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本文采用直流反应磁控溅射方法在平面玻璃上制备了ZnO薄膜.所得的ZnO薄膜利用X光衍射,扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析和表征.实验结果表明,ZnO薄膜的结构和电学性质与合成条件密切相关.并测试了ZnO薄膜的温差电动势,得出薄膜中的载流子浓度越大,温差电动势率越小;ZnO薄膜厚度越大,温差电动势率越小.本文对其结果进行了理论分析. 相似文献
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ZnO薄膜的制备及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简要介绍了ZnO的晶体结构和其具有的光电性能,然后介绍了薄膜的几种制备方法,并分别阐述了这些方法的优、缺点,以及ZnO薄膜、掺杂ZnO薄膜的应用. 相似文献
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在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜.首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层,以及先制备 ZnO 过渡层,再在 ZnO 过渡层上制备非晶硅薄膜层;然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化,使其形成多晶硅薄膜籽晶层.XRD 测试表明,未引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(220)择优取向,而引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(400)择优取向;最后在多晶硅籽晶层上通过对流辅助化学气相沉积(CoCVD)制备多晶硅薄膜.根据 SEM、XRD、拉曼测试表明,多晶硅薄膜的性质延续了多晶硅籽晶层的性质,未引入 ZnO 过渡层的样品,具有高度(220)择优取向.引入 ZnO 过渡层后的样品,具有高度(400)择优取向,(400)择优取向的转变有利于后续多晶硅薄膜太阳电池的制作.同时对 Si(220)和 Si (400)择优取向的形成原因做了初步分析. 相似文献
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以二水合醋酸Zn为原料 ,采用反应沉积方法在非晶玻璃衬底上制备出了高度c轴取向、结晶良好的ZnO薄膜。研究了不同衬底温度和Zn源温度对ZnO薄膜性质的影响 ,探讨了不同衬底温度和Zn源温度下生长ZnO薄膜的最佳参数。本文还讨论了该方法制备ZnO薄膜的沉积机制及优化条件下样品的透光特性。 相似文献
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近年来,国内外一些研究者对添加剂元素与铝元素共掺杂的ZnO薄膜开展了许多研究并发现在AZO薄膜掺入添加剂元素不仅会增强AZO薄膜的光电特性,而且还能优化其晶体结构和表面形貌,某些添加剂元素还可以提高AZO薄膜的多项性能和稳定性,这对研究AZO薄膜性能的提高提供了一个更具潜力的研究方向。介绍了AZ0薄膜的基本结构、基本特性以及光电性能原理。对添加剂元素对AZO薄膜结构的研究和光电性能的研究进行了归纳和总结,并且与AZO薄膜进行了对比。综述了添加剂元素掺人的AZO薄膜目前所采用的磁控溅射法、溶胶一凝胶法和脉冲激光法三种主要制备技术以及其优缺点,同时阐述了不同方法掺人添加剂元素的AZO薄膜的研究进展。最后介绍了添加剂元素掺入的AZO薄膜在光电领域的应用,展望了其未来发展与研究趋势。 相似文献
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氧化亚铜薄膜的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
氧化亚铜(Cu2O)具有优越的光电性质,是一种具有广泛用途的材料,而且它的制备方法很多。结合最近的研究进展综述了Cu2O薄膜的制备方法与基本性质,分析了Cu2O薄膜研究开发现状,展望了Cu2O薄膜在太阳能电池应用方面的前景。 相似文献