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选用粒径为20μm 和60μm 的SiC 颗粒, 采用挤压铸造方法制备了基体分别为工业纯铝L2 、LD11(Al-12 %Si) 和AlSi20 (Al-(18~21) %Si) 的复合材料, 研究了材料的导热性能。在等比表面积的基础上, 提出了等效颗粒直径的概念, 解决了两种粒径颗粒混合增强铝基复合材料导热率的预测问题。结果表明, SiCP/ Al 复合材料具有较为优异的导热率, 且LD11 基与AlSi20 基复合材料的导热率大于基体合金的导热率, 这与颗粒的等效直径大于临界粒径且颗粒导热率大于基体导热率有关;但复合材料的导热率随着基体中Si 含量的增加而降低。 相似文献
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液晶聚酯与氮化铝复合基板材料的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用模压成型方法制备了氮化铝(AIN)和液晶聚酯(LCPE,PET/60PHB)的复合基板材料,研究了影响基板材料导热系数,线膨胀系数,介电性能和力学性能的因素,实验结果表明,在复合材料中AIN的用量是影响复合材料上述各种物理性能的关键;对氮化铝粉的处理和改善AIN与聚合物之间的两相界面,则是进一步提高复合材料热物理性能和力学性能的重要环节。填加85%(质量)的AIN的液晶聚酯复合基板材料其导热系 相似文献
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脉管制冷与气波制冷之比较 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了气波制冷机与脉管制冷的原理与发展简况,对这两种利用压力能的制冷方式,着重在结构,特点,应用场合和主要理论模型等方面进行了较详细的对比,并提出了将这两种制冷机的优点相结合以满足更广泛应用场合的建议。 相似文献
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研究了三种方法制备的氮化硅薄膜的组成、表面结构、热氧化稳定性以及抗离子束损伤等性能。研究发现APCVD法制备氮化硅薄膜的Si3N4含量最高,PRSD法制备的薄膜次之,而PECVD法制备的薄膜Si3N4含量最低。在PRSD薄膜中没有N-H键存在,仅有少量的Si-H键存在,薄膜的热氧化稳定性和抗离子束损伤性能最好。APCVD薄膜中含有少量的N-H和Si-H键,虽然膜层的热稳定性很好,但由于膜层具有较多的缺陷,因此其抗氧化性较差,抗离子束损伤性能也不好。对于PECVD薄膜,由于其形成温度较低,膜层中含有大量的N-H和Si-H键,因此膜层的热稳定性和抗离子束损伤性能最差。此外,还发现XPS获得的N/Si原子比和膜层的真实成分校一致,而RBS和AES由于离子束损伤效应,其结果偏低。氮化硅薄膜热稳定性差和离子束损伤的本质均因氯化硅的脱氮分解。热氧化的本质是膜层中自由硅和气氛中残余氧的氧化反应。 相似文献
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