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用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢-氧等离子体对WC-Co硬质合金(YG6)基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明,与化学腐蚀方法相比,氢-氧等离子体处理具有独特的表面钴效果,沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善,且对MWPCVD过程而言有其技术上的一些优越性。 相似文献
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用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢-氧等离子体对WC-Co硬质合金(YG6)基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明,与化学腐蚀方法相比,氢-氧等离子体处理具有独特的表面去钴效果,沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善,且对MWPCVD过程而言有其技术上的一些优越性。 相似文献
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沉积气压对MW—PCVD制备金刚石薄膜的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MW-PCVD)实验装置研究了不同沉积气压对金刚石薄膜沉积结果的影响。扫描电子显微镜(SEM)显微形貌观察及喇曼光谱(RAMAN)分析表明沉积气压的提高有利于改善MW-PCVD制备金刚石薄膜的质量。 相似文献
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基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。 相似文献
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使用一氧化碳作碳源气体,用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅上制备金刚石薄膜,分析氧对金刚石生长的影响。 相似文献
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在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。 相似文献
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CVD金刚石薄膜抛光技术的研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
采用化学气相沉积方法在非金刚石衬底上沉积的金刚石薄膜,本质上为多晶,而且表面粗糙。本文论述了目前国际上出现的抛光CVD金刚石薄膜的主要方法,包括机械抛光法、热-化学抛光法、化学-=机械抛光法、等离子体/离子束抛光法以及激光抛光法等。 相似文献
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微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石薄膜的研究情况,重点论述了该法的制备工艺对金刚石薄膜质量的影响及其制备金刚石薄膜的应用前景。 相似文献
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金刚石薄膜在硬质合金表面的沉积与结合强度 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了准分子激光辐射WC-6W+%Co(YG6)硬质合金工具衬底产生的选择性蒸发和表面改性作用,YG6表面的钴含量被有效地降低。研究了在硬质合金YG6工具衬底沉积金刚石薄膜的良好工艺参数范围,由于钴的存在和迁移,沉积金刚石薄膜的温度和甲烷浓度范围变窄。 相似文献
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微波ECR—CVD低温SiNx薄膜的氢含量分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振(ECR)等离子体化学气相沉积(CVD)法在低温条件下制备的SiN。膜的键的结构和氢含量,分析了微波 功率和后处理条件对膜含量的影响及其成因,提出适当提高微波功率是降低微波ECR-CVD低温SiNx膜中氢含量的可能途径。 相似文献
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类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高频等离子体化学气相色沉积法(RFCVD)在HgCdTe红外器件上沉积类金刚石薄膜,俄歇电子能谱对DLC/HgCdTe界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料影响较小,70nm的类金刚石薄膜抑制衬底组份的外扩散,而且具有纯度较高的类金刚石薄膜外表面层,是一种理想的钝化膜材料,红外透射光谱测试结果表明类金刚石薄膜在较宽的波长范围内(4-12μm)具有明显的增透效应。 相似文献
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本文综述了纳米硅薄膜制备新技术的进展。着重介绍了高氢稀释硅烷蚀刻法,微波氢基团增强化学气相沉积,逐层法和高频数值等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅薄膜的沉积过程和生长机制.本文指出氢基团为各项新技术发展的关键并将在今后纳米硅薄膜制备技术发展中起重要作用。 相似文献
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本文对用微波等离子体化学气相沉积方法,以甲烷和氢气的混合气体为原材,在硅或石英玻璃基片上合成类金刚石薄膜进行了研究,并对微波放电合成类金刚石膜的条件进行了考察和探讨。 相似文献
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用发射天线式微波等离子体CVD装置沉积大面积金刚石薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
在国内首次研制成功了高气压发射天线式微波等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜装置,用该装置成功地在3英寸的单晶硅衬底上沉积了Φ70mm的金刚石薄膜。这一成果填补了国内空白,对我国金刚石薄膜研究领域的设备更新换代和开发应用具有重要意义。 相似文献
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利用自行研制的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置,研究了硅基片的不同预处理方式对沉积结果的影响。通过扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,基片预处理能提高形核密度;用于预处理的金刚石研磨膏的粒度不同,影响金刚石薄膜沉积时的形核密度,晶形和薄膜的质量;表面划痕对沉积金刚石薄膜的影响具有双重性。 相似文献
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新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置 总被引:8,自引:2,他引:6
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积,在国内首次研制成功了5kW带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式MPCVD装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。 相似文献
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利用自行研制的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置,研究了硅基片的不同预处理方式对沉积结果的影响。通过扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,基片预处理能提高形核密度;用于预处理的金刚石研磨膏的粒度不同,影响金刚石薄膜沉积时的形核密度、晶形和薄膜的质量;表面划痕对沉积金刚石薄膜的影响具有双重性。 相似文献