封面介绍

封面介绍Ｓ、Ｃ波段相控阵Ｔ／Ｒ组件Ｓ、Ｃ波段相控阵Ｔ／Ｒ组件，采用ＭＭＩＣ芯片和小型化ＭＩＣ电路混合形式，运用微组装工艺制作而成。其中ＬＮＡ，ＳＰＤＴ等使用了５片ＭＭＩＣ芯片；限幅器、移相器等电路则采用二极管芯片组装完成。功率放大器输出级是大功率ＦＥ...     

GaAs MMIC射频开关设计与研制

介绍了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的设计方法,在这种方法中,把ＭＥＳＦＥＴ当作一个两端口网络处理,直接提取开与关两种状态下网络（ＭＥＳＦＥＴ）的Ｓ参数,应用Ｓ参数进行开关电路的ＣＡＤ。这种设计方法更准确,更简单,容易实现。文中还给出了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的研制结果。     

INFORMATION FOR AUTHORS

ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

多芯片MMICC波段T／R组件

多芯片ＭＭＩＣＣ波段Ｔ／Ｒ组件钱万成（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｍｕｌｔｉ－ＭＭＩＣＣ－ＢａｎｄＴ／ＲＭｏｄｕｌｅｓ￥ＱｉａｎＷａｎｃｈｅｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，２１００１６）研制的Ｃ波段固态...     

半导体和IC

表面贴装功率ＩＣ封装ＳＧＳ　ＴＨＯＭＳＯＮ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ公司的大功率表面贴装封装系列又增添了一种形状和尺寸与标准１４×１４×２．８ｍｍＱＦＰ封装相同的新型大功率封装。这种新封装叫做ＨＩＱＵＡＤ－６４（ＪＥＤＥＣＭＯ－１８８），是为未来的灵巧功率芯片设计的，具有优于１ｋ／Ｗ的连接外壳热阻，厚度为１０密耳的铜线框以及金或铝焊线。它可容纳１２０ｋ密耳２的小片。高速ＡＳＩＣ验证工具ＶｉｅｗｌｏｇｉｃＳｙｓｔｅｍｓ公司最近推出Ｅａｇｌｅ系列新产品ＥａｇｌｅＶ　ＴＭ，这是一种优化的专用集…     

低压低能耗应用的InGaAs／AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。     

GaAs MMIC射频开关设计与研制

介绍了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ ＲＦ开关的设计方法,在这种方法中,把ＭＥＳＦＥＴ当作一个两端口网络处理,直接提取开与关两种状态下网络的Ｓ参数,应用Ｓ参数进行开关电路的ＣＡＤ。这种设计方法更准确,更简单,容易实现。文中还给出了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ ＲＦ开关的研制结果。     

75～110GHz InGaAs／GaAsHEMT高增益MMIC放大器

７５～１１０ＧＨｚＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ高增益ＭＭＩＣ放大器毫米波ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＰＨＥＭＴ已在通信、雷达、灵巧武器、电子战和辐射测量系统等方面获得广泛应用。近来，以ＰＨＥＭＴ为基础的工艺技术已取得令人瞩目的进展，因而能在兼顾高性能的情...     

采用图像抑制有源HEMT混频器的60 GHz MMIC下变频器

采用图像抑制有源ＨＥＭＴ混频器的６０ＧＨｚＭＭＩＣ下变频器（ｌＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭＭ．Ｗ。Ｍｏｎｏｌ．Ｃｌｒｃ．Ｓｙｍｐ．）报道，日本ＴａｍｉａＳａｉｔｏ等用ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ工艺技术设计、制作出一种Ｖ波段单片下变频器。...     

用于封装的模拟和数字几千兆位集成电路的新型宽带输入补偿

用于封装的模拟和数字几千兆位集成电路的新型宽带输入补偿＝Ａｎｅｗｗｉｄｅ－ｂａｎｄｉｎｐｕｔｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｆｏｒｐａｃｋａｇｅｄａｎａｌｏｇａｎｄｄｉｇｉｔａｌｍｕｌｔｌｉｇｉｇａｂｉｔＩＣ’ｓ［刊，英］／Ｔｏｍｅｓｅｎ，Ｍ．Ｔ．…ＩＥＥＥ...     

