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本文采用配备在扫描电镜中的EBSD系统及相应的取向分析和组织重构技术,对形变状态和退火状态下Zr合金的微观组织及织构演变规律进行了初步研究。结果表明,形变样品中晶粒细碎且不均匀,具有较为明显的形变带特征;织构主要为基面平行于轧面((0002)//Z)取向织构,同时还存在较多的{0001}(1010)和{0001}(1150)织构及{1104}(1102)织构。退火样品中晶粒均匀,基本为等轴晶,几种主要基面织构变化不大,但{1104}(1102)织构含量与形变样品相比提高了一倍以上。 相似文献
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本文采用EBSD方法表征分析了不同初始取向的AZ31镁合金原料板材经300℃热轧69%后得到的终轧产品的显微组织与织构差异,考察了热轧变形条件下原料的初始织构对热轧成品板材的影响。结果表明,原料的初始织构对终轧板材的显微组织与织构影响不大,但对材料的显微组织界面分布有一定影响。通过高温大变形量变形,不同初始织构的原料均可制得平均晶粒度小于5μm的AZ31镁合金板材。 相似文献
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本文采用EBSD方法表征分析了不同初始取向的AZ31镁合金原料板材经300℃热轧69%后得到的终轧产品的显微组织与织构差异,考察了热轧变形条件下原料的初始织构对热轧成品板材的影响.结果表明,原料的初始织构对终轧板材的显微组织与织构影响不大,但对材料的显微组织界面分布有一定影响.通过高温大变形量变形,不同初始织构的原料均... 相似文献
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半导体用高利用率长寿命溅射靶材的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体制造工艺中使用的高纯金属溅射靶材的利用率直接关系到靶材自身的使用寿命和芯片制作的成本,在靶材研制中需要重点关注。以晶圆制造中广泛应用的高纯铝、铜等靶材为例,介绍了溅射靶材的发展演变,并以靶材使用前后轮廓测量为基础,研究了100~300 mm晶圆制造用靶材的利用率。结果表明,常规靶材随着尺寸增加和溅射工艺的严格控制,靶材利用率减小(30%)。制备高利用率的大尺寸长寿命靶材,需对靶材的溅射面形貌和靶材厚度等方面进行结构优化设计,经优化设计后的靶材利用率最大可达到50%以上,使用寿命亦显著延长。 相似文献
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高纯钽板在交叉轧制过程中,通过控制轧制的道次,得到了70%,82%和87%变形量的样品.应用X-射线衍射(XRD)技术测量了轧制样品1/8厚度层,1/4厚度层和中间层的宏观织构,并对样品沿厚度方向上的变形组织与微织构进行电子背散射衍射(EBSD)表征.结果表明,随着交叉轧制变形量的增加,{111} 和{100}取向晶粒的取向分裂程度增加,并且{111}取向的晶粒分裂程度高于{100}取向的晶粒.变形量为70%时,高纯钽板沿厚度方向存在强烈的微观组织和织构梯度,中间层具有强烈的{111}取向晶粒,而1/8厚度层主要为{100} 取向.随着变形量增加,高纯钽板沿厚度方向的微观组织和织构均匀性得到改善.当变形量达到87%时,表面和中心的{100} 和{111} 取向晶粒都为长条状且交互分布在一起,使得钽板沿厚度方向织构梯度得到减弱,同时获得均一的晶粒尺寸. 相似文献