微光刻相移掩模技术研究

本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率、延长光刻技术寿命以及推进光刻技术极限发展方面的优良性能     

用于KrF准分子激光光刻的三相移掩模

讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法,利用自行设计、建立的ＫｒＦ准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究,给出了实验结果,并与传统光刻方法作了比较。     

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。     

衰减相移掩模光刻技术研究

论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究,给出了光刻曝光实验部分结果,并与我刻方法作了比较。     

相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模的一些设计问题。     

相移掩模方法及其一维数值模拟

相移掩模方法是一种新的光刻技术，它可以提高现有光刻设备的分辨率，使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理，用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性，导出了一维成象的简化公式，对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。     

相移掩模和离轴照明在ArF浸没式光刻中对工艺窗口的影响

研究了交替型相移掩模及离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响,在3／4环形照明和3／4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型相移掩模,研究65nm线宽的密集线条、半密集线条、孤立线条在较大的曝光系统参数范围内,对光刻工艺窗口的改善。并对在不同的照明方式、掩模结构下获得的工艺窗口进行了比较,结果表明：①在较大焦深(DOF)范围内,满足光刻性能要求可以有较大范围的曝光系统参数配置;②相时于传统照明和传统掩模,采用交替型相移掩模或者离轴照明,焦深均可提高100％-150％。     

掩模投影成像干涉光刻研究

掩模投影成像干涉光刻技术以在很小或几乎不增加光刻系统成本的基础上来提高光刻分辨率为目的,充分利用系统的有限孔径,将掩模图形不同的空间频率分别进行传递,最终以高分辨率对掩模成像。本文阐述了IIL的基本原理,介绍了一种实验系统,并给出了部分模拟和实验结果。研究结果表明,掩模投影成像干涉光刻技术比传统投影光刻能够得到更高的光刻分辨率。     

振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法

无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。研究和比较了振幅分割无 掩模激光干涉光刻方法和系统,包括振幅分割双光束干涉系统、三光束干涉系统、液浸式深紫外干涉系统及全自动干涉光刻系统。建立了双光束双曝光干涉光刻实验系统。模拟和实验结果表明,对点阵或孔阵图形,在同样的图形尺度下,无掩模干涉光刻比传统光刻简单得多。     

超微细图形加工技术进展

自1959年集成电路发明以来，它已经对人类的生产和生活方式的很多方面产生了极其重大的影响。集成电路正以线宽每年缩小30％、集成规模增长1倍、芯片价格随之下降的惊人速度发展。光刻技术的发展始终是集成电路发展的决定因素。本文综述了深亚微米光刻和纳米光刻技术。在光学光刻部分，简要描述了光刻的历史演变，较详细综述了光学光刻的最新进展，如相移掩模、离轴照明及深紫外曝光。最后介绍了电子束曝光及X射线曝光的发展状况及SIM纳米加工的发展状况。