用非晶态合金作中间层扩散连接Si_3N_4与40Cr钢的研究

本文采用非晶态Ｃｕ_（５０）Ｔｉ_（５０）Ｂ薄膜和纯Ｎｉ缓释层作复合中间层，较好地实现了ｓｉ_３Ｎ_４与４０Ｃｒ钢的扩散连接，连接时间和连接温度及缓释层厚度对接头的强度影响很大最佳连接工艺为：９００℃·４０ｍｉｎ·３０ＭＰａ，Ｎｉ缓释层的合适厚度为１ｍｍ接头的微观分析表明：缓释层与非晶态Ｃｕ_（５０）Ｔｉ_（５０）Ｂ之间存在着较强的物理冶金交互作用，导致非晶态中间层中的Ｔｉ的活度降低，并产生脆性金属间化合物，使接头强度下限Ｍｏ是较理想的阻挡层材料在非晶态Ｃｕ_（５０）Ｔｉ_（５０）Ｂ与Ｎｉ缓释层之间插入Ｍｏ层，能有效地抑制两者间的物理冶金交互作用，并缓解了接头的残余热应力，提高了接头的强度本文提出了陶瓷与金属扩散连接接头的新模式为：陶瓷／用于扩散反应的中间层／阻挡层／缓释层／金属。     

用非晶态合金作中间层对Si3N4陶瓷进行扩散焊连接

研制了两种非晶态物质Ｃｕ５０Ｔｉ５０，Ｃｕ５０Ｔｉ５０Ｂ作为对Ｓｉ３Ｎ４扩散焊连接的中间层材料，研究结果表明，用非晶态作为中间层可改善工艺条件；降低扩散焊温度；非晶态中间层接头比其相应晶态中以接头的剪切强度有明显提高。其中硼对提高接头剪切强度贡献很大。用非晶态Ｃｕ５０Ｔｉ５０Ｂ作中间层时，接头强度最高可达３４０ＭＰａ。用晶态和非晶态Ｃｕ５０Ｔｉ５０，Ｃｕ５０Ｔｉ５０Ｂ作中间层对Ｓｉ３Ｎ４进行扩散焊     

用非晶态合金作中间层扩散连接Si3N4与40Cr钢的研究

本文采用非晶态Ｃｕ５０Ｔｉ５０Ｂ薄膜和纯Ｎｉ缓释层作复合中间层，较好地实现了Ｓｉ３Ｎ４与４０Ｃｒ钢的扩散连接，连接时间和连接温度及缓释层厚度对接头的强度影响很大，最佳连接工艺为：９００℃．４０ｍｉｎ．３０ＭＰａ，Ｎｉ缓释层的合适工为１ｍｍ，接头的微观分析表明，缓释层与非晶态Ｃｕ５０Ｔｉ５０Ｂ之间存在着较强的物理冶金交互作用，导致非晶态中间层的Ｔｉ的活度降低，并产生脆性金属间化合物，使接头强度下降，     

Cu-Ni-Ti合金钎料对Si_3N_4陶瓷的润湿与连接

采用座滴法研究了Ｃ４－Ｎｉ－（２７—５６）Ｔｉ合金（原子分数,％,下刚在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷上的润湿行为选用真空熔炼合金Ｃｕ３８Ｎｉ３０Ｔｉ３２和Ｃｕ３４Ｎｉ２７Ｔｉ３９作为钎料时,获得的Ｓｉ３Ｎ／Ｓｉ３Ｎ４接头的强度不理想在降低钎料含Ｔｉ量的同时适当降低含Ｎｉ量,重新设计了两种Ｃｕ－Ｎｉ－Ｔｉ（Ｓｉ,Ｂ）合金钎料,并采用膏状形式改善针料成分的均匀性,在１３５３Ｋ,１０ｍｉｎ的针焊条件下获得的Ｓｉ３Ｎ４／Ｓｉ３Ｎ４接头最高三点弯曲强度分别提高至３３８．８和２０６９ＭＰａ,并对Ｓｉ３Ｎ４／Ｓｉ３Ｎ。接头的界面反应进行了分析     

非晶态金属箔带作中间层的瞬间液相扩散焊焊管技术

介绍了近下搂日本在采用瞬间液相扩散焊焊管方面的一睦进展,并综合分析了其原因。     

TLP焊用非晶态中间层合金的制备及焊接性能

研究了适于16Mn钢TLP焊用非晶态Ni-Si-B中间层合金的成分及相选择,在热力学模拟试验机上对16Mn钢进行了TLP焊接,分析了中间层合金的焊接性能、结合界面组织和接头力学性能.结果表明,非晶态镍基中间层合金在TLP焊16Mn钢的过程中具有良好的润湿性和铺展性.接头填充饱满,组织均匀,界面母材与原始组织相比未有粗化迹象.焊接工艺参数为轴向压力10 MPa、升温速度50℃/s、焊接温度1150℃和保温时间5min条件下,所得接头的弯曲角达90°.Ni基非晶态中间层实现了16Mn钢TLP焊高强度连接.     

