基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程.开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程.在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加.米勒平台区对应着最大的负载电流.可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值.     

功率MOSFET参数测试仪的设计

功率MOSFET参数测试仪是用来测试功率MOSFET电特性参数的仪器设备（如阈值电压、跨导等）。以单片机为核心,介绍功率MOSFET参数测试仪的原理、设计及实现,设计了电特性参数测试的具体电路,编写了测试控制程序,通过对设计出的测试仪系统进行实验和调试,可以准确测量功率MOSFET的阈值电压、跨导、栅源漏电流、零栅压漏极电流及耐压。     

同步整流功率MOSFET特性及研究现状

为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率。简要介绍了同步整流技术的原理,并结合原理,深入分析了应用于同步整流的功率MOSFET与常规功率MOSFET在电学特性上的差异。总结了近年来同步整流功率MOSFET领域的研究进展。     

实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(下)

从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MOSFET驱动电路具有指导意义。     

内部电压箝位与智能自保护功率MOSFET及其应用

MOSFET器件是功能电路中的常用器件，同时也是在过流或过压情况下最易损坏的器件。文中介绍了多种电压箝位式功率MOSFET器件和智能型自保护功率MOSFET的特性参数和内部结构，给出了它们的电路连接方法。     

功率MOS场效应晶体管及其应用

文章简要介绍了功率MOSFET的基本功能,对选用功率MOSFET需考虑的问题进行了归纳总结,并通过一个实用的无刷直流电机驱动电路来介绍功率MOSFT应用中要重视的技术关键。     

低Rds(on)P沟道技术

功率MOSFET常用于便携和无线产品中，其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用，功率MOSFET最重要的特性便是其漏极－源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命，提高功率转化效率。同时，便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小，因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来，为同时减小Rds(on)和封装尺寸，生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进，功率MOSFET是典型的立式器件，漏极位于芯片的底部，源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成，先进行一次体…     

功率MOSFET应用问题分析之基础篇

正在作者工作过程中,曾碰到客户咨询许多有关功率MOSFET的问题,有些问题涉及到功率MOSFET的数据表中的各种参数,有些和功率MOSFET的具体的应用特性相关,本文中作者将这些典型的问题汇总整理,希望对广大的电子工程师有所帮助。     

RF功率MOSFET产品及其工艺开发

本文简述了RF功率MOSFET器件的应用,分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF功率MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线,设计了产品的制造工艺流程,分析了制造工艺的难点,并提出了解决方案。     

一种高精度功率MOSFET参数测试系统

功率MOSFET的参数如寄生电容,转移特性,输出特性,门限电压等对功率MOSFET的应用及其仿真建模具有重要的影响。本文从工程角度设计了一套功率MOSFET参数测试系统,通过器件Datasheet,供应商实测结果与本测试系统实测结果的对比,证明了本系统测试精度高,十分便于工程领域的应用。通过原有参数和本测试参数所建模型与实测结果的对比,证明本系统对MOSFET的准确建模具有重要意义。     

[原创]T PWD13F60高密度600V功率驱动器解决方案

ST公司的PWD13F60是集成了栅极驱动器和四个N沟功率MOSFET(双半桥配置)高密度功率驱动器.功率MOSFET有320 mΩ的RDS(on)和600V漏-源击穿电压,主要用在工业和家用电器的马达驱动器,工厂自动化,HID镇流器,电源单元和DC/DC与DC/AC转换器.本文介绍了PWD13F60主要特性,框图,典型应用电路图,以及评估板EVALPWD13F60主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.     

