液的分散稳定性得到明显改善。     

SiC半导体材料产业发展现状

本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。