运算放大器的性能对开关电容滤波器的影响

本文以开关电容滤波器的基本组成单元──开关电容积分器为基础，较为详细地论述了CMOS运放各主要参数指标对开关电容滤波器的影响。分析结论对数字通信编译码器JSC3057的测试和研制有一定的参考价值。     

采用一阶运放模型的开关电容电路分析

本文以非零主导极点模型代替开关电容(SC)电路中的非理想运放,得到连续条件下对SC网络拓扑无限制的频率响应式;对矩阵进行行列运算减少了电路变量,避免了复杂计算。这一分析方法已在IBM—PC微型机上实现。文中对二阶带通滤波电路的计算说明了运放有限增益带宽乘积对SC电路性能的影响,以及该分析方法的有效性。     

新型高精度低功耗电荷传输型匹配单元电路

提出了一种新型电荷传输型电路.电路由MOS管及电容组成,在计算相关量的匹配度时,先计算出相关量的差值,然后将此差值放大,使电路的计算精度提高.采用电荷传输型电路的方式,大大降低了电路的功耗.同时,此电路还具有MOS管阈值偏差自动修正功能,最大限度降低了制造工艺带来的误差.1.5μm双层多晶硅双层铝布线标准CMOS工艺所投样片的测试结果表明,工作频率为50Hz时,功耗仅为12μW.     

新型高精度低功耗电荷传输型匹配单元电路

提出了一种新型电荷传输型电路.电路由MOS管及电容组成,在计算相关量的匹配度时,先计算出相关量的差值,然后将此差值放大,使电路的计算精度提高.采用电荷传输型电路的方式,大大降低了电路的功耗.同时,此电路还具有MOS管阈值偏差自动修正功能,最大限度降低了制造工艺带来的误差.1.5μm双层多晶硅双层铝布线标准CMOS工艺所投样片的测试结果表明,工作频率为50Hz时,功耗仅为12μW.     

运放有限增益对开关电容振荡器影响的研究

本文分析了运放增益对开关电容支路的影响,并讨论了运放增益与振荡条件的关系。     

开关电容滤波器的系统设计与实现

通过合理选择滤波器的类型和阶数,利用低Q值二级滤波器放在高Q值二级滤波器的前级,给每一级分配不同的增益使得每一级的输出峰值相同.从开关电容电路的原理入手,分析了开关电容电路和电容编程阵列,最终设计一个可编程开关电容6阶带通滤波器.选择合适的运算放大器参数.可编程滤波器系统共需3路时钟控制,滤波器编程参数控制模块用于实现芯片内部程序存储器编程控制.通过对设计的开关电容滤波器进行仿真,结果基本与设计目标吻合.     

一种用于开关电容电路的高性能运算放大器

设计了一种高性能BCMOS全差分运算放大器.该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗和负载电容条件下,与传统CM0S增益增强型运算放大器相比,具有高单位增益带宽、高摆率及相位裕度改善的特点.在Cadence环境下,基于Jazz 0.35μm BiCMOS标准工艺模型,对电路进行Spectre仿真.在5 V电源电压下,驱动6pF 负载时,获得开环增益为115.3 dB、单位增益带宽为161.7 MHz、开环相位裕度为77.3°、摆率为327.0 V/μm、直流功耗(电流)为1.5 mA.     

一种应用于CMOS图像传感器的电容阵列PGA研究

研究了一种应用于1 024×1 024CMOS图像传感器中的温度计码电容阵列型可编程增益放大器(PGA)。该PGA采用开关电容阵列结构,通过改变输入与反馈电容值,实现了0～18dB的增益;同时,该PGA具有结构简单、电容阵列面积小、带宽大和反馈系数大等特点,其增益带宽50MHz、总谐波失真(THD)小于50dB。该PGA的信号处理能力完全满足12MHz速率、69dB动态范围CMOS图像传感器内部集成ADC对模拟输入信号的要求。     

嵌入式开关电容DC-DC变换器的新颖控制技术

提出了一种针对单片集成开关电容DC-DC变换器进行优化的设计方案.阐述了开关电容DC-DC变换器电路的拓扑结构及其基本工作原理,给出了单片集成开关电容DC-DC变换器的等效电阻控制方法.考虑到集成工艺的兼容性问题,在电路设计时,用n沟MOSFET替代二极管;为了改善变换器的输出特性,在标准2μm p阱双层多晶硅单层金属CMOS工艺中增加了一次MOSFET阈值电压的调整步骤,实现了升压开关电容DC-DC变换器的单片集成.芯片面积为0.4mm2,测试结果显示,在变换器输入电压为3V,输出电压为5V,电路开关频率为9.8MHz时,输出功率为0.63mW,效率达到68%.     