改善功率MOSFET器件UIS测试能力的方法

介绍了功率MOSFET器件的UIS（非钳位感应开关）测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RR,改变设计。实际案例中的两种MOSFET器件A和B应用了这3种方法的组合,使功率MOSFET器件的UIS能力和测试合格率有了很大的提升。     

基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET建模与分析

针对现阶段SiC MOSFET建模研究无法应用在电机控制系统领域的现状,提出了一种基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET仿真电路模型。对功率器件的动态特性和静态特性进行综合分析,采用非分段受控电流源模型模拟功率器件静态特性,具体分析SiC MOSFET的开关过程,同时采用曲线拟合的方法对影响器件开关过程的非线性电容进行表征,在Matlab/Simulink中建立SiC MOSFET等效电路模型。为了验证模型准确性,将仿真结果与数据手册中的数据进行比较分析,仿真结果表明所建模型可以较为准确地描述SiC MOSFET动、静态特性,开通时间和关断时间误差均小于7%,对比结果验证了模型的准确性和有效性。建立的模型为SiC MOSFET在电机控制策略仿真及应用领域提供了参考依据。     

MOSFET管的应用研究

Si C是一种新型的功率器件,来近几年广泛的运用于高温高频开关工作,相关的研究工作进展十分迅猛。笔者主要研究MOSFET管的特性以及参数,并通过能够适应宽范围温度的仿真模型进行模拟,对MOSFET单管的应用进行研究,分析了MOSFET对驱动电路的要求。最后根据MOSFET的工作原理进行应用分析,列举若干MOSFET管的常见应用。     

新一代电力电子器件——IGBT

电力电子器件既是电力电子技术的基础,也是电力电子技术发展的强大动力,电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的。IGBT是在功率MOSFET工艺基础上发展起来的产物,它是兼有MOSFET的高输入阻抗、高开关速度和GTR大电流密度特性优点的混合器件,在大、中功率应用场合已经逐步取代传统的GTR、GTO器件,它和MOSFET、MCT一起,成为现代电力电子技术中最具活力的功率开关器件。本文着重介绍IGBT——绝缘栅双极晶体管的基本构造及导电机理,并从它的基本构造出发了解IGBT的锁定问题,同时探讨IGBT在使用中的某些问题,最后简要地介绍一下功率集成电路PIC。     

TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用

介绍了功率器件驱动模块TLP250的结构和使用方法,给出了其与功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件电路图。在阐述IRF840功率MOSFET的开关特性的基础上,设计了吸收回路。最后结合直流斩波调速技术,设计了基于TMS320LF2407 DSP的直流电动机全数字闭环调速系统,并给出了实验结果。     

采用绝缘型封装的沟道型功率MOSFET在低压车用驱动电路中的应用

本文介绍了功率半导体器件的一个新家族，即绝缘型封装的低压沟道型MOSFET：对MOSFET和封装技术做了一个简单介绍。由此可以衍生出几种器件和功率等级和特性。另外对这些新器件的典型运用作了一个介绍：如用在作为汽车辅助驱动电路的变换器中及用电池供电的运输工具中。     

新品展台

JR全新MOSFET具备快速本体 二极管特性 功率半导体专家国际整流器公司目前推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源(SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信     

HID灯镇流器中UniFET Ⅱ MOSFET的性能和效率

先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能。本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM Ⅱ MOSFET—具有显著提高的体二极管特性,另外还介绍了其性能和效率。根据寿命控制的集中程度,UniFET Ⅱ MOSFET可分为普通FET、FRFET和Ultra FRFET MOSFET,其反向恢复时间分别为传统MOSFET的70%、25%和15%左右。为了验证全新MOSFET的性能和效率,用带混频逆变器的150W HID灯镇流器进行了实验。结果证明,两个UniFET Ⅱ MOSFET可取代两个传统MOSFE和四个附加FRD,并且无MOSFET故障。     

一种基于光耦HCPL0601的光电隔离型功率MOSFET驱动电路

本文首先介绍了光耦HCPL0601的工作特性及其应用。并提出了一种应用HCPL0601实现光电隔离的功率MOSFET驱动电路的设计方案。该驱动电路同时适用于驱动上、下管的导通与关断。实验结果表明,该驱动电路可以得到有效的驱动信号。