控制场效应晶体管（CFET）──一种新型的MMIC控制器件

控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）。为了降低...     

元器件快讯

新型ＤＣ／ＤＣ开关转换器ＭＩＣ２１４１是Ｍｉｃｒｅｌ推出的新型ＤＣ／ＤＣ开关转换器 ,其输入电压范围为２ ５～１６Ｖ ,可作为蜂窝电话和ＰＤＡＳ等小型设备中的彩色液晶显示的偏压电源 ,该偏压可以由使用者根据要求进行调节。ＭＩＣ２１４１还可用于单个或三个Ｌｉ／ＬｉＭｇ电池到四个ＮｉＣｄ／ＮｉＭＨ电池的转换 ,而完成这一转换仅需４个外部元件 ,ＭＩＣ２１４１静态电流只有７０μＡ ,采用５引脚的ＳＯＴ -２３封装 ,售价为１ ４５美元。咨询编号 :０１０２４１超小型低价格射频数据模块ＬｉｎｘＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ推出的…     

T／R组件的高密度微波封装

Ｔ／Ｒ组件的高密度微波封装据《１９９５ＩＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇｅｓｔ》报道，休斯飞机公司的ＪｏｈｎＷｏｏｌｄｒｉｄｇｅ开发出一种Ｘ波段有源阵列雷达用Ｔ／Ｒ组件的低成本三维高密度微波封装（ＨＤＭＰ）技术。该项目主要集中在多层氮化铝（ＡＩＮ）衬底的设计、...     

GaAs FET高输出放大MMIC

ＧａＡｓＦＥＴ高输出放大ＭＭＩＣ据日本《电子技术））１９９４年第６期报道，日本三菱电机公司开发了高效率的ＭＭＩＣ，用于模拟便携电话的发射系统。由ＧａＡｓＦＥＴ两级放大器构成，在３．４Ｖ低压情况下，输出功率为３１ｄＢｍ（典型），效率达６０％（典型），其...     

THE OUTPUT OPTICAL FIELD INTENSITY DISTRIBUTION FORMED BY AN OPTICAL FIBER END

ＴＨＥＯＵＴＰＵＴＯＰＴＩＣＡＬＦＩＥＬＤＩＮＴＥＮＳＩＴＹＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮＦＯＲＭＥＤＢＹＡＮＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲＥＮＤ￥ＹＵＡＮＬｉ－Ｂｏ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＨａｒｂｉｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ...     

微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究

本文给出了一种利用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能。     

高压RESURF LDMOSFET的实现

利用ＲＥＳＵＲＦ技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ。本文介绍了该高压ＬＥＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺测试结果，此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅－金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。     

精品展台

●半导体和ＩＣ３２ＫｂＴＩＭＥＫＥＥＰＥＲＭ４８Ｔ３７Ｙ查询号１５０Ｍ４８Ｔ３ＴＹ采用节省空间的ＳＮＡＰＨＡＴ外壳封装，Ｍ４８Ｔ３７Ｙ提供了ＳＴ先进的ＴＩＭＥＫＥＥＰＥＲ（计时器）的所有功能（例如Ｍ４８Ｔ５６Ｙ），并且提供监控定时器、电源开关复位、可...     

用SPICE模拟薄膜SOI／CMOS集成电路

用ＳＰＩＣＥ模拟薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ集成电路＝ＴＦＳＯＩ／ＣＭＯＳＩＣｓｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｕｓｉｎｇｓｐｉｃｅ［会，英］／ＸｉＸｕｅｍｅｉ…∥ＴｈｅＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＴｈｉｒｄＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＳｏｌｉ...     

集镇流器控制、驱动及功率MOSFET于一体的STR-B5450系列组合IC

ＳＴＲ－Ｂ５４５０是日本三肯公司生产的集控制电路、高压驱动器及两只功率开关ＭＯＳＦＥＴ于一体的系列Ｓａｎｋｅｎ＾ＴＭ组合ＩＣ,使用该ＩＣ能使荧光灯电子镇流器元件数量减少的４０％。并具有预热、点火、调光、自动再启动、开／关与复位及故障／失 效保护等功能。工作可靠,最大输出功率达２００Ｗ。本文介绍了该器件的内部结构、工作原理及典型应用。