nc—Si：H／c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管。在１０￣１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性。结果指出，当反身偏压为－７￣－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中具有无序排布且粒长大小不一的Ｓｉ微晶粒子，由于微晶粒子中能级的量     

在含有InSb非晶过渡层的GaAs衬底上用分子束外延生长InSb薄膜

在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（７７Ｋ）霍尔载流子浓度分别为ｎ＿（３００Ｋ）：２．０×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）和ｎ＿（７７Ｋ）：２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）；电子迁移率分别为μ＿（３００Ｋ）：４１０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ＿（－１）和μ＿（７７Ｋ）：５１２００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ￣（－１）。ＩｎＳｂ外延层双晶衍射半峰宽为１９８ａｒｃｓ，最好的ＩｎＳｂ外延层的半峰宽小于１５０ａｒｃｓ。采用ＩｎＳｂ非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度，改善了ＩｎＳｂ外延层的质量。     

Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触

研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。     

nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的     

IJF－OQPSK数字调制器

无符号间干扰和抖动－交错正交相移键控（ＩＦＪ－ＯＱＰＳＫ）是现代数字调制技术中的一种新的调制方式。在介绍一种新型集成调制芯片的基础上，给出实现ＩＪＦ－ＯＱＰＳＫ调制器的具体电路。     

SiC器件—物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ－ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ＾－１二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓ     

采用连续相位FSK调制方式π／2—TFSK的移动通信信道中的数字传输特性的改善

在移动通信信道中，建立数字无线电系统时，为了有效利用频率，必需要同时考虑频谱特性和差错率，选择适当的调制方式．尤其是高速传输时（起因于信道多径波干扰）传输特性恶化少，且频谱特性较好的调制方式的开发很有意义．本论文先求出我们最早提出的π／２—ＴＦＳＫ的频谱，阐明其特性．再求出检波器输出的眼孔，讨论１比特延迟检波、２比特延迟检波特性的分析．用平方余弦（ＲＣ）滤波器进行基带的带限时，π／２—ＴＦＳＫ（ＲＣ－π／２－ＴＦＳＫ）的眼孔的开度比ＭＳＫ（ＲＣ—ＭＳＫ）的大，表明本方式很适合移动通信信道．最后求出使用高斯形收信ＢＰＦ时的理想收信带宽．     

序列k-错线性复杂度算法

本文给出了一个测量流密码序列稳定性的重要指标Ｋ－错线性复杂度的算法,即求ＧＦ（ｑ）上（ｑ＝ｐ＾ｍ,ｐ：素数）周期为Ｎ＝ｐ＾ｎ序列的Ｋ－错线性复杂度的快速算法。在这里对广义ＧａｍｅｓＣｈａｎ算法－ＧＦ（ｑ）上ｐ＾ｎ序列线性复杂度算法进行了简化,并给出了ＧＦ（ｑ）上ｐ＾ｎ序列Ｋ－错线性复杂度算法及其证明。     

LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究

本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高真空ＣＶＤ法生长的同样厚度和组分的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄层的缺陷密度相等甚至更低．霍尔迁移率μＨ与温度有μＨ∝Ｔｍ的关系，（在Ｔ＝８０～３００Ｋ时，ｍ＝－０．９５）．当ｘ＞０．８５时，μＨ的测量值和由Ｋｒｉｓｈｎａｍｕｒｔｈｙ计算的理论值相符，ｘ＜０．８５，测量值仅为理论值的７０％．由Ｂｉ杂质     

熔体旋淬非晶态Fe—Sm—B合金的磁性研究

研究采用了熔体旋淬技术制备的非晶态Ｆｅ８０－ｘＳｍｘＢ２０合金在温度范围４－３００Ｋ，磁场Ｈ〈１６ＫＯｅ情况下的磁化现象和磁性能，这里Ｏ≤Ｘ≤１６。随着Ｓｍ含量增大，４Ｋ时的磁矩和居里温度降低。Ｓｎ的有效磁矩约为０．３μＢ。我们根据不规则磁各向异性模型分析了４Ｋ时的结果，并由矫顶力的分析得到局部不规则各向异性常数ＫＬ。     

Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验

设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

基片和底电极对KTN薄膜结构与取向的影响

研究了用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法在不同基片和底电极上制备ＫＴＮ薄膜的结构,发现基片和底电极的结构及化学稳定民生直接影响ＫＴＮ薄膜的生成和结构。详细讨论了在ＭｇＯ（１００）、Ｓｉ（１００）、ＳｉＷ２、Ｐｔ／Ｓｉ、ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２等基片与底电极上不能制得纯钙钛矿ＫＴＮ薄膜的原因,对于不与ＫＴＮ发生反应的基片,当基片的结构、晶格常数等与钙钛矿ＫＴＮ越匹配,越有利于ＫＴＮ的取向生长,并在Ｓ     

