激光脉冲对碳电极活化的研究

用１．０６μｍ波长的激光脉冲对玻璃碳电极、碳纤维电极进行了照射处理，处理后的碳电极表面活性有很大改善，Ｆｅ３＋／２＋、抗坏血酸的电极反应速率显著提高。初步认为，这种结果是在瞬间强激光的作用下，清除了表面惰性层，改变了表面微结构，暴露出更多的活性质点所致。     

电子束照射下金纳米微粒的接合

纳米微粒由于其独特的物理、化学性能而受到世界范围的广泛关注。使用金属、合金、半导体和陶瓷纳米微粒来制备功能材料,如陶瓷超塑性材料,一直是科学家们研究的焦点。为了了解这些纳米微粒不同寻常的特性,开发将这些纳米微粒制成块体功能材料的方法,必须对纳米微粒的接合行为进行研究。用电子束照射的方法在HRTEM中动态观察A1/A1纳米微粒的接合过程作者已有报道[1～3],本文研究了金纳米微粒的迁移、旋转和接合,并对其接合机理进行分析讨论。具有直径为1～6纳米的金纳米微粒是由氩离子束溅射技术制备的[3]。金纳米微粒放置在厚度大约为20…     

激光处理对固体电极表面信号的影响

铂电极，玻碳电极经Ｎｄ：ＹＡＧ激光脉冲照射处理后，表面信号显著减小。在一定范围内，激光脉冲的功率密度越大，减小愈明显。     

激光穴位照射镇痛作用的实验研究

以大白鼠60只作为实验材料，用重庆光学机械研究所制造的JGD-1He-Ne激光器（功率为5mw）照射两侧足三里。照射前后用YL-3型氯化银环形电极测痛，以测定痛阈的变化。为了解激光照射次数与镇痛的关系，以10只动物进行一天，二天、三天照射，每次照射后测痛，观察其变化情况。为了了解激光照射后的后效应将动物作一小时、     

激光诱发前向转移技术在电子制造领域的应用

激光诱发前向转移是基于激光的诱导作用实现微量物质转移的技术.转移过程中激光与薄膜材料发生相互作用,使薄膜从源透明基板上剥离,转移到目标基板上,发生转移的薄膜最终在目标基板上发生沉积.作为微细加工的一种手段,激光诱发前向转移技术具备制作微小结构的能力,能实现金属、有机物、半导体和生物材料等多种材料的转移和图形制作,在电子制造领域有着广阔的应用前景.     

强激光下4H-SiC晶体电子特性的第一性原理研究

为了研究4H-SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV~2.75eV范围内时,4H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H-SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV~2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV~3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高而迅速地减小;当电子温度T_e高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性。该研究对制作4H-SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的。     

退火对Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响

本文对CW Ar~+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO_2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界面态陷阱密度.氢等离子体处理对晶粒间界引入的界面态退火效果更显著,而CO_2激光辐照对应力引入的界面态退火作用更明显.     

飞秒激光刻写FBG在电极放电下的光谱特性

采用电极脉冲电弧放电对紫外激光和飞秒激光刻写的光纤布拉格光栅(FBG)进行高温激励的研究,实验发现,紫外激光刻写的FBG,光栅透射谱大幅下降,光谱蓝移0.38 nm,飞秒激光刻写的FBG透射谱基本保持不变,光谱红移0.022 nm。特别是当电极在栅区中心位置放电时,光栅透射率上升达到最大,比无电极放电时大8 dB,表现出开关量特性。该特性在光纤开关量器件、光纤调Q激光器、新型光纤光栅解调与局部放电检测等领域具有潜在的应用前景。     

WC/Ni60激光熔覆复合涂层的强碱腐蚀磨损行为

利用激光熔覆制备WC增强涂层,通过光学显微镜(OM)、电子扫描显微镜(SEM)和EDS对试样观察和分析,并依据颗粒相分布均匀性,获得推荐优化工艺参数是送粉量为7.8g/min、扫描速度为4mm/s、激光功率为2.0kW和离焦量为50mm。在此基础上,应用M-200摩擦磨损试验机考察了WC/Ni60涂层在40% NaOH强碱溶液作用下的摩擦磨损行为,结果表明,涂层的摩擦磨损机制随工况的变化而变化,钝化膜的生成和溶解成为一个动态过程,且所制备的涂层在中速中载时较干摩擦能够显著降低摩擦因数和磨损量。     

金蒸气激光器放电管的研制和工作特性

本文主要介绍ＧＶＬ－Ｉ型金蒸气激光放电管的设计中最佳长度／直径比和电极、保温材料的选择等，对放电管管壁温度、频率、气体压力、输入功率与激光输出功率的关系也进行了讨论。     

