用HF-HNO_3-CH_3SiCl_3气相钝化芯片

本文介绍一种钝化方法:首先在半导体芯片上形成SiO_2,然后再淀积一层高聚合物有机硅树脂,以提高器件的稳定性和可靠性。     

3-3群图的构造

本文用局部分析的方法研究了下列问题:若群G由它的两个有限子群生成,G=,其中P_1∩P_2在P_1、P_2的指数都为3,且P_1∩P_2不包含G的非平凡正规子群,则总共有15个群对(P_1,P_2) 满足以上条件。用这种方法,不但简化了证明过程,突出了问题的本质,还可以得出有限单群的新结论。     

从混合稀土LaCl3-CeCl3、CeCl3-PrCl3、CeCl3-NdCl3中分离CeO2的研究

以湿空气为氧化剂，研究稀土氯化物LaCl3-CeCl3、CeCl3-PrCl3、CeCl3-NdCl3的氧化反应特性，根据铈和非铈稀土元素氧化物的氧化产物不同实现CeO2的分离．最佳氧化反应温度和时间分别为900K和60min，实验产物经X射线衍射分析，只有CeO2的衍射峰，实现了单一稀土CeO2的分离．     

CH3NH3HgI3晶体的形貌模拟与结构分析

为探究有机金属卤化物CH3NH3HgI3晶体的结构和形貌,采用MS软件的BFDH模型模拟了 CH3NH3HgI3晶体形貌,利用封端法辅助切面法计算了其重要晶面的附着能(Eatthkl),利用WinXMorph软件模拟并分析了其主要晶面在不同生长速率比下可能产生的晶核形貌.结果表明:BFDH模型得到的CH3NH3HgI3...     

不定方程x~3十y~3十z~3十ω~3＝0的全部整数解

推广了华罗庚关于不定方程ｘ３十ｙ３十ｚ３十ω３＝０的整数解公式，并得到了该方程的全部整数解。     

La1-xZnxMnO3和LaL2/3 Sr(1-x)/3 Znx/3 MnO3的磁电输运特性

用固相反应方法制备La1-xZnxMnO3和La2/3Sr(1-x)/3Znx/3MnO3化合物.La1-xZn MnO3在不同掺杂浓度x的研究表明:Zn2 在一定浓度范围内掺杂,具有钙钛矿结构,但掺杂浓度在50%～70%时有ZnO衍射峰,其电阻率在100 K以上随温度而下降,当掺杂浓度为x=0.3时电阻率最低.当Zn2 和Sr2 共掺而保持La3 浓度不变,即载流子浓度不变,维持Mn3 /Mn4 =2∶1,随Zn2 掺杂浓度增大,铁磁-顺磁转变温度降低,磁阻效应增大.低场磁阻效应与Zn2 掺杂浓度无关,而与温度有关;高场磁阻效应随掺杂浓度增大而增大.     

La1-xZnxMnO3和La2/3Sr_((1-x)/3)Znx/3MnO3的磁电输运特性

用固相反应方法制备La1-xZnxMnO3和La2/3Sr(1-x)/3Znx/3MnO3化合物。La1-xZnxMnO3在不同掺杂浓度x的研究表明:Zn2+在一定浓度范围内掺杂,具有钙钛矿结构,但掺杂浓度在50%~70%时有ZnO衍射峰,其电阻率在100 K以上随温度而下降,当掺杂浓度为x=0.3时电阻率最低。当Zn2+和Sr2+共掺而     

CH3 NH3 PbI3/TiO2 复合纳米线制备及表征

采用水热法合成了纯锐钛矿TiO_2纳米线,并以此为模板结合滴涂法制备了CH_3NH_3PbI_3/TiO_2异质结复合纳米线.首先通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等分析测试手段对样品的结构和形貌进行表征.然后利用拉曼光谱对样品的分子结构进行了研究.最后通过采集紫外一可见一近红外(UV—Vis—NIR)吸收光谱,对样品的的光谱响应性能进行了分析.结果表明:CH_3NH_3PbI_3与TiO_2纳米线复合形成了异质结结构,此复合物作为光催化剂不但可以解决传统TiO_2体系吸收可见光谱带窄的缺点,将光谱范围从紫外扩展到了近红外,还可以减少光生电子与空穴复合机率,有利于提高光催化活性.     

SrTiO_3-Bi_2O_3·3TiO_2-Pb7iO_3系统铁电陶瓷低频介电性

SBT-PT系统中,较宽范围内存在高介电系数组成点。固定BT_3含量(5mol%～15mol%),ε与tgδ随PT引入量提高而增大。当PT引入量为20mol%～30mol%时,介电系数最高。在SBT中引入PT不会影响BT_3在ST中的极限固熔量。     

波音公务机3

波音公司推出波音公务机家族的最新成员——波音公务机（BBJ）3。该机基于新的下一代737—900ER（增程型），已获得2架订货。     

韶钢3 200 m3高炉停炉实践

韶关钢铁集团有限公司炼铁厂受到原燃料品质下降的影响,炉况失常,决定对高炉进行停炉中修。详细介绍了停炉的全过程,包括降料面前的炉况、休风前的准备、停炉操作、炉外出铁等环节,总结了此次停炉中修的成功经验。     

掺Eu3+，Dy3+的Zn3(BO3)2纳米材料的发光特性

采用共沉淀法合成了一系列掺杂Eu3+，Dy3+的Zn3(BO3)2纳米发光材料，X射线衍射测定其物相为单斜晶系的Zn3(BO3)2，平均粒径为15～25?nm左右,同时研究了Eu3+，Dy3+掺杂样品的发光特性.在Eu3+和Dy3+共同掺杂的体系中，可以观察到由于Eu3+，Dy3+之间的能量传递使Eu3+强烈敏化Dy3+的发光现象.     