Au—Sn合金电镀

概述了改善的Ａｕ－Ｓｎ合金镀液,可以稳定地形成组成为８０ｗｔ％Ａｕ,２０ｗｔ％Ｓｎ的Ａｕ－Ｓｎ合金镀层,适用于具有抗蚀剂图形的半导体等电子零件上形成Ａｕ－Ｚｎ合金微细焊料图形。     

MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究

本文报道了采用含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步ＭＢＥ生长技术，在ＧａＡｓ（１００）衬底上异质外延生长的ＩｎＳｂ外延层材料特性及初步的器件性能。５μｍ厚的ｎ型本征ＩｎＳｂ外延层７７Ｋ时的电子浓度和迁移率分别为：ｎ～２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３），μ～５．１２×１０￣４ｃｍ￣２Ｖ￣９－１）ｓ￣（－１），高质量ＩｎＳｂ外延层的Ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）＜１５０″。ＩｎＳｂ表面的相衬显微形貌，ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ界面的ＴＥＭ形貌相和ＩｎＳｂ外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了ＭＢＥＩｎＳｂ外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用ＭＢＥ生长的ｎ型ＩｎＳｂ外延层薄膜首次制作了中波（３～５μｍ）多元光导线列器件，终测表明，器件的光导响应率较高Ｒ（Ｖ）～７８００Ｖ／Ｗ，均匀性很好ΔＲ（Ｖ）／Ｒ（Ｖ）＜７％，ＭＢＥＩｎＳｂ外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。     

移动卫星通信中的调制解调技术分析

本文针对移动卫星通信信道频带受限（文中称为带限）和非线性同时存在的特点，讨论了几种适用的数字调制解调技术。即交错正交移相键控（ＯＱＰＳＫ）、无符号同干扰和抖动－交错正交移相键控（ＩＪＦ－ＱＯＰＳＫ），最小频移健控（ＭＳＫ）和与编码结合的调制解调技术。并对这些调制解调技术的性能进行了对比分析。     

An Approach of Knowledge-Based Programming in Postal Service

ＡｎＡｐｐｒｏａｃｈｏｆＫｎｏｗｌｅｄｇｅ－ＢａｓｅｄＰｒｏｇｒａｍｍｉｎｇｉｎＰｏｓｔａｌＳｅｒｖｉｃｅ￥ＬｉｕＣｕｎｌｉａｎｇ（ＳｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇＰｏｓｔａｌＣｏｌｌｅｇｅ，Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ０５００２１，Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔ...     

声音和电视广播接收机天线端干扰电压的测量

声音和电视广播接收机天线端干扰电压的测量张志中主题词广播接收机，天线端干扰电压，测量一、天线端干扰电压的允许值在ＧＢ１３８３７－９２中，天线端干扰电压的允许值由表３规定。表３规定的允许值是对应７５ｆｉ的标称阻抗，对于标称阻抗不同于７５ｎ的接收机的允许...     

SiC接触的电学和化学特性

用化学和电学研究测试了６Ｈ－ＳｉＣ与元素金属（Ｎｉ，Ｍｏ）和硅化物（ＭｏＳｉ２，ＴａＳｉ２和ＴｉＳｉ２）的接触特性。用俄歇电子光谱（ＡＥＳ）化学分析技术研究了由热处理引起的界面反应，在退火过程中，用电学测量方法（电流－电压和电容－电压）测量了整流特性或欧姆接触特性。并尽可能地计算了势垒高度及接触电阻值。     

Sol—gel法制备纳米化硅晶须的研究

采用长链甲基三甲氧基硅烷「ＣｎＨ２ｎ＋１Ｓｉ（ＯＣＨ３」和正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）两种有机物为起始原料，用溶胶－凝胶法通过合理控制反应条件，制备出β－ＳｉＣ凝胶粉体，然后在Ａｒ气氛、９００～１３００℃下热处理，制备出了高纯、低氧含量，直径２～１０ｎｍ，长度４０～８０ｎｍ的β－ＳｉＣ纳炉晶须。产物纯度达到９９．９２％。利用Ｘ射线粉昌衍射、航向电镜（ＴＥＭ）、拉曼光谱等测试方法对制香的晶须进行了结构及颗