连续波YAG激光辐照对面阵CCD探测器成像质量影响的研究

用可见光面阵ＣＣＤ探测器破坏阈值以下的ＹＡＧ连续波激光辐照ＣＣＤ探测器,同时对其成像质量的影响进行了研究,并将其与ＹＡＧ脉冲激光对可见光面阵ＣＣＤ的破坏进行了对比。得出了连续波激光对面阵ＣＣＤ破坏的一些结论,最后对破坏机理进行了分析。     

Design of a MoOx/Au/MoOx transparent electrode for high-performance OLEDs

A MoO_x(top)/Au/MoO_x(bottom) multilayer was systematically designed for transparent electrodes in green OLEDs in terms of optical transmission and series resistance of the device. The enhancement in optical transmission of MoO_x/Au/MoO_x (MAM) structures is a result of a series of events, including the optical interference within the multilayers and the interaction of light with surface plasmon polaritons in the metal layer. For the maximum transmission, the optical interference occurring within the multilayers was simulated using a transfer matrix model to determine the optimum thickness of MoO_x layers, and then the thickness of the Au interlayer was experimentally optimized for extraordinary optical transmission. In addition, the series resistance added by the top MoO_x was characterized to confirm its negligible impact on the performance of the device. The optimum MoO_x (40 nm)/Au (10 nm)/MoO_x (40 nm) structure showed much higher transmission in the green-red region and lower sheet resistance than indium tin oxide (ITO). We have fabricated MAM-based OLEDs the driving voltage of which was significantly reduced to ∼5.5 V at a current density of 20 mA/cm², and the current efficiency (11.46 Cd/A) was higher than that (10.91 Cd/A) of ITO-based OLEDs, demonstrating that the MAM electrode is a potential replacement for ITO in optical devices.     

Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响

对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与NiO氧化反应机理决定,Ni层与Au层之间的厚度比率对p型GaN欧姆接触特性的优劣有重要影响,在Ni、Au层厚度相当时可获得最佳的p型欧姆接触。     

USB接口技术在激光打标中的应用

本文在说明了传统振镜式激光打标控制器所采用的数据传输接口的不足之后,引出了USB接口在激光打标控制器中的应用优势,并分析了它的可行性。最后就打标数据的USB传输方式做了讨论,提出了一些参考意见。     

Effect of microstructure of Au80Sn20 solder on the thermal resistance TO56 packaged GaN-based laser diodes

Au80Sn20 alloy is a widely used solder for laser diode packaging. In this paper, the thermal resistance of GaN-based blue laser diodes packaged in TO56 cans were measured by the forward voltage method. The microstructures of Au80Sn20 solder were then investigated to understand the reason for the difference in thermal resistance. It was found that the microstructure with a higher content of Au-rich phase in the center of the solder and a lower content of (Au,Ni)Sn phase at the interface of the solder/heat sink resulted in lower thermal resistance. This is attributed to the lower thermal resistance of Au-rich phase and higher thermal resistance of (Au,Ni)Sn phase.     

高功率二极管激光器Au80Sn20焊料焊接实验研究

半导体激光器封装工艺过程对于激光器的输出特性、寿命等性能有重要影响,其中焊料的选择和焊接工艺是最关键的因素。本文采用磁控溅射的方法,在 WCu 热沉上制备了Au80Sn20合金焊料,取代了传统的In焊料,并对焊接工艺进行了改进。国外沉积的和我们制备的Au80Sn20合金焊料焊接DL芯片后的性能参数很接近。充分说明双靶分层溅射镀膜可以实现二极管激光器的封装要求,从而为优化半导体激光器制备工艺和提高半导体激光器的性能奠定基础。     

He-Ne激光与生物组织相互作用的信息传递机理研究

根据生物组织的电生理特性 ,建立He-Ne激光与生物组织相互作用时信息传递的物理模型 ,再根据电路和电磁学的有关理论 ,探讨He -Ne激光与生物组织相互作用的信息传递规律 ,从而阐明了激光作用于生物组织时信息传递的机制     

用RBS研究连续的Nd：YAG激光辐照后的铂硅界面

样品为P型的Si(111)片上真空充氩溅射了铂膜,厚度分别为540,700和1000A(用~(244)Pu同位素x光萤光法测量)。用连续的Nd:YAG激光扫描,速率恒定在14.3(mm·sec~(-1))时,功率分别为0.3,2.1,3.9,5.7和7.8W;当激光功率恒定在3W时,扫描速率分别为9.3,11.5,14.3,16.9和21.9(mm·sec~(-1))。激光辐照后,^样品的卢瑟福背散射谱(RBS)表明了界面上铂硅化物的生成,铂含量在0.19至1.05之间变化;而x-射线衍射分析(XRD)表明了界面上P_(+3)Si,P_(+12)Si_(5)和P_(+2)Si混合相的存在。