不定方程x~3＋y~3＋z~3-3xyz=n有非负整数解的充要条件

给出不定方程x3＋y3＋z3-3xyz=n的非负整数解的一个判定准则.主要结果为：如果正整数n有标准分解式n=2rpr11…prkk,其中p1,p2,…,pk是适合p1     

CaSiO3: Eu3+ 的发光性能

采用溶胶—凝胶法制备出了CaSiO₃: Eu³⁺,主要研究Eu³⁺在CaSiO₃中的发光机理及它们浓度变化对其光谱性质的影响。     

溴掺杂CH_3NH_3PbI_3薄膜及其钙钛矿太阳能电池性能研究

有机-无机铅基卤化物钙钛矿杂合物CH_3NH_3PbI_3作为光吸收材料被广泛应用于太阳能电池中,取得了较高的光电转换效率。基于此,在CH_3NH_3PbI_3基础上对I位进行Br掺杂,采用一步溶液法制备了一系列CH_3NH_3Pb(I_(1-x)Br_x)_3薄膜,研究了溴掺杂对CH_3NH_3PbI_3薄膜物相结构、微观形貌、吸光性能及光电转换性能的影响。结果表明,随着Br掺杂量x由0增加到1,常温下其物相结构逐渐由四方相转变为立方相,并且薄膜在TiO_2纳米柱衬底上的覆盖率逐渐提高,其在可见光及近红外区域内的吸光范围逐渐变窄,其光学带隙由1.59 eV逐渐过渡到2.23 eV。以CH_3NH_3Pb(I_(1-x)Br_x)_3薄膜制备成FTO/BL(blocking layer)-TiO_2/NR(nanorods)-TiO_2/CH_3NH_3Pb(I_(1-x)Br_x)_3/sprio-OMe TAD/Au结构的钙钛矿太阳能电池,发现随着Br掺杂量的增加,太阳能电池的短路电流减小,开路电压增大,填充因子增大,光电转换效率减小。     

C3参考模型

介绍了一种X3规范的通用框架结构C3RM.它是基于国际标准组织(ISO)、开放系统互连(OSI)、参考模型(RM)的一种通用结构.为了适应通信类型的作用,X3RM包含了ISO,OSI,RM,对所有物理作用的关键类型都包含了相似的结构,并利用应用层以整合的方式为所有作用类型提供命令和控制.X3RM充实了很多已有的模型结构,为相关规范的发展、模块间彼此协作的实现,以及保护在模块重复利用技术上的投资提供了一个系统框架.     

熔模铸造3-3-3-1模料流变性的研究

对熔模铸造用模料3-3-3-1进行了本构关系的研究,在实验的基础上,利用幂律粘度模型,计算出了模料粘度模型的参数,从而得到其本构方程,并绘出了模料流变曲线。     

Electrical conductivity of （Na3AlF6-40%K3AlF6）-AlF3-Al2O3 melts

The effects of contents of AlF3 and Al2O3, and temperature on electrical conductivity of （Na3AlF6-40%K3AlF6）- AlF3-Al2O3 were studied by continuously varying cell censtant （CVCC） technique. The results show that the conductivities of melts increase with the increase of temperature, but by different extents. Every increasing 10 ℃ results in an increase of 1.85 × 10^-2, 1.86× 10^-2, 1.89 × 10^-2 and 2.20 × 10^-2 S/cm in conductivity for the （Na3AlF6-40%K3AlF6）-AlF3 melts containing 0%, 20%, 24%, and 30% AlF3, respectively. An increase of every 10 ℃ in temperature results an increase about 1.89× 10^-2, 1.94 × 10^-2, 1.95 × 10^-2, 1.99× 10^-2 and 2.10× 10^-2 S/cm for （Na3AlF6-40%K3AlF6）-AlF3-Al2O3 melts containing 0%, 1%, 2%, 3% and 4% Al2O3, respectively. The activation energy of conductance was calculated based on Arrhenius equation. Every increasing 1% of AlF3 results in a decrease of 0.019 and 0.020 S/cm in conductivity for （Na3AlF6-40%K3AlF6）-AlF3 melts at 900 and 1 000 ℃, respectively. Every increase of 1% Al2O3 results in a decrease of 0.07 S/cm in conductivity for （Na3AlF6-40%K3AlF6）-AlF3-Al2O3 melts. The activation energy of conductance increases with the increase in content of AlF3 and Al2O3.