英飞凌扩展其逆导软开关IGBT产品组合

英飞凌科技股份公司日前宣布推出一款单片集成逆导二极管的650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品线。英飞凌的RC—H5系列产品性能卓越,而颓推出的这款器件更将显著扩大RC—H5系列产品的应用范围。（来自英飞凌）     

RC-H5：二极管

英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A1350V器件,再次扩充逆导（RC）软开关IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品组合。新的20ARC-H5是对英龟凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。     

英飞凌600V功率开关器件家族又添新丁

英飞凌科技两名新成员600V逆导型（RC）IGBT家族闪亮登场。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT,可以设计更高能效的电机驱动家用电器,它们使用更小的组件,因而总成本低于同类系统。     

第三代逆向导通IGBT采用软开关拓扑结构

英飞凌（1nfineon）公司在功率半导体市场一直致力于高效节能的功率器件开发,在全球工业IGBT模块总量中占有21．4％的市场份额,位居第二位。前不久,该公司推出了在第三代逆向导通IGBT（绝缘栅双极晶体管）（RC3）采用软开关的应用。     

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

正2014年2月24日,英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A1350V器件,再次扩充逆导(RC)软开关IGBT产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。与前几代产品相比,RC-H5的开关损耗降低高达30%,使设计人员能够使用IGBT的工作频率高达30KHz。因此,配备RC-H5的系统效率提高0.5%,     

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

正2014年2月24日,英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350 V器件,再次扩充逆导(RC)软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。与前几代产品相比,RC-H5的开关损耗降低高达30%,使设计人员能够使用IGBT的工作频率高达30 kHz。因此,配备RC-H5的系统效率提高     

英飞凌推出创新型H-PSOF封装技术

英飞凌科技股份公司近日推出一种创新型封装技术,为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H—PSOF（散热型塑料小外形扁平引线）。首批推出的采用H—PSOF封装技术的产品是40VOptiMOSFET2功率晶体管,它们的漏极电流高达300A,导通电阻（RDS（on））低至0．76毫欧。     

飞兆与英飞凌就创新型汽车MOSFETH-PSOFT0无铅封装技术达成许可协议

飞兆半导体和英飞凌日前宣布已就英飞凌的H—PSOF（带散热片的小外形扁平引脚塑料封装）先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。     

RC-GCT中集成二极管特性的设计与优化

首先简要地分析了各种少子寿命控制技术的特点。指出了逆导型门极换流晶闸管（RC-GCT）中集成二极管的设计要求和考虑。在此基础上,采用结构参数优化和少子寿命控制相结合的方法。利用MEDICI软件对集成二极管的各项特性进行了模拟。最后。通过模拟结果分析。确定了RC—GCT中集成二极管的特性设计参数和工艺实现方法。     

英飞凌扩展其逆导软开关IGBT产品组合新增650VRC-H5器件

正英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。新推出的分立式RC-H5650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样,比     

逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现

逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点.设计并实现了一款1200V逆导型沟槽FS IGBT.重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真.研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善.依据器件的最优化设计进行了流片.测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化.     

英飞凌可再生能源发电和智能电网带来新的增长机遇

英飞凌科技连续8年位居全球功率半导体市场榜首。据IMsResearch发布的数据,2010年,英飞凌进一步巩固其领先地位,在全球市场上占据了11.2％的份额,领先于东芝（6．8％）、意法半导体（6．5％）和三菱（6．5％）。IMSResearch的市场调查表明,英飞凌在分立式功率半导体细分市场上拥有8．6％的市场份额,第一次肯定在该市场上具有明确的榜首地位。     

英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET

英飞凌科技日前推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600VCool MOSC6系列。有了600VCool MOSC6系列器件．诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用T0-220封装，     

英飞凌增资计划有望全面完成

英飞凌科技近日宣布．阿波罗全球管理公司（Apollo Global Management LLC）管理的基金将以2．15欧元的价格认购1400万股英飞凌为增资发行的新股,相当于增持大约1．3％的股权。在增资全面完成后,英飞凌的股本将增至21．73亿欧元。     

第三代逆向导通IGBT采用软开关拓扑结构

英飞凌(Infineon)公司在功率半导体市场一直致力于高效节能的功率器件开发,在全球工业IGBT模块总量中占有21.4%的市场份额,位居第二位.前不久,该公司推出了在第三代逆向导通IGBT(绝缘栅双极晶体管)(RC3)采用软开关的应用.     

技术动态

首个TD—LTE试商用网将在上海展示;英飞凌发布全新低成本3G解决方案;英飞朗在华建立研发中心推动下—代数字光网络;NEC电子新款STB系统 芯片集成H．264解码功能;德州仪器推出业界最快的12位ADC     

英飞凌多频段WCDMA／EDGE集成收发器

英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）宣布提供SMARTi 3GE型WCDMA／EDGE双模射频收发器样品。该产品是英飞凌RFSMARTi收发器产品家族的最新成员．是支持6个WCDMA（宽带码分多址）频段和4个EDGE（增性数据率GSM演进）频段的单芯片解决方案。     

英飞凌TPM安全芯片率先通过全球TCG和通用准则认证及英国政府的审批

英飞凌科技近日宣布。作为TPM（可信平台模块）安全芯片半导体供应商,该公司率先通过了当今最为严格的Pc安全测试。非盈利的中立标准组织TCG（可信计算组织）证实．英飞凌的TPM成功通过“TCG认证”。TCG认证是以国际安全标准“通用准则”和TCG合规测试为基础。英飞凌TPM获得的通用准则评估保证级别EAL 4＋．被认为是芯片供应商持续在Pc安全应用领域取得成功不可或缺的条件。     

全球DRAM排名出炉 英飞凌跻身市场第二

据iSuppli发布的数据，英飞凌在2006年第一季度获得了11．6亿美元的DRAM销售额，与去年同期的7．78以美元相比增长49％。由此，英飞凌DRAM市场份额从12．6％上升至17．5％，击败其美国的竞争对手美光（Micron）以及来自韩国的海力士半导体（Hynix Semiconductor）而跻身排名第二位。     

新型ISOFAGE^TM数字输入产品系列

新型ISOFACETM数字输入产品扩展了英飞凌迈向工业控制和自动化应用的创新隔离接口产品系列。基于英飞凌ISOFACETM数字输出产品采用的成熟技术,这种新型ISOFACE^TN数字输入产品能够提供500VAC（EN60664—1,ULS08）的集成隔离功能。该技术一方面可为控制系统输入端（如传感器或开关）提供电隔离,