500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

超低导通电阻MOSFET

SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET,两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装,具有极低的导通电阻,以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM,优值系数）。     

SiHP16N50C等：功率MOSFET

Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TD247AC封装。     

低导通电阻超级结MOSFET

这三款新型超级结超级结MOSFET具有如下一些特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。行业领先的低导通电阻和低栅极电压,同时结合了快速体二极管的性能,使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE这三款器件有助于提高家用电器电机驱动的效     

IR推出具有超低导通电阻的AC-DC同步整流MOSFET

服务器、笔记本电脑、液晶电视、显示适配器对AC—DCSMPS(开关电源)的功率密度要求不断提高(如图)，因此市场呼唤高效率的同步整流场效应管。     

具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件,将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半,在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和H65mΩ。     

具有超低导通电阻的AC-DC同步整流MOSFET

国际整流器公司(Intemational Rectifier，简称IR)近日发布了一组电压为75V和100V，专用于AC-DC同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备超低导通电阻(例如，IRFB4310[100V]Rcsicn)=7mOhm；IRFB3207[75V]Rcsyoiy；45mOhm)，能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC-DC SMPS的效率和功率密度。     

Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。     

SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

具有极低通态电阻的N沟道MOSFET系列

采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET具有极低的通态电阻,40V系列具备最低1．8mΩ的通态电阻,60V系列具备最低2．8mΩ的通态电阻,80V系列具备最低4．7mΩ的通态电阻。这些器件的FOM（品质系数）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降低驱动器散热量。     

Vishay出新型20Vn通道功率MOSFETSiR440DP

日前,威世推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay推出首款带有同体封装的190V功率二极管的190V N通道功率MOSFET

日前,Vishay宣布推出业界首款带有同体封装的190V功率二极管的190V n通道功率MOSFET-SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0．75mm的超薄厚度。采用PowerPAK SC-70封装的SiA850DJ还是在18V VGS时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

VishayIntertechnology,Inc．宣布,扩充其采用超小PowerPAK0SC-70封装的‰nchFET@GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2x2mm,在-4．5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V（12VVGS和20VVGS）器件中最低的。     

IR推出具有超低导通电阻的MOSFET

国际整流器公司(IR)日前发布了一组电压为75V和100V．专用于AC—DC同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备业界前所未有的超低导通电阻．能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC—DCSMPS的效率和功率密度。这一组新品MOSFET适用于反激、半桥、全桥、正激转换器等各类不同AC—DC拓扑架构的次边。传统上，在能量密度较高的SMPS中通常将肖特基二极管作为输出整流器件。