功率晶体管击穿电压与硅片电阻率的取值关系

介绍了用于节能灯照明电路的高耐压功率晶体管的反向击穿电压、饱和压降和开关时间等参数的设计要求。合理选用硅片单晶材料的电阻率 ,对器件工艺设计和制造起到了关键作用。     

低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析

给出了从２００－１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。     

低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析

给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。     

关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则：基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响。给出了仿真结果。     

高反压管BVCBO击穿特性发挥现象的机理分析与解决

通过对某型高反压管ＢＶｃｂｏ击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究，找出了产生此现象的直接原因，进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试ＢＶｃｂｏ单结特性时应注意的问题。     

高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析

提高 LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的 LDMOS击穿电压模式 ,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响 ,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性     

等价掺杂转换理论预示扩散 -外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度

基于等价掺杂转换理论的应用 ,得到了解析计算扩散 -外延穿通 P- N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果 .介绍了等价掺杂转换方法的基本理论 ,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计算公式 ,并正确地预示了最大击穿电压和击穿峰值电场强度的位置 .理论结果显示出与以前的数值分析结果很好的一致性     

等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算扩散-外延穿通P-N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果．介绍了等价掺杂转换方法的基本理论,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计算公式,并正确地预示了最大击穿电压和击穿峰值电场强度的位置．理论结果显示出与以前的数值分析结果很好的一致性．     

高反压管BV_(CBO)击穿特性发辉现象的机理分析与解决

通过对某型高反压管ＢＶcbo 击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究,找出了产生此现象的直接原因,进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试ＢＶcbo单结特性时应注意的问题。     

SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析

测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线--"双线击穿"曲线现象.通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析,结果显示SIPOS层中氧含量过大,从而产生界面效应造成击穿电压回移,并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出"双线击穿曲线"的现象.同时提出解决双线击穿曲线现象的方法.     

GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析

通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。     

放电管击穿电压测试模块的设计与实现

通过8255接口芯片,将计算机和外围硬件联结起来,组成了放电管直流击穿电压自动测试系统。该系统采用顺序加压机制,由计算机采样确定击穿电压,并根据相关标准判别元件的好坏。由于采用阵列结构,计算机自动转换测量电压,测试效率大为提高,测得数据重复性好。系统人机界面友好,操作简单方便,可靠性高。     

VDMOS结构击穿电压的设计与分析

本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式，描述了浮动电位保护环和场板效应和穿通击穿电压的改进，经比较理论结果与测量数据有效好的一致性。     

非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管

介绍了在0.18 μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的“L形”二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区.该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压...     

薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系

CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。     

一种新型鳍状栅极LDMOS功率器件的设计

本文设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应。通过Silvaco TCAD仿真验证,结果表明FG-LDMOS较传统LDMOS具有更好的电学特性,如击穿电压提高了25％达到100 V,比导通电阻Ron.sp降低了25％至2.68 mΩ?cm2,品质因数FOM提高了94.5％到3.58 MW/cm2。此外该FG-LDMOS拥有优异的高频开关特性,其栅漏电容CGD降到了0.46×10-16 F/μm,跨导gm升至0.26 mS。