爱特梅尔推出全新0．7V tinyAVR微控制器系列

爱特梅尔公司（Atmel）现已推出全新的tinyAVR微控制器系列，瞄准使用单电池如AA、AAA或纽扣电池（coin cell）运作的应用。该系列的首个成员是ATtiny43U器件,非常适合便携式电池供电的消费电子应用如手机附件、远程控制装置、体育用品和个人护理用品。     

IR推出三款新型25V DirectFET MOSFET

Altera公司开始发售Stratix Ⅱ GX系列的EP2SGX130器件，该器件是业界容量最大的带有嵌入式收发器的FPGA。EP2SGX130的等价逻辑单元（LE）数量超过132000个，为设计人员提供了丰富的逻辑资源，帮助他们实现多种协议或者非常复杂的知识产权。设计人员可以采用单个器件．非常经济的满足多种市场和客户的需求。此外．EP2SGX130器件具有20个功能完善的多吉比特收发器．使其成为PCIExpress桥接和多端口线路卡应用的理想选择。     

Ramtron发布具有更宽工作电压范围的串并口F-RAM存储器

Ramtron发布W系列F—RAM存储器，W系列器件带有串口12C、SPI接口和并行接口．能够提供从2．7V～5．5V的更宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如有功电流（active current）需求降低了25％～50％，串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快20倍。     

具±60V故障保护的全/半双工3V至5.5V RS485收发器实现20Mbps速率

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出极其坚固、高电压容限的RS485/RS422收发器系列LTC2862-2865,该系列器件无需昂贵的外部保护设备,就可防止现场故障。     

莱迪思推出第三代BFW产品,支持1.8 V和2.5 V电压

莱迪思半导体公司2001年12月3日　宣布其ispMACH4000超快（SuperFAST）系列的首批器件-256个　宏单元的ispMACH4256器件和512个宏　单元的ispMACH4512器件面市。这两种　器件均有支持2.5V和1.8V伏电压的版　本,分别属于isoMACH4000B和ispMACH4000C系列。 ispMACH4000C是业界第一个1.8V　的在系统可编程（ISP）复杂可编程逻辑器　件系列,它延续了莱迪思的传统,第一个　向市场推出新的低电压标准的器件。　 ispMACH4000器件以最低的动态　功耗实现了在工业界领先的速度性能,　同时支持界于3.3V与1.8V之间的I/O     

SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30～100V的电压

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻（RDS（on），适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动。以及电信设备等应用。     

2．7V低驱动电压热敏打印头

德州仪器（TI）推出三款基于TMS320C67x DSP系列的新型浮点DSP，基于C67x DSP的新内核具有高效C语言效率，其VLIW架构显著提高应用性能。TMS320C6722、TMS320C6726与TMS320C6727 DSP的性价比高达每美元130MFLOPS。TI针对音频质量及性价比至关重要的高品质音频应用创建了C672x器件。TI通过C672x浮点器件实现了多方面的优化创新，并且为了充分满足市场需求，这些器件具备与全系列C67x DSP产品的代码兼容性。     

IR推出SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30V～100V的电压

国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

200V和250V OptiMOS系列功率MOSFET

200V和250V OptiMOS系列器件适用于48V系统、DC／DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借极低的优质化系数（FOM）,OptiMOS200V和1250V可使系统设计的导通损耗降低一半,使大电流应用能够实现极低的导通损耗。另外,极低的棚极电荷Qg有助于实现最低开关损耗和高速开关。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

28nm Stratix V FPGA系列

Stratix V FPGA系列采用TSMC28nm高性能（HP）工艺进行制造,提供110万逻辑单元（LE）、53Mb嵌入式存储器、3680个18×18乘法器,以及超高速率28Gb／s的集成收发器。器件还采用高级专用硬核知识产权（IP）,提高了系统集成度和性能,而没有成本和功耗代价。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

TI推出高级VoCable芯片组及宽带参考设计

德州仪器（TI）日前宣布将在未来18个月内推出50款新型器件，大规模扩展MSP430超低功耗微控制器（MCU）平台。MSP430系列经扩展后能充分满足不断增长的市场需求。首批、ISP430F20xx MCU系列器件体积小、功耗低，采用14引脚4×4mm封装，拥有每秒处理1，600万条指令（MIPS）的16位性能。     

IR推出20 V至30 V的全新StrongIRFET系列

正全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20 VD irectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))IRL6283M 采用超薄的30mm2中罐式 DirectFET 封装,导通电阻典型值只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态 O-     

28nm Stratix V等：FPGA

Altera公司推出28nm FPGA系列所有三种产品,包括Stratix V、Arria V和Cyclone V器件。Cyclone V系列采用了TSMC的28-nm低功耗（28LP）工艺进行开发,满足了目前大批量、低成本应用对低功耗、低成本,以及优性能水平的要求。该系列还包括具有集成了基于双核ARM硬核处理器系统（HPS）的型号,与其前一代产品相比,总功耗降低了40%。Arria V 28-nm FPGA功耗比前一代产品低40%,     

半导体C—V的测量

电容一电压（C—V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。     

3．3V、ZIF调谐器

MAX2117是零IF（ZIF）调谐器，可用于UHF波段MMDS应用。器件接收470～1000MHz范围的QPSK信号，并将信号下变频至基带用于解调，兼容大多数DVB-S解调器。8dB（典型值）的低噪声系数，优于25dB（典型值）的邻信道功率比（ACPR），这些使该器件理想用于MMDS应用。     

Hicrochip扩展20引脚PIC@单片机系列

全新PIC16F631／677单片机是从8引脚和14引脚器件向20引脚器件移植的最佳选择。 全球领先的单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology Inc．（美国微芯科技公司）近日宣布推出两款新型的20引脚PIC@单片机，进一步加强其8位单片机系列的阵营。     

SESD0201X1BN-0010—O98等8款：SESD保护器件

TE Connectivity推出一个系列SESD0201X1BN．0010-098等8款全新的单,多通道硅静电放电（SESD）保护器件,器件可提供电容（双向：典型值为0．10pF,单向：典型值为0．20pF）、ESD保护（20kV空气放电和接触放电）和小尺寸封装（多通道：较小的直通外形尺寸、厚度为O．31mm）。     

IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列 为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻

正全球功率半导体和管理方案领导厂商—国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20~30 V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻(RDS(on))。IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻典型值只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合