400MHz～2.4GHz宽带低噪声放大器设计

采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz~2.4GHz宽带低噪声放大器。采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度。仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz~2.4GHz,频带内噪声系数为1dB,增益为34dB,增益平坦度为3.1dB,回波损耗优于-10dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求。     

全球定位系统接收机的低噪声放大器设计

利用仿真软件先进设计系统（ADS2009）设计中心频率为1575MHz的低噪声放大器,应用于手机全球定位接收系统。选用恩智浦公司的BGU8009放大器芯片作为放大电路,通过外围匹配电路设计,使用最少的元件构成单级、低成本的低噪声放大器电路。仿真结果显示,放大器的增益大于16dB,噪声系数小于0．75dB,增益平坦度比较好,稳定系数大于1,达到系统要求的各项指标,并具有一定裕量。     

基于ADS的2GHz低噪声放大器设计

该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1．0dB,输出驻波比小于1．3,输入驻波比小于2．5。     

一种基于CMOS工艺的差分低噪声放大器设计

研究低噪声放大器(LNA)的结构以及性能参数,采用电路仿真软件ADS(Advanced Design System)设计一个基于台积电(TSMC)0.25μmCMOS工艺的2.5GHz差分低噪声放大器。通过在输出端增加共源极的优化方法,对其进行电路结构的改进,得到一个高性能的实用低噪声放大器,并利用版图软件CadenceVirtuoso对其实现版图设计。     

CMOS低噪声放大器电路结构分析与设计

介绍了CMOS低噪声放大器的几种结构,研究了该放大器的噪声性能和相关制约因素,分析了电感反馈共源共栅结构,并在此基础上,讨论了在低功耗技术中采用的电流偏置复用结构,最后展望了CMOS低噪声放大器的发展趋势.     

宽带放大器的低噪声电子设计

给出了关于宽带放大器的低噪声设计原则及方法；讨论了宽带放大器在源电阻及源阻抗两种情况下的低噪声电子设计方法；以磁带记录器磁头输入电路的低噪声设计为例，说明了宽带放大器的低噪声电子设计方法     

一种平坦高增益的宽带低噪声放大器设计

针对宽带低噪声放大器带宽内增益波动性大的问题,设计一种平坦高增益的宽带低噪声放大器。采用两级放大器级联形式,在第一级放大电路中引入负反馈电路,设计ATF-54143的偏置电路并分析其稳定性。在两级放大电路之间添加增益补偿网络,改善宽带低噪声放大器的阻抗匹配和增益平坦度。仿真结果表明,在0.9~2.5GHz频率范围内,该宽带低噪声放大器的增益为(30.0±0.3)dB,噪声系数小于1.5dB,输入、输出反射系数均小于-10dB,达到设计要求。在误差允许范围内,实物测试结果与仿真结果相符合。     

0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计

一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器。采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比。利用ADS对电路进行调试和优化,设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器。通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB,直流功耗为9.84mA*1.8V。     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理，阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中，使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化，仿真结果是低噪声放大器在2．44GHz的工作频率下，增益G＞11dB，噪声系数NF＜1．3．     

限幅低噪声放大器的设计

限幅低噪声放大器是雷达接收机非常重要的一部分,它决定接收机灵敏度和动态.阐述了放大器几个重要指标,FET管在低频段存在潜在不稳定性以及消除不稳定的方法和措施.最后以某型号产品限幅低噪声放大器为例,简要介绍了利用AHSOFT公司微波电路设计软件设计放大器设计方法.     

Ku波段低噪声放大器设计

首先,简单介绍了微波低噪声放大器（LNA）的研究背景,分析LNA设计的重要现实意义;然后,描述了LNA设计的关键点,以及实现的方式和要求,提出了LNA设计的基本思路;最后,设计出了一款适应某动中通卫星通信系统的LNA,包括电路模型建立、射频电路仿真、PCB电路板实现及相关测试。仿真及测试结果表明,该LNA设计方案达到了预定设计指标要求。     

微波低噪声FET放大器的设计方法

分析了FET器件的噪声特性,导出在噪声最低条件下器件对信源导纳的要求,得出最佳信源导纳。讨论了最佳信源导纳的实验测量方法。以此为基础提出微波低噪声FET放大器的设计方法。     

一种宽带低功耗低噪声放大器电路设计

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低功耗电容交叉耦合低噪声放大器。利用电容交叉耦合结构使电路在不损失功耗的情况下提高电路有效跨导,采用宽增强技术有效的改变电路零极点位置以拓宽电路工作带宽。仿真结果表明,该低噪声放大器工作带宽为6.8GHz,电路噪声系数为2.8dB,功耗为5.35mW,满足LNA电路的性能指标要求。     

900MHz低噪声放大器的分析与设计

利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。     

低阻低噪声前置放大器设计

对用于低温碲镉汞红外探测器的晶体管低阻低噪声前置放大器进行了噪声分析,提出了简便实用的最佳电流设计法.实验验证了结果的实用性     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中,使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化,仿真结果是低噪声放大器在2.44GHz的工作频率下,增益G>11dB,噪声系数NF<1.3.     

一种低噪声放大器衬底电阻噪声抑制技术

为了降低低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)的噪声系数(Noise Figure, NF),提出了一种LNA衬底电阻噪声抑制方法。根据金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide Semiconductor, MOS)的衬底寄生电阻在源衬电容间产生噪声电流的原理,利用MOS管衬底电阻的小信号模型得出衬底噪声电流在大于一定的衬底电阻阻值时存在反比关系,采用增大衬底电阻阻值方法来降低MOS管衬底电阻噪声,从而减小整体LNA的噪声系数。将此方法应用于共栅级、电阻负反馈共源级与源简并电感型共源级等3种LNA中,采用台积电0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明,应用降噪技术后,共栅级、源简并电感型共源级和电阻负反馈型共源级LNA的NF最高降幅分别为0.99 dB、1 dB与1.18 dB。所提方法能够有效降低LNA的NF,并且提高3种LNA的线性度。     

低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制

提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9°,低频下输出噪声频谱密度为1.5μV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。