低电压高增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器设计

本文基于SIMC 0．18μm CMOS工艺模型参数,设计了一种低电压高单位增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器。该电路具有相对高的单位增益带宽,并具有开关电容共模反馈电路（CMFB）稳定性好、对运放频率特性影响小的优点,Hspice仿真结果表明,在1．8V电压下,运算放大器的直流开环增益为62．1dB,单位增益带宽达到920MHz。     

High-performance and simple CMOS interface circuit for differential capacitive sensors

A new concept of current-mode interface circuit for differential-capacitance transducers is proposed. The solution is suitable for integration and comprises a capacitance-to-current conversion that enables low-voltage operation, provides both high speed and accuracy, and minimizes post-processing.     

嵌入式开关电容DC-DC变换器的新颖控制技术

提出了一种针对单片集成开关电容DC-DC变换器进行优化的设计方案.阐述了开关电容DC-DC变换器电路的拓扑结构及其基本工作原理,给出了单片集成开关电容DC-DC变换器的等效电阻控制方法.考虑到集成工艺的兼容性问题,在电路设计时,用n沟MOSFET替代二极管;为了改善变换器的输出特性,在标准2μm p阱双层多晶硅单层金属CMOS工艺中增加了一次MOSFET阈值电压的调整步骤,实现了升压开关电容DC-DC变换器的单片集成.芯片面积为0.4mm2,测试结果显示,在变换器输入电压为3V,输出电压为5V,电路开关频率为9.8MHz时,输出功率为0.63mW,效率达到68%.     

A wideband integrated circuit amplifier for fixed-gain application

Circuits which achieve precise gains without the use of negative feedback are of interest because of their simplicity and potential for achieving large bandwidths. A circuit architecture based upon precision current mirrors for producing fixed gains without the use of feedback has been reported in the literature and implemented on a BiCMOS process [1]. This paper provides further analysis of this approach and applies it to a new bipolar amplifier, intended for such applications as real-time active filter synthesis.     

84dB动态范围13b/400kHz/3V/5.88mW ΣΔ模数转换器

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度ΣΔ调制器. 为了达到高线性和稳定性,调制器采用2-1级联单比特的结构实现. 电路在0.18μm CMOS工艺下流片验证,核心面积为0.5mm×1.1mm. 调制器工作在19.2MHz的采样频率,在3V电源电压下功耗为5.88mW. 测试结果表明,在200kHz信号带宽,过采样率为64的条件下,调制器达到84.4dB动态范围,峰值SNDR达到73.8dB,峰值SNR达到80dB.     

基于红外光通信电路的设计与制作

本文使用集成运放TDA2822M、红外对管作为收发器件,设计并制作出了红外载波发射电路和接收电路,实现了有限距离的红外光通信。该装置能够实现在3.0m距离范围内,接收端可接收不失真的音频信号,同时,通过监测电路可实时监测到发射端和接收端的信号情况,便于将电路调整到最佳运行状态。     

A fast driver circuit for single-photon sensors

A fast active quenching and recharging circuit (AQRC) for single-photon avalanche diodes (SPAD) is presented in this paper. The proposed driver exhibits a lower than 10 ns overall quenching time allowing a tunable excess voltage from 5 to 12 V. The circuit was designed by using the dielectrically insulated BiCMOS technology supplied by ST Microelectronics. Many post-layout ELDO simulations have validated the high performance of the proposed topology, which is actually the fastest AQRC reported in the literature.     

84dB动态范围13b/400kHz/3V/5.88mW∑△模数转换器

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.为了达到高线性和稳定性,调制器采用2-1级联单比特的结构实现.电路在0.18μm CMOS工艺下流片验证,核心面积为0.5mm×1.1mm.调制器工作在19.2MHz的采样频率,在3V电源电压下功耗为5.88mW.测试结果表明,在200kHz信号带宽,过采样率为64的条件下,调制器达到84.4dB动态范围,峰值SNDR达到73.8dB,峰值SNR达到80dB.