晶相组成对Si_3N_4陶瓷介电性能的影响

以MgO-Al_2O_3-SiO_2(MAS)体系作为烧结助剂,采用无压烧结,通过控制烧结工艺,制备出具有不同晶相组成的Si_3N_4陶瓷.研究了晶相组成对氮化硅陶瓷微波介电性能的影响.借助XRD、SEM对Si_3N_4陶瓷微观组织进行了研究.结果表明:在烧结过程中,有中间相Si_2N_2O产生;经1850 ℃、0.5 h烧结,β-Si_3N_4全部转变为具有较大长径比,显微结构均匀的长柱状β-Si_3N_4晶粒;Al~(3+)和O~(2-)能够进入β-Si_3N_4晶体内形成β-Si_(6-x)Al_xO_xN_(8-x)固溶体,使晶体内部产生较大的空隙或晶格畸变,在外电场作用下,易于产生离子位移极化,导致介电常数升高;同时,随着烧结温度的提高,存在于晶界的玻璃相含量增加,试样的介电常数随之升高.     

无压烧结Si_3N_4陶瓷在加湿空气中的氧化行为

研究了无压烧结 Si3N4 陶瓷在 1 2 0 0℃、在流动的含水汽 2 0 vol%的加湿空气中的氧化行为。研究表明 ,Si3N4 陶瓷在加湿空气中氧化比在自然空气中氧化剧烈。动力学研究表明 ,Si3N4 陶瓷在加湿空气中氧化分两个阶段进行 ,第一阶段为直接氧化 ,此时 ,氧化增重与氧化时间成线性关系 ,第二阶段为钝化氧化 ,此时 ,氧化主要通过离子和分子的扩散来完成。     

燃烧合成大尺寸Si_3N_4陶瓷的研究

研究了大尺寸Ｓｉ粉坯在高压氮气中的燃烧行为，通过调整工艺参数，获得了完全氮化的Ｓｉ３Ｎ４陶瓷多孔坯体。研究表明，“后燃烧氮化”是大尺寸试样中部得以氮化完全的主要原因，并提出了燃烧合成Ｓｉ３Ｎ４的燃烧波区结构模型。     

1420铝锂合金扩散焊工艺及中间层材料对接头性能的影响

研究了1420铝锂合金在一定工艺条件下，添加中间层金属进行真空扩散焊接的可行性，通过对接头显微组织、断口形貌、显微硬度和成分的测试与分析，发现在一定的工艺条件下，扩散焊接接头处原子扩散充分，形成了良好的冶金结合；采用铜中间层金属可以获得组织均匀的焊接接头；采用镍中间层能使接头处原子通过相互扩散形成金属间化合物强化相，可适当提高接头强度。     

氮化硅──氧化镁──二氧化铈的无压烧结

对氧化硅－氧化镁－二氧化铈无压烧结的研究表明：MgO－CeO_2是一种非常有效的氮化硅助烧剂，MgO－CeO_2的含量及烧结工艺对氮化硅的致密化及机械性能有强烈的影响，本文讨论了这些影响规律，当氧化镁与氧化铈共存时，二氧化铈更容易与氮化硅颗粒表面的二氧化硅反应形成难熔的窗铈的玻璃相，无压烧结的氮化硅－氧化镁－二氧化铈陶瓷，其相对密度可超过98％，强度超过920MPa，这在目前的各种无压烧结的氮化硅材料中，是非常高的，Si－Mg－Ce－O－N系统在理论研究和实用上都有极大的价值。     

Fe76.5Cu1Si13.5B9非晶合金晶化过程的X射线衍射研究

Fe_(76.5)Cu_1Si_(13.5)B_9非晶合金在晶化过程中析山的α-Fe固溶体(α相)的X射线衍射峰存在不对称性并随退火温度而变化,对α相衍射峰进行分峰拟合证实,Cu原子可以促进α相形核并固溶其中,合金晶化与原始态中残存晶核无关,α相晶粒中Cu含量的不同导致衍射峰的不对称性,键合能准化学近似计算结果表明,Cu原子降低了周围原子的迁移势垒,导致合金的晶化首先在含Cu量较高的区域开始,使晶化温度降低。     

Joining of Si_3N_4-Si_3N_4 using CuNiTi alloy brazing filler

ＪｏｉｎｉｎｇｏｆＳｉ_３Ｎ_４－Ｓｉ_３Ｎ_４ｕｓｉｎｇＣｕＮｉＴｉａｌｌｏｙｂｒａｚｉｎｇｆｉｌｌｅｒ￥ＸＩＯＮＧＨｕａｐｉｎｇ；ＷＡＮＣｈｕａｎｇｅｎｇａｎｄＺＨＯＵＺｈｅｎｆｅｎｇ（ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＤｅ...     

Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金的晶化动力学

用差热分析(DTA)结合X射线衍射(XRD),研究了Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金的晶化动力学。结果表明:温度在0～700℃范围内,该合金的晶化相为α-Fe和Fe_2B;α-Fe相晶化表观激活能为452.39kJ/mol,Fe_2B相的晶化表观激活能395.23kJ/mol;两相在晶化初期激活能最小,随晶化量X_c的增加而迅速增大,在α-Fe的体积分数为30％～80％,Fe_2B的体积分数为40％～80％时,呈现极大值。     

Joining of Si_3N_4-Si_3N_4 using CuNiTi alloy brazing filler

01lltrodnotionOwingtoitssuperiormechanicalproperties,thesiliconnitrideceramicisbecomingoneofthemostpotentialstructurematerialsinengineeringapplications.Insomecases,theSt3N4ceramicusuallyneedstobejoinedwithitselformetals.Recently,theAgCuTibrazingfillerInetalshavebeentvidelyusedl'-,I,buttheycontainratherhighquantityofAgupto57%Whichisanexpensivekindofmetal.Therefore.itisnecessarytodevelopanewkindofbracingfillerInetalsx\'ithsimil:ll'propertiestothatofAgCuTibrazingalloysbutwithoutsilver.Thewe…     

DIFFUSIVITY OF Al IN AMORPHOUS ALLOY Fe_(78)Si_9B_(13)

Ion beam sputtering profiling in combination with SIMS technique was employed toinvestigate the Al diffusion in Fe_(78)Si_0B_(13)amorphous alloy.Between 320 and 380℃,thediffusion coefficients vary from 2.43×10~(-22) to 2.01×10~(-21)m~2s~(-1),and an Arrheniusrelationship was established as:D_0=2.02×10~_(12)exp(-1.17/kT)     

无压烧结Ca_3(PO_4)_2/Si_3N_4复合陶瓷的组织结构与性能

以Ca_3(PO_4)_2和Si_3N_4为原料,采用无压烧结的方法制备Ca_3(PO_4)_2/Si_3N_4系列复合陶瓷.复合材料中Ca_3(PO_4)_2能与Si_3N_4稳定共存,烧结后未发现有新相生成.随着烧结温度的提高,复合材料的致密度和β-Si_3N_4的相对含量也随之升高,柱状β-Si_3N_4晶粒的生长更加充分,晶粒相互搭接、交织.复合陶瓷的力学性能随着烧结温度的提高而升高,1700 ℃无压烧结复合材料的抗弯强度达到547 MPa,断裂韧性达到7.3 MPa·m~(1/2),从断口照片中可以观察到β-Si_3N_4晶粒的拔出和桥联作用.通过加热试样并在水中骤冷后测弯曲强度的方法,表明Ca_3(PO_4)_2/Si_3N_4复合材料具有良好的抗热震性能.     

TiAl－V－Si合金中Ti_（5）Si_3析出相与基体相的取向关系

通过电子显微分析，发现在热等静压的ＴｉＡｌ－Ｖ－Ｓｉ合金中有大量的硅化物沿层状结构的相界面析出，这些硅化物为Ｔｉ_５Ｓｉ_３相，通常为近六角形的薄片．Ｔｉ_５Ｓｉ_３相与层状结构基体相（α_２和γ相）间具有如下的固定取向关系［０００１］_（Ｔｉ_５Ｓｉ_３）／／［０００１］_（Ｔｉ_３Ａｌ），（３１２０）_（Ｔｉ_５Ｓｉ_３），／／（１０１０）_（Ｔｉ_３Ａｌ）［０００１］_（Ｔｉ_５Ｓｉ_３）／／［１１１］_（ＴｉＡｌ），（４１５０）_（Ｔｉ_５Ｓｉ_３）／／（１１０）_（ＴｉＡｌ）     

用DC—PCVD装置对钢沉积Si3N4薄膜

控制工艺参数，用直流等离子化学气相沉积（ＤＣ－ＰＣＶＤ）装置，对碳钢、合金结构钢、高速钢等沉积Ｓｉ３Ｎ４非晶态薄膜。并研究了薄膜的成分、结构、形貌及硬度。